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    170keV质子辐照对多壁碳纳米管薄膜微观结构与导电性能的影...  CNKI文献

    碳纳米管具有优异的导电性,是未来电子元器件的理想候选材料,应用前景广阔.针对碳纳米管在空间电子元器件的应用需求,本文研究了170keV质子辐照对多壁碳纳米管薄膜微观结构与导电性能的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、...

    杨剑群 李兴冀... 《物理学报》 2015年13期 期刊

    关键词: 碳纳米管 / 质子辐照 / 辐照效应 / 导电性

    下载(260)| 被引(4)

    偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究  CNKI文献

    本文采用低能电子辐照源对NPN及PNP晶体管进行辐照试验.在辐照试验过程中,针对NPN及PNP晶体管发射结施加不同的偏置条件,研究偏置条件对NPN及PNP晶体管辐射损伤的影响.使用Keithley4200-SCS半导体特性测试仪在原位条件...

    李兴冀 兰慕杰... 《物理学报》 2013年09期 期刊

    关键词: 双极晶体管 / 低能电子 / 电离辐射

    下载(225)| 被引(8)

    双极晶体管辐射损伤效应及深能级缺陷研究  CNKI文献

    本文以双极晶体管为研究对象,通过辐照源特点及模拟计算分析,选取电子、质子、Co-60射线及重离子作为辐照源,研究了双极晶体管电离效应、位移效应及其协合效应的特点和电性能退化规律。基于双极晶体管辐射效应和电...

    刘超铭 导师:耿洪滨 哈尔滨工业大学 2013-04-01 博士论文

    关键词: 双极晶体管 / 电离辐射损伤 / 位移辐射损伤 / 电离/位移协合辐射损伤

    下载(793)| 被引(11)

    电子辐照LDPE/MWCNTs复合材料的熔融与结晶行为  CNKI文献

    电子是空间带电粒子辐射环境的重要组成部分,会对航天用微电子器件产生严重的辐射损伤.因此,对电子器件进行有效的辐射防护至关重要,迫切需要一种轻质、高性能和低成本的辐射防护材料.富氢的聚乙烯(PE)/碳纳米管(CNTs...

    马国亮 李兴冀... 《物理学报》 2016年20期 期刊

    关键词: 纳米复合材料 / 电子辐照 / 辐照效应 / 热稳定性

    下载(105)| 被引(2)

    温度和应变速率耦合作用下纳米晶Ni压缩行为研究  CNKI文献

    本文利用低温力学测试系统研究了电化学沉积纳米晶Ni在不同温度和宽应变速率条件下的压缩行为.借助应变速率敏感指数、激活体积、扫描电子显微镜及高分辨透射电子显微镜方法,对纳米晶Ni的压缩塑性变形机理进行了表征....

    杨剑群 马国亮... 《物理学报》 2015年13期 期刊

    关键词: 塑性变形 / 强度 / 位错 / 应变速率

    下载(108)| 被引(2)

    高功率窄谱宽1915 nm掺铥光纤激光器研究  CNKI文献

    开展了1915 nm高功率、高效率、窄谱宽输出的掺铥光纤激光器(TDFL)研究。基于全光纤主振荡功率放大(MOPA)结构,采用40 W的793 nm半导体激光器泵浦纤芯直径25μm的双包层大模场面积(LMA)掺铥光纤,获得了最高功率12.1 W...

    张伟 吴闻迪... 《红外与激光工程》 2018年05期 期刊

    关键词: 掺铥光纤激光器 / 主振荡功率放大 / 1915 / nm

    下载(171)| 被引(1)

    电子辐照聚乙烯/碳纳米管拉伸变形机理  CNKI文献

    利用X射线散射对纯聚合物材料,包括聚乙烯拉伸行为及变形机理的研究与日俱增.本文选择低密度聚乙烯/多壁碳纳米管(LDPE/2%MWCNTs)复合材料为实验材料,基于同步辐射小角散射的测试平台,对电子辐照的LDPE/MWCNTs复合材料...

    马国亮 杨剑群... 《物理学报》 2016年17期 期刊

    关键词: 纳米复合材料 / 电子辐照 / 同步辐射 / 拉伸行为

    下载(112)| 被引(1)

    不同粒子辐射条件下CC4013器件辐射损伤研究  CNKI文献

    本文采用60MeV Br离子、5MeV质子和1MeV电子等三种辐射源,针对CC4013型互补金属氧化物半导体器件(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)进行辐射损伤研究.通过Geant4程序计算了该器件电离辐射吸收剂量与芯片...

    李兴冀 刘超铭... 《物理学报》 2013年05期 期刊

    关键词: CMOS器件 / 高能带电粒子 / 电离辐射 / 辐射损伤

    下载(184)| 被引(1)

    晶粒尺寸对1 MeV电子在金属Ni中能量沉积的影响  CNKI文献

    采用脉冲电沉积方法制备出高致密、高质量的纳米晶Ni,并对其密度、组织成分和微观结构进行了表征.利用高能粒子加速器产生的1 MeV高能电子为辐照源,研究高能电子在纳米晶Ni和常规粗晶Ni中的能量损失.通过辐照过程中放...

    马国亮 李兴冀... 《物理学报》 2013年09期 期刊

    关键词: 高能电子 / 纳米金属 / 辐射损伤

    下载(109)| 被引(1)

    Si_3N_4钝化层对横向PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响机理  CNKI文献

    航天器中电子器件在轨服役期间,会遭受到空间带电粒子及各种射线的辐射环境的显著影响,易于造成电离辐射损伤.本文采用60Coγ射线辐照源,针对有/无Si_3N_4钝化层结构的横向PNP型(LPNP)双极晶体管,开展了电离辐射损伤效...

    杨剑群 董磊... 《物理学报》 2018年16期 期刊

    关键词: 双极晶体管 / 电离辐射 / 钝化 / 辐射机理

    下载(76)| 被引(1)

    Effect of ionizing radiation on dual 8-bit analog-to-d...  CNKI文献

    The radiation effects on several properties (reference voltage, digital output logic voltage, and supply current) of dual 8-bit analog-to-digital (A/D) converters (AD9058) under various biased condit...

    李兴冀 刘超铭... 《Chinese Physics B》 2013年09期 期刊

    关键词: analog-to-digital / converters / enhanced / low

    下载(74)| 被引(1)

    Incident particle range dependence of radiation damage...  CNKI文献

    The characteristic degradations in silicon NPN bipolar junction transistors(BJTs) of type 3DD155 are examined under the irradiations of 25-MeV carbon(C),40-MeV silicon(Si),and 40-MeV chlorine(Cl) ion...

    刘超铭 李兴冀... 《Chinese Physics B》 2012年10期 期刊

    关键词: radiation / effects / ionization / damage

    下载(52)| 被引(5)

    Electron irradiation-induced change of structure and d...  CNKI文献

    Owing to their unique structure and excellent electrical property, carbon nanotubes(CNTs) as an ideal candidate for making future electronic components have great application potentiality. In order t...

    杨剑群 李兴冀... 《Chinese Physics B》 2015年11期 期刊

    关键词: electron / irradiation / multi-walled / carbon

    下载(50)| 被引(0)

    Effect of bias condition on heavy ion radiation in bip...  CNKI文献

    The characteristic degradations in a silicon NPN bipolar junction transistor(BJT) of 3DG142 type are examined under irradiation with 40-MeV chlorine(Cl) ions under forward,grounded,and reverse bias c...

    刘超铭 李兴冀... 《Chinese Physics B》 2012年08期 期刊

    关键词: radiation / effects / ionization / damage

    下载(83)| 被引(3)

    偏置条件对双极晶体管位移辐射损伤的影响  CNKI文献

    选用35 MeV Si离子,针对NPN及PNP型双极晶体管(BJT)进行辐照实验,探究重离子辐照条件下双极晶体管辐射损伤及缺陷在不同发射结偏置条件下的影响规律。通过原位测试不同偏置条件的双极晶体管电流增益等参数随辐照注量的...

    刘莉 董磊... 《太赫兹科学与电子信息学报》 2017年05期 期刊

    关键词: 双极晶体管 / 重离子辐照 / 位移辐射 / 深能级缺陷

    下载(66)| 被引(1)

    氢气气氛下横向PNP晶体管电离损伤行为  CNKI文献

    无论氢在电子器件内部以何种形式(H2分子、H原子或H+离子)存在,均会对电子器件电离损伤产生作用,进而影响器件的抗辐照能力。本文深入研究了氢气和空气气氛条件下1 Me V电子辐照栅控横向PNP(GLPNP)型双极晶体管的辐射...

    李兴冀 陈朝基... 《太赫兹科学与电子信息学报》 2017年04期 期刊

    关键词: 双极晶体管 / 电离辐射 / 界面态 / 深能级瞬态谱仪

    下载(73)| 被引(2)

    CC4013集成电路电离辐射效应研究  CNKI文献

    航天器在轨服役期间受到空间高能带电粒子辐照环境的影响,会导致内部的电子元器件出现异常或失灵。空间高能带电粒子包括辐射带质子和电子、太阳宇宙线质子及银河宇宙线粒子,这些高能带电粒子会造成电子元器件的总剂量...

    刘超铭 导师:耿洪滨 哈尔滨工业大学 2009-06-01 硕士论文

    关键词: CMOS器件 / 高能带电粒子 / 电离辐射 / 辐射损伤

    下载(205)| 被引(4)

    钴源对双极性晶体管辐照损伤的参数化分析  CNKI文献

    采用Co-60辐照源对2N2222A、3CK3636、3DG3501型双极晶体管进行了辐照试验。针对不同温度和剂量率研究了钴源对双极晶体管的辐照损伤影响。试验结果表明:相同辐射吸收剂量下,低剂量率的辐照损伤程度反而更大;随着辐照...

    韩强 李兴冀... 《工业技术创新》 2017年01期 期刊

    关键词: 钴源辐照 / 辐照损伤 / 低剂量率 / 双极晶体管

    下载(73)| 被引(0)

    Radiation effects on MOS and bipolar devices by 8 MeV ...  CNKI文献

    The radiation effects of the metal-oxide-semiconductor(MOS) and the bipolar devices are characterised using 8 MeV protons,60 MeV Br ions and 1 MeV electrons.Key parameters are measured in-situ and co...

    李兴冀 耿洪滨... 《Chinese Physics B》 2010年05期 期刊

    关键词: radiation / effects / MOS / and

    下载(71)| 被引(4)

    Degradation mechanisms of current gain in NPN transist...  CNKI文献

    An investigation of ionization and displacement damage in silicon NPN bipolar junction transistors (BJTs) is presented.The transistors were irradiated separately with 90-keV electrons,3-MeV protons a...

    李兴冀 耿洪滨... 《Chinese Physics B》 2010年06期 期刊

    关键词: radiation / effects / ionization / damage

    下载(70)| 被引(2)

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