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    CNKI为你找到相关结果

    中子单粒子效应研究现状及进展  CNKI文献

    回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中...

    杨善潮 齐超... 《强激光与粒子束》 2015年11期 期刊

    关键词: 中子辐照效应 / 中子单粒子效应 / 随机静态存储器 / 低能中子

    下载(317)| 被引(8)

    0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究  CNKI文献

    利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩...

    王桂珍 林东生... 《原子能科学技术》 2014年11期 期刊

    关键词: CMOS电路 / 脉冲激光 / 剂量率翻转 / 翻转阈值

    下载(77)| 被引(8)

    敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片γ射线响应特性  CNKI文献

    敏化Li F(Mg,Ti)热释光剂量片(Li F(Mg,Ti)-M TLD)是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器。对国内4个厂家生产的敏化Li F(Mg,Ti)热释光剂量片进行了γ射线响应的一致性、重复性和线性的比较研究,测量了γ射线辐照后...

    王晨辉 陈伟... 《强激光与粒子束》 2016年02期 期刊

    关键词: 敏化Li / F(Mg / Ti) / 热释光剂量片

    下载(58)| 被引(2)

    Geant4在中子辐射效应中的应用  CNKI文献

    中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应,非电离能量沉积可用于分析位移...

    金晓明 王园明... 《原子能科学技术》 2012年S1期 期刊

    关键词: 中子辐射效应 / 电离能量沉积 / 非电离能量沉积 / 原子空位

    下载(258)| 被引(3)

    基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响  CNKI文献

    通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2&#...

    王晨辉 陈伟... 《强激光与粒子束》 2015年11期 期刊

    关键词: 基区表面势 / 栅控横向PNP晶体管 / 中子位移损伤

    下载(45)| 被引(0)

    EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较  CNKI文献

    对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4...

    王桂珍 林东生... 《微电子学》 2014年04期 期刊

    关键词: 浮栅器件 / EEPROM / SRAM / 剂量率

    下载(91)| 被引(4)

    双极型运算放大器瞬时电离辐射效应实验研究  CNKI文献

    建立了运算放大器瞬时电离辐射效应在线测试系统,选取不同带宽、不同压摆率的3种双极型运算放大器,在西北核技术研究所的"强光一号"加速器上进行了实验。结果显示,在相同剂量率下,双极运算放大器的带宽越大...

    马强 范如玉... 《原子能科学技术》 2013年06期 期刊

    关键词: 双极型运算放大器 / 压摆率 / 瞬时电离辐射效应 / 强光一号

    下载(102)| 被引(2)

    氧化物正电荷影响下半导体空间电势的近似解析解研究  CNKI文献

    建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式。从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对N(P)型硅半导体中的泊松方程作积累(耗尽)近似,根据德拜屏蔽效应对边界条件作截断近似,得到了氧化物正...

    白小燕 陈伟... 《强激光与粒子束》 2015年08期 期刊

    关键词: 电离总剂量 / 氧化物正电荷 / 空间电势 / 泊松方程

    下载(26)| 被引(0)

    Analysis of displacement damage effects on bipolar tra...  CNKI文献

    Displacement damage induced by neutron irradiation in China Spallation Neutron Source(CSNS) is studied on bipolar transistors with lateral PNP, substrate PNP, and vertical NPN configurations, respect...

    刘岩 陈伟... 《Chinese Physics B》 2019年06期 期刊

    关键词: displacement / damage / China / Spallation

    下载(7)| 被引(0)

    Predictive approach of SEU occurrence induced by neutr...  CNKI文献

    A simulation approach is developed to obtain the linear energy transfer(LET) spectrum of all secondary ions and predict single event upset(SEU) occurrence induced by neutron in memory devices. Neutro...

    金晓明 杨善潮... 《Nuclear Science and Techniques》 2015年05期 期刊

    关键词: Neutron / radiation / Memory / device

    下载(33)| 被引(0)

    EEPROM瞬时剂量率效应实验研究  CNKI文献

    对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电...

    王桂珍 齐超... 《原子能科学技术》 2014年S1期 期刊

    关键词: 浮栅器件 / EEPROM / 剂量率闩锁 / 闩锁阈值

    下载(60)| 被引(2)

    热释光剂量片γ射线响应的线性上限和重复性研究  CNKI文献

    本文利用60 Co试验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)对γ射线的线性响应上限及其重复性。结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150~200Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降,退火后再次使用灵敏度增加。试验...

    白小燕 齐超... 《原子能科学技术》 2014年02期 期刊

    关键词: LiF(Mg / Ti)-M / TLD / 线性上限

    下载(81)| 被引(2)

    商用CMOS工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验  CNKI文献

    为研究互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效应机理,对SRAM翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下SRAM翻转是单粒子翻转的叠加的假设,计算了单位翻转和伪多位翻转在总...

    齐超 杨善潮... 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年05期 期刊

    关键词: 脉冲中子 / 单粒子翻转 / 伪多位翻转 / 静态随机存储器

    下载(41)| 被引(0)

    典型双极能隙基准源的瞬时电离辐射效应分析  CNKI文献

    分析了典型双极型二管和三管能隙基准源受瞬时电离辐射后的输出响应,以及以双极能隙基准源为基本电路的集成稳压器的瞬时辐射效应,并对含典型三管能隙基准源的集成稳压器L7805芯片进行了瞬时电离辐射实验验证。实验结...

    李瑞宾 林东生... 《微电子学》 2014年05期 期刊

    关键词: 瞬时电离辐射 / 能隙基准源 / 集成稳压器

    下载(74)| 被引(0)

    基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分...  CNKI文献

    利用正交设计法设计了实验方案,可通过较少的实验获得满意的实验结果。在"强光一号"上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影...

    马强 林东生... 《原子能科学技术》 2012年S1期 期刊

    关键词: 正交设计 / 瞬时电离辐射 / BiMOS / 最劣偏置

    下载(42)| 被引(2)

    双极晶体管中子辐射损伤常数k的不确定度评定  CNKI文献

    根据双极晶体管电流增益倒数与中子注量的线性关系,基于最小二乘法,提出了先求平均值再线性拟合、先线性拟合再求平均值的两种方法来计算中子辐射损伤常数,并重点对其不确定度进行了评定,给出了自变量和因变量同时存在...

    金晓明 杨善潮... 《现代应用物理》 2015年04期 期刊

    关键词: 损伤常数 / 不确定度 / 中子注量 / 电流增益

    下载(11)| 被引(2)

    EE80C196KC20单片机γ辐射总剂量效应  CNKI文献

    建立商用16位单片机EE80C196KC20辐射效应在线测试系统,利用60Co源在20rad(Si)/s的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数。实验获得了单片机的失效阈值,得到了功耗电流、I/O输出、PWM输出随总剂量的变化规...

    金晓明 范如玉... 《原子能科学技术》 2010年S1期 期刊

    关键词: 电离辐射 / 微处理器 / 功耗电流 / 电平漂移

    下载(59)| 被引(2)

    晶体管中子损伤常数的测量以及不确定度分析  CNKI文献

    在西安脉冲反应堆上,利用自建的晶体管放大倍数在线测试系统测量了型号为2N2222A的晶体管放大倍数,获得了放大倍数随中子注量的变化曲线。晶体管放大倍数的倒数和中子注量之间有良好的线性关系,利用最小二乘法对该线性...

    白小燕 林东生... 《半导体技术》 2012年01期 期刊

    关键词: 不确定度 / 损伤常数 / 迭代法 / 西安脉冲反应堆

    下载(35)| 被引(3)

    EE80C196KC20型单片机小系统的脉冲γ辐照效应实验研究  CNKI文献

    在"强光一号"加速器上,对LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐照效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,并得到了单片机和电源芯片的扰动时间随剂量率的变化规律,从实验上证实了电源芯片对...

    杨善潮 马强... 《现代应用物理》 2013年03期 期刊

    关键词: 脉冲γ辐照 / 单片机系统 / 闩锁 / 瞬时扰动

    下载(27)| 被引(2)

    单片机系统脉冲γ辐射效应研究  CNKI文献

    本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象,在"强光一号"加速器上,对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐射效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,得到了功耗电流、I...

    杨善潮 马强... 《原子能科学技术》 2012年S1期 期刊

    关键词: 脉冲γ辐射 / 单片机系统 / 闩锁 / 瞬时扰动

    下载(57)| 被引(0)

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