全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
手机远见搜索 |设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
发文数量
被引数量
学者研究热点:
    引用
    筛选:
    文献类型 文献类型
    学科分类 学科分类
    发表年度 发表年度
    基金 基金
    研究层次 研究层次
    排序:
    显示:
    CNKI为你找到相关结果

    纳米器件空间辐射效应机理和模拟试验技术研究进展  CNKI文献

    电子器件空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素之一,一直是国际上抗辐射加固技术领域研究的热点和难点.高可靠、高集成度、高性能、低功耗、低成本是未来新一代先进电子系统发展的必然要求,采用更高性...

    陈伟 刘杰... 《科学通报》 2018年13期 期刊

    关键词: 纳米器件 / 空间辐射效应 / 抗辐射加固 / 模拟试验

    下载(207)| 被引(2)

    纳米静态随机存储器低能质子单粒子翻转敏感性研究  CNKI文献

    针对65,90,250 nm三种不同特征尺寸的静态随机存储器基于国内和国外质子加速器试验平台,获取了从低能到高能完整的质子单粒子翻转截面曲线.试验结果表明,对于纳米器件1 MeV以下低能质子所引起的单粒子翻转截面比高能质...

    罗尹虹 张凤祁... 《物理学报》 2016年06期 期刊

    关键词: 低能质子 / 纳米静态随机存储器 / 单粒子翻转 / 直接电离

    下载(94)| 被引(6)

    累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究  CNKI文献

    本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究...

    肖尧 郭红霞... 《物理学报》 2014年01期 期刊

    关键词: 累积剂量 / 单粒子效应 / 静态随机存储器 / 反印记效应

    下载(173)| 被引(4)

    静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟  CNKI文献

    针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子...

    张科营 郭红霞... 《物理学报》 2009年12期 期刊

    关键词: 三维数值模拟 / 单粒子翻转 / 微束 / 宽束

    下载(329)| 被引(15)

    亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究  CNKI文献

    利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35~0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线...

    郭红霞 罗尹虹... 《原子能科学技术》 2010年12期 期刊

    关键词: 静态随机存储器 / 多位翻转 / 重离子加速器

    下载(252)| 被引(20)

    纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究  CNKI文献

    器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随...

    罗尹虹 张凤祁... 《物理学报》 2015年21期 期刊

    关键词: 质子 / 纳米随机静态存储器 / 单粒子多位翻转 / 角度效应

    下载(93)| 被引(2)

    质子和中子在硅中位移损伤等效性计算  CNKI文献

    基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟...

    王园明 郭晓强... 《强激光与粒子束》 2013年07期 期刊

    关键词: 中子 / 质子 / / 反冲原子

    下载(200)| 被引(7)

    静态单粒子翻转截面的获取及分类  CNKI文献

    为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对...

    姚志斌 范如玉... 《强激光与粒子束》 2011年03期 期刊

    关键词: FPGA / 辐照效应 / 单粒子效应 / 单粒子翻转

    下载(238)| 被引(10)

    纳米DDR SRAM器件重离子单粒子效应试验研究  CNKI文献

    针对90nm和65nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可...

    罗尹虹 张凤祁... 《强激光与粒子束》 2013年10期 期刊

    关键词: 纳米SRAM / 单粒子效应 / 多位翻转 / 测试图形

    下载(103)| 被引(8)

    Synergistic effects of total ionizing dose on single e...  CNKI文献

    Synergistic effects of the total ionizing dose(TID) on the single event upset(SEU) sensitivity in static random access memories(SRAMs) were studied by using protons. The total dose was cumulated with...

    肖尧 郭红霞... 《Chinese Physics B》 2014年11期 期刊

    关键词: single / event / upset / total

    下载(43)| 被引(2)

    0.6μm MOS器件稳态总剂量损伤效应研究  CNKI文献

    合作制备了体硅0.6μm工艺直栅和环栅不同设计结构的MOS器件,开展了稳态高剂量率电离辐射总剂量效应试验。通过对实验数据进行分析,研究当器件特征尺寸达到亚微米、深亚微米时,不同设计结构、不同辐照偏置条件对实验结...

    罗尹虹 郭红霞... 《固体电子学研究与进展》 2010年01期 期刊

    关键词: 体硅0.6μm工艺 / 高剂量率 / 总剂量效应

    下载(147)| 被引(13)

    静态随机访问存储器型现场可编程门阵列辐照效应测试系统研...  CNKI文献

    在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上,详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测...

    姚志斌 何宝平... 《强激光与粒子束》 2009年05期 期刊

    关键词: 现场可编程门阵列 / 辐照效应 / 测试系统 / 静态随机访问存储器

    下载(135)| 被引(13)

    中国散裂中子源在大气中子单粒子效应研究中的应用评估  CNKI文献

    由于缺少可用的散裂中子源,多年来我国在大气中子单粒子效应方面主要依靠模拟仿真和单能中子试验的方式开展研究.随着中国散裂中子源(CSNS)通过国家验收,基于CSNS开展大气中子单粒子效应研究成为可能.本文利用CSNS反角...

    王勋 张凤祁... 《物理学报》 2019年05期 期刊

    关键词: 大气中子 / 单粒子效应 / 中国散裂中子源 / 反角白光中子源

    下载(37)| 被引(0)

    MOS器件辐照过程和辐照后效应模拟  CNKI文献

    模拟MOS器件脉冲电离辐射响应和长时间恢复效应.假设隧道电子从硅进入氧化层和界面态的建立是辐射效应的恢复机理.在整个退火恢复期,采用卷积模型并考虑了栅偏置压的效应.模拟结果表明:退火过程所加栅偏压的大小以及隧...

    何宝平 张凤祁... 《计算物理》 2007年01期 期刊

    关键词: 电离辐射 / 界面态 / 退火 / 模拟

    下载(269)| 被引(9)

    铁电存储器中高能质子引发的单粒子功能中断效应实验研究  CNKI文献

    利用中国原子能科学研究院的中高能质子实验平台,针对两款商用铁电存储器开展了中高能质子单粒子效应实验研究,发现其中一款器件在质子辐照下发生了单粒子翻转和单粒子功能中断.本文主要针对单粒子功能中断效应展开了...

    琚安安 郭红霞... 《物理学报》 2018年23期 期刊

    关键词: 铁电存储器 / 中高能质子 / 单粒子功能中断效应

    下载(47)| 被引(0)

    SRAM激光微束单粒子效应实验研究  CNKI文献

    结合器件版图,通过对2 k SRAM存储单元和外围电路进行单粒子效应激光微束辐照,获得SRAM器件的单粒子翻转敏感区域,测定了不同敏感区域单粒子翻转的激光能量阈值和等效LET阈值,并对SRAM器件的单粒子闭锁敏感度进行测试...

    罗尹虹 郭红霞... 《微电子学》 2010年03期 期刊

    关键词: SRAM / 激光微束 / 单粒子效应 / 等效LET阈值

    下载(238)| 被引(6)

    不同辐射环境下CMOS器件总剂量效应测试技术与损伤差异研究  CNKI文献

    对应用在不同辐射环境下HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及脉冲总剂量效应在线测 试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套测试系统对典型CMOS器件 4007在强光一号加速器脉冲硬X射线状态...

    罗尹虹 龚建成... 《高能物理与核物理》 2006年01期 期刊

    关键词: CMOS / 测试系统 / 强光一号加速器 / 总剂量损伤

    下载(264)| 被引(11)

    Flash型FPGA的单粒子效应测试系统研制  CNKI文献

    研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时钟网络单粒子瞬态效应测试、单粒子瞬态脉冲宽度测试等功能。本文介绍了该系统的测试原...

    王忠明 闫逸华... 《原子能科学技术》 2015年12期 期刊

    关键词: 单粒子效应 / Flash型FPGA / 单粒子瞬态

    下载(93)| 被引(3)

    铁电存储器~(60)Co γ射线及电子总剂量效应研究  CNKI文献

    以型号为FM28 V100的铁电存储器为研究对象,进行了~(60)Co γ射线和2 Me V电子辐照实验.研究了铁电存储器不同工作方式、不同辐射源下的总剂量辐射损伤规律,用J-750测试部分直流参数和交流参数,分析了存储器敏感参数的...

    秦丽 郭红霞... 《物理学报》 2018年16期 期刊

    关键词: 铁电存储器 / 总剂量效应 / ~(60)Co / γ射线

    下载(52)| 被引(0)

    大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应  CNKI文献

    提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Coγ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256...

    何宝平 周荷琴... 《半导体学报》 2006年01期 期刊

    关键词: 大规模集成电路 / 总剂量效应 / 低剂量率 / 失效时间

    下载(211)| 被引(11)

    学术研究指数分析(近十年)详情>>

    • 发文趋势

    获得支持基金

      同机构合作作者

      其他机构合作作者

      主要合作者关系图

      大成编客