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    CNKI为你找到相关结果

    双极线性稳压器电离辐射剂量率效应及其损伤分析  CNKI文献

    为了对双极线性稳压器在电离辐射环境下损伤变化特征及其剂量率效应进行研究,选择一组器件进行60Coγ高低剂量率的辐照和退火试验.结果表明线性稳压器的输出电压、最大负载电流、线性调整率、压降电压等多个关键参数都...

    王义元 陆妩... 《物理学报》 2011年09期 期刊

    关键词: 双极线性稳压器 / 总剂量效应 / 剂量率效应 / 辐射损伤

    下载(248)| 被引(19)

    栅控横向PNP双极晶体管基极电流峰值展宽效应及电荷分离研究  CNKI文献

    为了对双极器件在电离辐射环境下的损伤机理及加固技术进行深入的研究,对设计制作的不同工艺类型的栅控横向PNP双极晶体管进行了60Co-γ低剂量率辐照试验.结果表明:1)栅控双极晶体管的辐射特性具有很强的工艺相关性,钝...

    马武英 王志宽... 《物理学报》 2014年11期 期刊

    关键词: 栅控双极PNP晶体管 / 60Coγ辐照 / 辐射损伤

    下载(153)| 被引(6)

    串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性  CNKI文献

    对一款商用串口I2C型铁电存储器进行了60Coγ辐射和退火实验,研究了铁电存储器的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的DC,AC,功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化...

    张兴尧 郭旗... 《物理学报》 2013年15期 期刊

    关键词: 铁电存储器 / 总剂量辐射 / 退火特性

    下载(152)| 被引(12)

    0.18μm窄沟NMOS晶体管总剂量效应研究  CNKI文献

    为明确深亚微米NMOS器件抗辐照能力以及研究其加固措施,本文对0.18μm窄沟NMOS晶体管进行了60Coγ总剂量辐射效应研究.结果表明:和宽沟器件不同,阈值电压、跨导、漏源电导对总剂量辐照敏感,此现象被称之为辐射感生窄沟...

    吴雪 陆妩... 《物理学报》 2013年13期 期刊

    关键词: 0.18μm / 窄沟NMOS晶体管 / 60Coγ辐照 / 辐射感生窄沟道效应

    下载(160)| 被引(6)

    电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性  CNKI文献

    本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,12...

    姜柯 陆妩... 《物理学报》 2015年13期 期刊

    关键词: NPN输入双极运算放大器 / 电子辐射 / 辐射效应 / 退火

    下载(95)| 被引(4)

    不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性  CNKI文献

    影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有...

    郑玉展 陆妩... 《物理学报》 2009年08期 期刊

    关键词: 发射极面积 / 国产npn晶体管 / 剂量率 / 辐射损伤

    下载(226)| 被引(40)

    双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析  CNKI文献

    为了对双极电压比较器在电离辐射环境下的损伤变化特征及其剂量率效应进行研究,选择一组器件,在不同偏置条件下进行60Coγ高低剂量率的辐照和退火试验.结果表明:电压比较器的电源电流、偏置电流及失调电压等多个关键参...

    马武英 陆妩... 《物理学报》 2014年02期 期刊

    关键词: 双极电压比较器 / 60Coγ辐照 / 剂量率效应 / 辐射损伤

    下载(134)| 被引(3)

    栅控横向PNP双极晶体管辐照感生电荷的定量分离  CNKI文献

    设计并制作了一种栅控横向PNP双极晶体管测试结构,在常规横向PNP双极晶体管基区表面氧化层上制作了一栅电极,利用栅扫描法,通过扫描栅极所加电压,获得了基极电流随栅极电压的变化特性.理论推导和数学计算获得了氧化物...

    席善斌 陆妩... 《物理学报》 2012年23期 期刊

    关键词: 栅扫描法 / 栅控 / 横向PNP双极晶体管 / 电荷分离

    下载(134)| 被引(6)

    PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特...  CNKI文献

    研究了PNP输入双极运算放大器LM837在1MeV电子和60Coγ源两种不同辐射环境中的响应特性和变化规律.分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失...

    胡天乐 陆妩... 《物理学报》 2013年07期 期刊

    关键词: PNP输入双极运算放大器 / 电子和60Coγ源 / 偏置条件 / 退火

    下载(111)| 被引(6)

    工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响  CNKI文献

    对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同以及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下进行辐射效应和退火特性研究。结果表明:晶体管类型不同,对高低剂量率的辐照响应也相异;不同...

    陆妩 郑玉展... 《原子能科学技术》 2010年01期 期刊

    关键词: 双极晶体管 / 60Coγ辐照 / 剂量率效应 / 发射极面积

    下载(252)| 被引(22)

    中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷  CNKI文献

    设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中...

    席善斌 陆妩... 《物理学报》 2012年07期 期刊

    关键词: 中带电压法 / 栅控 / 横向pnp双极晶体管 / 电荷分离

    下载(158)| 被引(6)

    深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量...  CNKI文献

    为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的NMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线源下的总剂量试验研究.发现:1)CMOS工艺中固...

    王信 陆妩... 《物理学报》 2014年22期 期刊

    双极电压比较器低剂量率辐照损伤增强效应的变温辐照加速评...  CNKI文献

    对3款同种型号不同公司生产的双极电压比较器进行了高、低剂量率及变温辐照的60 Coγ辐照实验。结果表明:偏置电流和电源电流为双极电压比较器辐射敏感参数,失调电压仅在工作偏置条件下为辐射敏感参数;由于工艺不同,不...

    马武英 陆妩... 《原子能科学技术》 2014年11期 期刊

    关键词: 双极电压比较器 / 60 / Coγ辐照 / 低剂量率

    下载(113)| 被引(12)

    X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究  CNKI文献

    本文以光子与物质的相互作用机制为基础,论述了剂量增强效应的基本原理。用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布,通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,计算了不同厚度的金在金硅界...

    吴正新 何承发... 《核技术》 2013年06期 期刊

    关键词: 蒙特卡罗方法 / 剂量增强因子 / 界面 / 能量沉积

    下载(148)| 被引(13)

    双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究  CNKI文献

    对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比...

    任迪远 陆妩... 《固体电子学研究与进展》 2006年04期 期刊

    关键词: 双极晶体管 / 双极运算放大器 / 60Co辐照 / 剂量率效应

    下载(249)| 被引(24)

    双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方...  CNKI文献

    介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损...

    陆妩 任迪远... 《原子能科学技术》 2009年09期 期刊

    典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估  CNKI文献

    采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估...

    李小龙 陆妩... 《物理学报》 2018年09期 期刊

    关键词: 双极模拟电路 / 低剂量率辐照损伤增强效应 / 加速评估方法

    下载(98)| 被引(1)

    双极晶体管的低剂量率电离辐射效应  CNKI文献

    通过对 npn管和 pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验 ,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应 .结果表明 ,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著 ,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷...

    张华林 陆妩... 《半导体学报》 2004年12期 期刊

    关键词: 低剂量率 / 电离辐射 / 双极晶体管 / 空间电荷

    下载(248)| 被引(30)

    体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响  CNKI文献

    研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon-on-insulator)器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,辐照130nm PD(部分耗尽,partially depleted) SOI NMOSFET(N型金属-氧化物半导体场效应晶体管,n-type Metal-Oxide...

    席善学 陆妩... 《电子学报》 2019年05期 期刊

    关键词: 总剂量效应 / 绝缘体上硅 / 体效应 / 浅沟槽隔离

    下载(52)| 被引(0)

    运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应  CNKI文献

    对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET Bi,MOS Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电...

    陆妩 任迪远... 《半导体学报》 2005年07期 期刊

    关键词: 运算放大器 / 60Coγ辐照 / 退火 / 剂量率效应

    下载(233)| 被引(18)

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