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    基于蒙特卡洛和器件仿真的单粒子翻转计算方法  CNKI文献

    文章提出了一种基于蒙特卡洛和器件仿真的存储器单粒子翻转截面获取方法,可以准确计算存储器单粒子效应,并定位单粒子翻转的灵敏区域.基于该方法,计算了国产静态存储器和现场可编程门阵列(FPGA)存储区的单粒子效应的截...

    王晓晗 郭红霞... 《物理学报》 2014年19期 期刊

    关键词: 蒙特卡罗 / 单粒子翻转 / 器件仿真 / LET值

    下载(228)| 被引(5)

    石墨烯基超级电容器的发展现状与战略研究  CNKI文献

    超级电容器兼具普通电容器和化学电池的优点,具有功率密度高、可快速充放电、循环寿命长等显著优势。电极材料是发展具有优异性能超级电容器的关键材料。石墨烯凭借其优异的力学、电学、热学等性能成为超级电容器理想...

    陈静 郭红霞... 《中国工程科学》 2018年06期 期刊

    关键词: 石墨烯 / 超级电容器 / 电极材料 / 功率密度

    下载(494)| 被引(1)

    不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿...  CNKI文献

    针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响.分析比较不同偏置下重离子入射器件后,各端口电流瞬变峰值和电...

    张晋新 贺朝会... 《物理学报》 2014年24期 期刊

    关键词: 锗硅异质结双极晶体管 / 不同偏置 / 单粒子效应 / 三维数值仿真

    下载(148)| 被引(4)

    纳米器件空间辐射效应机理和模拟试验技术研究进展  CNKI文献

    电子器件空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素之一,一直是国际上抗辐射加固技术领域研究的热点和难点.高可靠、高集成度、高性能、低功耗、低成本是未来新一代先进电子系统发展的必然要求,采用更高性...

    陈伟 刘杰... 《科学通报》 2018年13期 期刊

    关键词: 纳米器件 / 空间辐射效应 / 抗辐射加固 / 模拟试验

    下载(223)| 被引(3)

    重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维...  CNKI文献

    针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBTs),采用半导体器件模拟工具,建立SiGeHBT单粒子效应三维损伤模型,研究影响SiGeHBT单粒子效应电荷收集的关键因素.分析比较重离子在不同位置入射器件时,各电极的电流变化和感生电...

    张晋新 郭红霞... 《物理学报》 2013年04期 期刊

    关键词: 锗硅异质结双极晶体管 / 单粒子效应 / 电荷收集 / 三维数值仿真

    下载(221)| 被引(7)

    纳米静态随机存储器低能质子单粒子翻转敏感性研究  CNKI文献

    针对65,90,250 nm三种不同特征尺寸的静态随机存储器基于国内和国外质子加速器试验平台,获取了从低能到高能完整的质子单粒子翻转截面曲线.试验结果表明,对于纳米器件1 MeV以下低能质子所引起的单粒子翻转截面比高能质...

    罗尹虹 张凤祁... 《物理学报》 2016年06期 期刊

    关键词: 低能质子 / 纳米静态随机存储器 / 单粒子翻转 / 直接电离

    下载(94)| 被引(6)

    累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究  CNKI文献

    本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究...

    肖尧 郭红霞... 《物理学报》 2014年01期 期刊

    关键词: 累积剂量 / 单粒子效应 / 静态随机存储器 / 反印记效应

    下载(173)| 被引(5)

    锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真  CNKI文献

    本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的Si Ge HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪集电极对Si Ge HB...

    李培 郭红霞... 《物理学报》 2015年11期 期刊

    关键词: 锗硅异质结双极晶体管 / 单粒子效应 / 加固设计 / 伪集电极

    下载(164)| 被引(3)

    累积辐照影响静态随机存储器单粒子翻转敏感性的仿真研究  CNKI文献

    基于解析分析对比了大尺寸与深亚微米尺度下静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)单元单粒子翻转敏感性的表征值及引入累积辐照后的变化趋势.同时借助仿真模拟计算了0.18μm工艺对应的六管SRAM单元在...

    丁李利 郭红霞... 《物理学报》 2013年18期 期刊

    关键词: 累积辐照 / 单粒子翻转 / 静态随机存储器 / 器件仿真

    下载(113)| 被引(4)

    静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟  CNKI文献

    针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子...

    张科营 郭红霞... 《物理学报》 2009年12期 期刊

    关键词: 三维数值模拟 / 单粒子翻转 / 微束 / 宽束

    下载(330)| 被引(15)

    亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究  CNKI文献

    利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35~0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线...

    郭红霞 罗尹虹... 《原子能科学技术》 2010年12期 期刊

    关键词: 静态随机存储器 / 多位翻转 / 重离子加速器

    下载(253)| 被引(20)

    纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究  CNKI文献

    器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随...

    罗尹虹 张凤祁... 《物理学报》 2015年21期 期刊

    关键词: 质子 / 纳米随机静态存储器 / 单粒子多位翻转 / 角度效应

    下载(93)| 被引(2)

    质子与金属布线层核反应对微纳级静态随机存储器单粒子效应...  CNKI文献

    金属布线层对微纳级静态随机存储器(static random access memory,SRAM)质子单粒子效应敏感性的影响值得关注.利用Geant4针对不同能量(30 MeV,100 MeV,200 MeV和500 MeV)的质子与微纳级SRAM器件的核反应过程开展计算,...

    赵雯 郭晓强... 《物理学报》 2015年17期 期刊

    关键词: 质子 / 核反应 / 微纳级静态随机存储器 / 单粒子效应

    下载(111)| 被引(2)

    质子和中子在硅中位移损伤等效性计算  CNKI文献

    基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟...

    王园明 郭晓强... 《强激光与粒子束》 2013年07期 期刊

    关键词: 中子 / 质子 / / 反冲原子

    下载(202)| 被引(7)

    静态单粒子翻转截面的获取及分类  CNKI文献

    为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对...

    姚志斌 范如玉... 《强激光与粒子束》 2011年03期 期刊

    关键词: FPGA / 辐照效应 / 单粒子效应 / 单粒子翻转

    下载(241)| 被引(10)

    SRAM单元中子单粒子翻转效应的Geant4模拟  CNKI文献

    应用Geant4工具,构造了不同特征尺寸的SRAM单元几何模型及单粒子翻转截面计算模型,分析了敏感体积和临界电荷对低能中子单粒子翻转效应的影响趋势,计算了反应堆裂变中子谱辐射环境下,不同特征尺寸SRAM的中子单粒子翻转...

    郭晓强 郭红霞... 《原子能科学技术》 2010年03期 期刊

    关键词: 中子 / 单粒子翻转 / Geant4 / 特征尺寸

    下载(421)| 被引(11)

    新型微电子技术单粒子效应研究面临的挑战  CNKI文献

    随着器件特征尺寸的减小,单粒子效应成为影响CMOS工艺空间辐射环境可靠性的关键因素之一。未来航天和国防系统需要了解新型工艺中的单粒子效应损伤机制及其加固方法,包括在器件几何尺寸和材料方面的改变如何影响到能量...

    郭红霞 王伟... 《核技术》 2010年07期 期刊

    关键词: 单粒子瞬态 / 软错误率 / 单粒子功能中断

    下载(367)| 被引(10)

    纳米DDR SRAM器件重离子单粒子效应试验研究  CNKI文献

    针对90nm和65nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可...

    罗尹虹 张凤祁... 《强激光与粒子束》 2013年10期 期刊

    关键词: 纳米SRAM / 单粒子效应 / 多位翻转 / 测试图形

    下载(103)| 被引(8)

    ~(252)Cf源和重离子加速器对FPGA的单粒子效应  CNKI文献

    对10万门基于静态随机存储器的现场可编程门阵列(FPGA)分别在锎-252(252 Cf)源和HI-13串列加速器下进行了单粒子效应试验研究,测试了静态单粒子翻转截面及发生单粒子闩锁的线性能量转移阈值,并对试验结果进行了等效性...

    范雪 李平... 《强激光与粒子束》 2011年08期 期刊

    关键词: 现场可编程门阵列 / 单粒子效应 / 252Cf源 / 重离子加速器

    下载(182)| 被引(11)

    锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟  CNKI文献

    对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分...

    张晋新 郭红霞... 《强激光与粒子束》 2013年09期 期刊

    关键词: 锗硅异质结双极晶体管 / 单粒子效应 / 激光微束 / 电荷收集

    下载(124)| 被引(8)

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