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    CNKI为你找到相关结果

    纳米器件空间辐射效应机理和模拟试验技术研究进展  CNKI文献

    电子器件空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素之一,一直是国际上抗辐射加固技术领域研究的热点和难点.高可靠、高集成度、高性能、低功耗、低成本是未来新一代先进电子系统发展的必然要求,采用更高性...

    陈伟 刘杰... 《科学通报》 2018年13期 期刊

    关键词: 纳米器件 / 空间辐射效应 / 抗辐射加固 / 模拟试验

    下载(223)| 被引(3)

    累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究  CNKI文献

    本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究...

    肖尧 郭红霞... 《物理学报》 2014年01期 期刊

    关键词: 累积剂量 / 单粒子效应 / 静态随机存储器 / 反印记效应

    下载(173)| 被引(5)

    纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究  CNKI文献

    器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随...

    罗尹虹 张凤祁... 《物理学报》 2015年21期 期刊

    关键词: 质子 / 纳米随机静态存储器 / 单粒子多位翻转 / 角度效应

    下载(93)| 被引(2)

    质子与金属布线层核反应对微纳级静态随机存储器单粒子效应...  CNKI文献

    金属布线层对微纳级静态随机存储器(static random access memory,SRAM)质子单粒子效应敏感性的影响值得关注.利用Geant4针对不同能量(30 MeV,100 MeV,200 MeV和500 MeV)的质子与微纳级SRAM器件的核反应过程开展计算,...

    赵雯 郭晓强... 《物理学报》 2015年17期 期刊

    关键词: 质子 / 核反应 / 微纳级静态随机存储器 / 单粒子效应

    下载(111)| 被引(2)

    质子和中子在硅中位移损伤等效性计算  CNKI文献

    基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟...

    王园明 郭晓强... 《强激光与粒子束》 2013年07期 期刊

    关键词: 中子 / 质子 / / 反冲原子

    下载(202)| 被引(7)

    新型微电子技术单粒子效应研究面临的挑战  CNKI文献

    随着器件特征尺寸的减小,单粒子效应成为影响CMOS工艺空间辐射环境可靠性的关键因素之一。未来航天和国防系统需要了解新型工艺中的单粒子效应损伤机制及其加固方法,包括在器件几何尺寸和材料方面的改变如何影响到能量...

    郭红霞 王伟... 《核技术》 2010年07期 期刊

    关键词: 单粒子瞬态 / 软错误率 / 单粒子功能中断

    下载(367)| 被引(10)

    Synergistic effects of total ionizing dose on single e...  CNKI文献

    Synergistic effects of the total ionizing dose(TID) on the single event upset(SEU) sensitivity in static random access memories(SRAMs) were studied by using protons. The total dose was cumulated with...

    肖尧 郭红霞... 《Chinese Physics B》 2014年11期 期刊

    关键词: single / event / upset / total

    下载(43)| 被引(2)

    Single event effect in a ferroelectric-gate field-effe...  CNKI文献

    The single event effect in ferroelectric-gate field-effect transistor(FeFET) under heavy ion irradiation is investigated in this paper. The simulation results show that the transient responses are mu...

    燕少安 唐明华... 《Chinese Physics B》 2014年04期 期刊

    关键词: single / event / effect / heavy

    下载(55)| 被引(2)

    Flash型FPGA的单粒子效应测试系统研制  CNKI文献

    研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时钟网络单粒子瞬态效应测试、单粒子瞬态脉冲宽度测试等功能。本文介绍了该系统的测试原...

    王忠明 闫逸华... 《原子能科学技术》 2015年12期 期刊

    关键词: 单粒子效应 / Flash型FPGA / 单粒子瞬态

    下载(97)| 被引(3)

    纳米SRAM寄生双极晶体管效应的仿真研究  CNKI文献

    以65nm双阱CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的SRAM(Static Random Access Memory)为研究对象,采用三维数值模拟方法,结合SRAM中晶体管布局和邻近SRAM的相对位置,对寄生双极晶体管效应致纳米SRAM内...

    赵雯 郭晓强... 《电子学报》 2018年10期 期刊

    关键词: 寄生双极晶体管效应 / 单粒子多位翻转 / 纳米SRAM

    下载(38)| 被引(0)

    质子核反应二次粒子引起的静态存储器单粒子翻转截面计算  CNKI文献

    研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面和多位翻转截面...

    王园明 陈伟... 《原子能科学技术》 2010年12期 期刊

    关键词: 质子 / 有效体积 / 单粒子翻转截面 / 多位翻转截面

    下载(173)| 被引(6)

    铁电存储器激光微束单粒子效应试验研究  CNKI文献

    利用脉冲激光微束单粒子效应(SEE)模拟装置,研究了铁电存储器(FRAM)工作频率对其单粒子翻转(SEU)的影响。研究结果表明,随工作频率的降低,被测器件SEU截面显著增大,且翻转是由外围电路引发的。被测芯片1→0翻转截面明...

    魏佳男 郭红霞... 《原子能科学技术》 2017年05期 期刊

    关键词: 铁电存储器 / 单粒子效应 / 激光微束 / 工作频率

    下载(101)| 被引(0)

    新型微电子技术电离辐射总剂量效应面临的挑战  CNKI文献

    随着器件特征尺寸的不断减小,在器件结构和工艺上采取了新的措施。分析了STI(shallo★trench isolation)隔离导致器件电离辐射总剂量效应的损伤机理;对不同工艺集成电路的抗总剂量TII(Total Ionizing Dose)能力进行了...

    郭红霞 王伟... 《核电子学与探测技术》 2011年01期 期刊

    关键词: 浅槽隔离 / 总剂量效应 / 微剂量效应

    下载(276)| 被引(3)

    运算放大器总剂量效应的PSPICE模拟计算  CNKI文献

    对双极及体硅CMOS工艺的单一和复合运算放大器的总剂量效应进行了PSPICE模拟计算,模拟通过改变运算放大器总剂量效应的敏感参数来实现,双极运算放大器的敏感参数是补偿电容和晶体管的电流放大倍数,CMOS型运算放大器的...

    赵雯 郭红霞... 《核电子学与探测技术》 2010年10期 期刊

    关键词: 总辐射剂量效应 / 运算放大器 / PSPICE

    下载(193)| 被引(4)

    脉宽调制器单粒子效应测试系统研制  CNKI文献

    本文在分析脉宽调制器(PWM)单粒子效应主要失效模式的基础上,研制了具备频率异常测试、占空比异常测试和参考电压测试功能的PWM单粒子效应测试系统,并在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上开展了单粒子效应试验。...

    赵雯 郭红霞... 《原子能科学技术》 2014年S1期 期刊

    关键词: 脉宽调制器 / 单粒子效应 / 测试系统

    下载(52)| 被引(2)

    Pattern dependence in synergistic effects of total dos...  CNKI文献

    The pattern dependence in synergistic effects was studied in a 0.18 μm static random access memory(SRAM) circuit.Experiments were performed under two SEU test environments:3 Me V protons and heavy i...

    郭红霞 丁李利... 《Chinese Physics B》 2016年09期 期刊

    关键词: pattern / dependence / total / dose

    下载(12)| 被引(1)

    Impact of neutron-induced displacement damage on the s...  CNKI文献

    Since the displacement damage induced by the neutron irradiation prior has negligible impact on the performance of the bulk CMOS SRAM, we use the neutron irradiation to degrade the minority carrier l...

    潘霄宇 郭红霞... 《Chinese Physics B》 2017年01期 期刊

    关键词: displacement / damage / neutron / irradiation

    下载(26)| 被引(0)

    Impacts of test factors on heavy ion single event mult...  CNKI文献

    Single event multiple-cell upsets(MCU) increase sharply with the semiconductor devices scaling. The impacts of several test factors on heavy ion single event MCU in 65 nm SRAM are studied based on th...

    罗尹虹 张凤祁... 《Journal of Semiconductors》 2015年11期 期刊

    关键词: multiple-cell / upsets / nanometer-scale / SRAM

    下载(27)| 被引(1)

    锁相环单粒子瞬态效应的电路级仿真  CNKI文献

    对130 nm工艺电荷泵锁相环(PLL,phase-locked loop)开展单粒子瞬态(SET,single event transient)的电路级仿真,根据输出端信号的最大错误脉冲和最大相移寻找SET最敏感节点。结果表明,电荷泵输出级的晶体管对SET最敏感...

    赵雯 郭红霞... 《核技术》 2011年05期 期刊

    关键词: 锁相环 / 单粒子瞬态 / 电荷泵

    下载(116)| 被引(1)

    Experimental study on the single event effects in puls...  CNKI文献

    This paper presents single event effect(SEE) characteristics of UC1845 AJ pulse width modulators(PWMs) by laser testing. In combination with analysis to map PWM circuitry in the microchip dies, the t...

    赵雯 郭晓强... 《Journal of Semiconductors》 2015年11期 期刊

    关键词: laser / simulation / pulse / width

    下载(26)| 被引(0)

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