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    硼掺杂金刚石薄膜同质外延生长及肖特基势垒二极管制备  CNKI文献

    采用微波等离子体气相沉积(MPCVD)在商用3mm×3mm×1 mm高温高压合成(HPHT)Ib型(100)金刚石衬底上同质外延生长B掺杂金刚石薄膜,并在此材料的基础上用磁控溅射和电子束蒸镀技术制备了不同结构参数金刚石肖特基...

    王进军 王晓亮... 《光学学报》 2016年07期 期刊

    关键词: 材料 / 金刚石薄膜 / 微波等离子体化学气相沉积 / 肖特基势垒二极管

    下载(195)| 被引(3)

    金属有机物化学气相沉积生长GaN薄膜的室温热电特性研究  CNKI文献

    采用金属有机物化学气相沉积技术生长了不同掺杂浓度的Ga N薄膜,并且通过霍尔效应测试和塞贝克效应测试,表征了室温下Ga N薄膜的载流子浓度、迁移率和塞贝克系数.在实验测试的基础上,计算了Ga N薄膜的热电功率因子,并...

    王保柱 张秀清... 《物理学报》 2015年04期 期刊

    关键词: Ga / N薄膜 / 热电性质

    下载(120)| 被引(5)

    高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展  CNKI文献

    作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视。概述了基于AlGaN/GaN HEMT结构的新型高压、高频、低损耗电力开关器件的最新研究进展。从器件的结构特征入手,详细介绍了...

    张明兰 杨瑞霞... 《半导体技术》 2010年05期 期刊

    AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器  CNKI文献

    通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于...

    王新华 王晓亮... 《半导体学报》 2008年01期 期刊

    关键词: GaN / 气体传感器 / 肖特基二极管

    下载(364)| 被引(14)

    基于云端的口袋式人体脉搏诊断仪  CNKI文献

    脉搏波所呈现出的形态、强度、速率和节律等方面的综合信息,反映了人体心血管系统的众多生理病理信息。现代医学通过脉搏波获取心血管动力学参数,我国传统医学通过脉搏诊断人体各个器官、经络的健康状况。本系统采用科...

    姜韵慧 唐健... 《电子测量技术》 2017年07期 期刊

    关键词: 光电容积脉搏波 / 口袋实验室 / 云诊断 / 12值

    下载(69)| 被引(1)

    场板结终端对金刚石SBD内部电场分布及击穿特性的影响  CNKI文献

    建立了场板结终端对金刚石肖特基势垒二极管(SBD)的数值模拟模型,采用Silvaco软件中的器件仿真工具ATLAS模拟了场板长度L、绝缘层厚度TOX、衬底掺杂浓度NB、场板结构形状对器件内部电场分布以及击穿电压的影响,并对结...

    王进军 王晓亮... 《发光学报》 2016年04期 期刊

    关键词: 场板结终端 / 金刚石SBD / 电场分布 / 击穿电压

    下载(79)| 被引(2)

    HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征  CNKI文献

    使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在c面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相外延(HVPE)方法选区外延GaN薄膜.采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜...

    林郭强 曾一平... 《半导体学报》 2008年03期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 选区外延 / 氢化物气相外延

    下载(398)| 被引(9)

    MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究  CNKI文献

    用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到 5×1017cm-3以上,电阻...

    冉军学 王晓亮... 《半导体学报》 2005年03期 期刊

    关键词: MOCVD / Mg掺杂 / 退火 / p-GaN

    下载(363)| 被引(14)

    High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a...  CNKI文献

    A homemade 7×2 inch MOCVD system is presented.With this system,high quality GaN epitaxial layers,InGaN/GaN multi-quantum wells and blue LED structural epitaxial layers have been successfully gro...

    殷海波 王晓亮... 《半导体学报》 2011年03期 期刊

    关键词: MOCVD / GaN / InGaN/GaN / MQWs

    下载(245)| 被引(8)

    AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟  CNKI文献

    用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响。模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,降低了栅边缘处的电场峰值,改善了器件的击穿特性;场板长度(LFP,length of field plat...

    张明兰 王晓亮... 《半导体技术》 2010年09期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / 场板 / 电场峰值 / 击穿电压

    下载(424)| 被引(5)

    微波功率器件的扇形线测试电路(英文)  CNKI文献

    在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了两种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具在3~8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果都表明,...

    罗卫军 陈晓娟... 《半导体学报》 2006年09期 期刊

    关键词: 扇形线 / 测试电路 / 氮化镓 / 高电子迁移率晶体管

    下载(253)| 被引(9)

    高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制  CNKI文献

    报道了基于蓝宝石衬底的高性能 1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件 .为了提高微波功率器件性能 ,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案 .测试表明 ,器件电流密度为 0 784A/mm ,跨导 197mS/mm ,击穿电压大于 4 0V ,截止态漏电较...

    邵刚 刘新宇... 《半导体学报》 2005年01期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / HEMT / 微波功率 / 单位截止频率

    下载(188)| 被引(15)

    基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计(...  CNKI文献

    研制了一种基于Al GaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到...

    姚小江 李宾... 《半导体学报》 2007年04期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / HEMT / 功率合成器 / 混合集成电路

    下载(216)| 被引(12)

    Flow Field and Temperature Field in GaN-MOCVD Reactor ...  CNKI文献

    Metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) growth systems are one of the main types of equipment used for growing single crystal materials, such as GaN. To obtain film epitaxial materials with un...

    梅书哲 王权... 《Chinese Physics Letters》 2018年09期 期刊

    关键词: MOCVD / Flow / Field / and

    下载(70)| 被引(1)

    MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结...  CNKI文献

    用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm2/(V.s),相应二维电子气浓度为1.03×1013cm-...

    王晓亮 胡国新... 《半导体学报》 2006年09期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / 高电子迁移率管 / MOCVD / 功率器件

    下载(326)| 被引(6)

    输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件(英文...  CNKI文献

    用MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/GaNHEMT材料.高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm2/(V·s),相应背景电子浓度为1.52×1016cm-3;非有意掺杂高阻GaN缓冲层的室温电阻率超过10...

    王晓亮 刘新宇... 《半导体学报》 2005年10期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / 高电子迁移率晶体管 / MOCVD / 功率器件

    下载(173)| 被引(9)

    Theoretical investigation of efficiency of a p-a-SiC:H...  CNKI文献

    A solar cell with a novel structure is investigated by means of the analysis of microelectronic and photonic structure(AMPS).The power conversion efficiency is investigated with the variations in int...

    邓庆文 王晓亮... 《半导体学报》 2010年10期 期刊

    关键词: solar / cell / simulation / efficiency

    下载(129)| 被引(6)

    RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料  CNKI文献

    用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF- MBE)在 C面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料 .所外延的 Ga N膜室温背景电子浓度为 2× 10 1 7cm- 3 ,相应的电子迁移率为 177...

    孙殿照 胡国新... 《半导体学报》 2001年11期 期刊

    关键词: RF-MBE / 二维电子气 / HFET / AlGaN/GaN

    下载(126)| 被引(25)

    射频分子束外延生长AlInGaN四元合金  CNKI文献

    利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测.通过...

    王保柱 王晓亮 《无机材料学报》 2009年03期 期刊

    关键词: 铝铟镓氮 / 分子束外延 / 结构特性 / 光学特性

    下载(135)| 被引(7)

    分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性  CNKI文献

    采用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上,外延生长了发光波长位于407nm的InGaN量子点结构,研究了InN成核层技术对其结构和光学特性的影响。材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位...

    王保柱 颜翠英... 《稀有金属材料与工程》 2011年11期 期刊

    关键词: 铟镓氮 / 量子点 / 分子束外延

    下载(218)| 被引(3)

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