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    Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si (111) s...  CNKI文献

    The electrical properties of the structure of GaN grown on an Si (111) substrate with low-temperature (LT) AlN interlayers by metal-organic chemical-vapour deposition are investigated. An abnormal P-...

    倪毅强 贺致远... 《Chinese Physics B》 2013年08期 期刊

    关键词: metal–organic / chemical-vapour / deposition / GaN-on-Si

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    Influence of dry-etching damage on the electrical prop...  CNKI文献

    The influences of dry-etching damage on the electrical properties of an AlGaN/GaN Schottky barrier diode with ICPrecessed anode was investigated for the first time. It was found that the turn-on volt...

    钟健 姚尧... 《Chinese Physics B》 2015年09期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / Schottky / barrier / diodes

    下载(29)| 被引(2)

    Si and Mg pair-doped interlayers for improving perform...  CNKI文献

    We report a novel structure of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors(HFETs) with a Si and Mg pairdoped interlayer grown on Si substrate. By optimizing the doping concentrations of the pa...

    倪毅强 贺致远... 《Chinese Physics B》 2015年05期 期刊

    关键词: heterostructure / field / effect / transistor(HFET)

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    表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析  CNKI文献

    利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子...

    杨帆 林哲雄... 《中国科技论文》 2014年10期 期刊

    关键词: 半导体物理学 / 施主表面态 / AlGaN厚度 / 表面态电离

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    Si衬底AlGaN/GaN功率开关场效应晶体管研制  CNKI文献

    研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约...

    姚尧 贺致远... 《电力电子技术》 2012年12期 期刊

    关键词: 场效应晶体管 / 功率开关 / 栅宽 / 欧姆接触电极厚度

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