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    固态纳米孔:下一代DNA测序技术——原理、工艺与挑战  CNKI文献

    固态纳米孔测序技术作为新兴的第四代DNA测序技术,具有低成本、高读长、易集成等优势.如今,随着半导体工艺技术的飞速发展,小型化、高速度、大通量的纳米孔测序芯片的实现成为可能.相比传统的测序技术,固态纳米孔测序...

    陈文辉 罗军... 《中国科学:生命科学》 2014年07期 期刊

    关键词: 固态纳米孔 / DNA测序 / 缩孔技术

    下载(2023)| 被引(20)

    基于CVD单层MoS_2 FET的光电探测器  CNKI文献

    通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电...

    战俊 粟雅娟... 《微纳电子技术》 2017年07期 期刊

    关键词: 二硫化钼(MoS2) / 场效应晶体管(FET) / 二维(2D)半导体材料 / 光电探测器

    下载(329)| 被引(1)

    近红外波段Ge光电探测器的研究进展  CNKI文献

    随着光通信技术的发展,如何制备能与Si基电路单片集成的响应波长在1.3和1.55μm的高性能光电探测器成为研究热点。总结了Si Ge组分变化的缓冲层技术、低温缓冲层技术以及选区外延这三种主流的Ge材料外延技术,介绍了pi...

    柯星星 罗军... 《半导体技术》 2015年04期 期刊

    关键词: 光通信 / 单片集成 / Ge / 光电探测器

    下载(405)| 被引(3)

    β-Ga_2O_3欧姆接触的研究进展  CNKI文献

    近年来,随着氧化镓(Ga_2O_3)晶体生长技术取得突破性进展,氧化镓材料及器件的研究与应用成为国际上超宽禁带半导体领域的研究热点。综述了β-Ga_2O_3衬底的一些优点以及面临的挑战,重点介绍了如何实现良好的欧姆接触。...

    杨凯 刁华彬... 《微纳电子技术》 2019年09期 期刊

    一种非对称结构微流体混合器的设计与分析  CNKI文献

    微流体混合器可以用于不同流体之间的混合与反应,其与化学传感器结合构成的化学分析测试系统,具有灵敏度高、响应时间短和稳定性好的特点。在微电子机械加工技术的基础上,设计了一种新型的、具有非对称分离重组结构的...

    荣波 李民权... 《微纳电子技术》 2014年08期 期刊

    关键词: 微流体混合器 / 非对称分离重组 / 雷诺数 / 有限元方法

    下载(155)| 被引(7)

    用于单个纳米颗粒检测的固态纳米孔器件的仿真与优化  CNKI文献

    基于固态纳米孔器件的检测技术是近年来的研究热点,它可广泛用于各种纳米颗粒、生物分子检测及DNA测序等各个领域。采用数值方法对两种常用的纳米孔器件,即圆柱形纳米孔和棱台形纳米孔器件在检测纳米颗粒穿过时的局部...

    张宇 魏胜... 《传感技术学报》 2015年10期 期刊

    关键词: 纳米孔 / 数值方法 / 单纳米粒子检测 / 阻塞电流因子

    下载(91)| 被引(0)

    新一代功率半导体β-Ga_2O_3器件进展与展望  CNKI文献

    Ga_2O_3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga_2O...

    刁华彬 杨凯... 《微纳电子技术》 2019年11期 期刊

    关键词: β-Ga2O3 / 超宽禁带半导体 / 功率器件 / 肖特基势垒二极管(SBD)

    下载(58)| 被引(0)

    40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善  CNKI文献

    随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。...

    贺金鹏 蒋晓钧... 《半导体技术》 2019年03期 期刊

    关键词: 高深宽比 / 接触孔刻蚀 / 侧壁形貌 / 刻蚀选择比

    下载(43)| 被引(0)

    等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用  CNKI文献

    基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行...

    邹志超 李超波... 《半导体技术》 2014年08期 期刊

    关键词: 等离子体浸没离子注入 / 束线离子注入 / 鞘层 / FinFET

    下载(252)| 被引(1)

    不同拓扑衍生结构微混合器的仿真与分析  CNKI文献

    采用微电子机械加工技术,以简单易加工的传统T型直通道微混合器为基础,提出了由其衍生的3种新型的微器件结构,即T型方波通道、T型方波通道带扩展腔和T+Y型四通道微混合器。利用有限元方法建立目标模型,系统地研究和比...

    刘贵亚 张宇... 《微纳电子技术》 2015年10期 期刊

    关键词: 微流体混合器 / 雷诺数 / 扩展腔 / 方波型

    下载(117)| 被引(1)

    用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性  CNKI文献

    通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了...

    战俊 粟雅娟... 《微纳电子技术》 2017年04期 期刊

    关键词: 二硫化钼场效应晶体管(MoS2 / FET) / 掺杂 / 二维(2D)半导体材料

    下载(114)| 被引(0)

    基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究  CNKI文献

    利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究。通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似"U"型分布。通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿沟道水...

    田阳雨 罗军... 《半导体技术》 2019年07期 期刊

    关键词: 电荷泵技术 / 缺陷能级分布 / 缺陷空间分布 / 三维器件

    下载(23)| 被引(0)

    100mm直径硅衬底上MOCVD外延生长无裂纹GaN  CNKI文献

    为实现在100 mm直径硅衬底上金属有机物化学气相外延(MOCVD)生长无裂纹GaN,系统研究了预铺铝时间参数对AlN成核质量的影响、不同厚度条件下AlN层对GaN生长的影响以及Al组分渐变的AlGaN缓冲层对GaN裂纹抑制的效果。实验...

    包琦龙 丛宏林... 《半导体技术》 2013年02期 期刊

    关键词: 金属有机物化学气相沉积 / 氮化铝 / 氮化镓 / 硅衬底

    下载(200)| 被引(2)

    Ni基硅化物受退火方式影响的研究  CNKI文献

    硅化镍(NiSi)因具备低硅耗、低电阻率、低热预算、没有明显线宽效应等特性,被广泛应用于源漏极接触部分和栅极与金属的接触部分中。工艺中,加热条件的变化会导致生成不同的Ni基硅化物,均一性也会根据加热方式产生变化...

    盛捷 罗军... 《微电子学》 2019年02期 期刊

    关键词: 镍硅化物 / 浸入式退火 / 激光退火 / 薄层电阻

    下载(25)| 被引(0)

    杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制  CNKI文献

    为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用硅化诱发杂质分凝技术(SIDS)调节NiSi/n-Si肖特基二极管(NiSi/n-Si SJD)的肖特基势垒高...

    毛淑娟 罗军... 《半导体技术》 2013年01期 期刊

    Device parameter optimization for sub-20nm node HK/MG-...  CNKI文献

    Sub-20 nm node bulk FinFET PMOS devices with an all-last high-k/metal gate(HK/MG) process are fabricated and the influence of a series of device parameters on the device scaling is investigated.The h...

    许淼 殷华湘... 《Journal of Semiconductors》 2015年04期 期刊

    关键词: bulk / FinFET / effective / work

    下载(56)| 被引(1)

    在Si_xGe_(1-x)C_(0.02)衬底上直接生长石墨烯  CNKI文献

    基于锗衬底在石墨烯生长方面的自限制生长和表面催化特性,以甲烷(CH4)和氢气(H2)为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法分别在锗硅碳(SixGe1-xC0.02)(x=0.15,0.25,0.73)衬底和外延锗上直接生长石墨烯。研究了不同Si组分、...

    魏胜 彭猛... 《半导体技术》 2015年07期 期刊

    关键词: 锗硅碳(SixGe1-xC0.02) / 化学气相沉积(CVD) / 外延Ge / 石墨烯

    下载(62)| 被引(0)

    Simulation and characterization of stress in FinFETs u...  CNKI文献

    A new simulation method and test instrument has been adopted to verify the traditional stress simulation in FinFET.First,a new algorithm named lattice kinetic Monte Carlo(LKMC) is used to simulate th...

    郭奕栾 王桂磊... 《Journal of Semiconductors》 2015年08期 期刊

    关键词: stress / simulation / FinFET / NBD

    下载(28)| 被引(1)

    Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究  CNKI文献

    介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺...

    江忠永 丛宏林... 《半导体技术》 2013年04期 期刊

    关键词: 金属有机化学气相沉积 / 氮化铝 / 预铺铝 / 硅衬底

    下载(99)| 被引(0)

    Silicon-film-related random telegraph noise in UTBOX s...  CNKI文献

    This paper studies the amplitude of random telegraph noise(RTN) caused by a single trap in the silicon film of ultra-thin buried oxide(UTBOX) silicon-on-insulator(SOI) devices. The film-defect-relate...

    方雯 Eddy Simoen... 《Journal of Semiconductors》 2015年09期 期刊

    关键词: random / telegraph / noise / low

    下载(8)| 被引(0)

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