全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
手机远见搜索 |设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
发文数量
被引数量
学者研究热点:
    引用
    筛选:
    文献类型 文献类型
    学科分类 学科分类
    发表年度 发表年度
    基金 基金
    研究层次 研究层次
    排序:
    显示:
    CNKI为你找到相关结果

    中子单粒子效应研究现状及进展  CNKI文献

    回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中...

    杨善潮 齐超... 《强激光与粒子束》 2015年11期 期刊

    关键词: 中子辐照效应 / 中子单粒子效应 / 随机静态存储器 / 低能中子

    下载(333)| 被引(8)

    SRAM单元中子单粒子翻转效应的Geant4模拟  CNKI文献

    应用Geant4工具,构造了不同特征尺寸的SRAM单元几何模型及单粒子翻转截面计算模型,分析了敏感体积和临界电荷对低能中子单粒子翻转效应的影响趋势,计算了反应堆裂变中子谱辐射环境下,不同特征尺寸SRAM的中子单粒子翻转...

    郭晓强 郭红霞... 《原子能科学技术》 2010年03期 期刊

    关键词: 中子 / 单粒子翻转 / Geant4 / 特征尺寸

    下载(422)| 被引(11)

    0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究  CNKI文献

    利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩...

    王桂珍 林东生... 《原子能科学技术》 2014年11期 期刊

    关键词: CMOS电路 / 脉冲激光 / 剂量率翻转 / 翻转阈值

    下载(79)| 被引(8)

    P型栅增强型GaN功率开关器件的中子辐照效应  CNKI文献

    对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明,在注量为1.5×10~(15)cm~(-2)的中子辐照后,器件的阈值电压没有发生明显变化;栅压较大时,辐照后的饱和漏电流变小,这与沟道...

    张得玺 陈伟... 《现代应用物理》 2018年03期 期刊

    关键词: 氮化镓功率器件 / 增强型 / 栅注入晶体管 / GaN

    下载(73)| 被引(0)

    Geant4在中子辐射效应中的应用  CNKI文献

    中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应,非电离能量沉积可用于分析位移...

    金晓明 王园明... 《原子能科学技术》 2012年S1期 期刊

    关键词: 中子辐射效应 / 电离能量沉积 / 非电离能量沉积 / 原子空位

    下载(262)| 被引(3)

    随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应  CNKI文献

    建立了中子单粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸(0.13~1.50μm)CMOS工艺商用随机静态存储器(SRAM)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究,获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化...

    郭晓强 郭红霞... 《强激光与粒子束》 2009年10期 期刊

    关键词: 随机静态存储器 / 低能中子 / 单粒子效应 / 反应堆

    下载(234)| 被引(7)

    基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响  CNKI文献

    通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2&#...

    王晨辉 陈伟... 《强激光与粒子束》 2015年11期 期刊

    关键词: 基区表面势 / 栅控横向PNP晶体管 / 中子位移损伤

    下载(45)| 被引(0)

    10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应  CNKI文献

    研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射线辐照下的效应对比发现,在中子和γ混合辐...

    刘岩 杨善潮... 《强激光与粒子束》 2010年09期 期刊

    关键词: 综合辐射效应 / 中子和γ混合环境 / CMOS数模转换器 / 电离总剂量效应

    下载(105)| 被引(6)

    EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较  CNKI文献

    对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4...

    王桂珍 林东生... 《微电子学》 2014年04期 期刊

    关键词: 浮栅器件 / EEPROM / SRAM / 剂量率

    下载(92)| 被引(4)

    氧化物正电荷影响下半导体空间电势的近似解析解研究  CNKI文献

    建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式。从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对N(P)型硅半导体中的泊松方程作积累(耗尽)近似,根据德拜屏蔽效应对边界条件作截断近似,得到了氧化物正...

    白小燕 陈伟... 《强激光与粒子束》 2015年08期 期刊

    关键词: 电离总剂量 / 氧化物正电荷 / 空间电势 / 泊松方程

    下载(26)| 被引(0)

    Analysis of displacement damage effects on bipolar tra...  CNKI文献

    Displacement damage induced by neutron irradiation in China Spallation Neutron Source(CSNS) is studied on bipolar transistors with lateral PNP, substrate PNP, and vertical NPN configurations, respect...

    刘岩 陈伟... 《Chinese Physics B》 2019年06期 期刊

    关键词: displacement / damage / China / Spallation

    下载(7)| 被引(0)

    Predictive approach of SEU occurrence induced by neutr...  CNKI文献

    A simulation approach is developed to obtain the linear energy transfer(LET) spectrum of all secondary ions and predict single event upset(SEU) occurrence induced by neutron in memory devices. Neutro...

    金晓明 杨善潮... 《Nuclear Science and Techniques》 2015年05期 期刊

    关键词: Neutron / radiation / Memory / device

    下载(33)| 被引(0)

    EEPROM瞬时剂量率效应实验研究  CNKI文献

    对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电...

    王桂珍 齐超... 《原子能科学技术》 2014年S1期 期刊

    关键词: 浮栅器件 / EEPROM / 剂量率闩锁 / 闩锁阈值

    下载(62)| 被引(2)

    热释光剂量片γ射线响应的线性上限和重复性研究  CNKI文献

    本文利用60 Co试验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)对γ射线的线性响应上限及其重复性。结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150~200Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降,退火后再次使用灵敏度增加。试验...

    白小燕 齐超... 《原子能科学技术》 2014年02期 期刊

    关键词: LiF(Mg / Ti)-M / TLD / 线性上限

    下载(81)| 被引(2)

    累积总吸收剂量对SRAM瞬时剂量率翻转效应的影响  CNKI文献

    为研究累积总剂量辐照对SRAM瞬时剂量率翻转效应的影响,选取特征尺寸为180 nm的商用SRAM在~(60)Coγ辐射源及"强光一号"加速器上进行了累积总剂量效应与瞬时剂量率效应的实验研究。实验结果表明,在累积总吸...

    李俊霖 李瑞宾... 《现代应用物理》 2019年02期 期刊

    关键词: 累积总吸收剂量 / SRAM / 瞬时剂量率翻转效应 / “反印记效应”

    下载(4)| 被引(0)

    商用CMOS工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验  CNKI文献

    为研究互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效应机理,对SRAM翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下SRAM翻转是单粒子翻转的叠加的假设,计算了单位翻转和伪多位翻转在总...

    齐超 杨善潮... 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年05期 期刊

    关键词: 脉冲中子 / 单粒子翻转 / 伪多位翻转 / 静态随机存储器

    下载(45)| 被引(0)

    中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实...  CNKI文献

    对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。...

    刘岩 陈伟... 《原子能科学技术》 2014年S1期 期刊

    关键词: 翻转效应 / 翻转阈值 / 中子辐照 / SRAM

    下载(99)| 被引(0)

    晶体管中子损伤常数的测量以及不确定度分析  CNKI文献

    在西安脉冲反应堆上,利用自建的晶体管放大倍数在线测试系统测量了型号为2N2222A的晶体管放大倍数,获得了放大倍数随中子注量的变化曲线。晶体管放大倍数的倒数和中子注量之间有良好的线性关系,利用最小二乘法对该线性...

    白小燕 林东生... 《半导体技术》 2012年01期 期刊

    关键词: 不确定度 / 损伤常数 / 迭代法 / 西安脉冲反应堆

    下载(36)| 被引(3)

    EE80C196KC20型单片机小系统的脉冲γ辐照效应实验研究  CNKI文献

    在"强光一号"加速器上,对LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐照效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,并得到了单片机和电源芯片的扰动时间随剂量率的变化规律,从实验上证实了电源芯片对...

    杨善潮 马强... 《现代应用物理》 2013年03期 期刊

    关键词: 脉冲γ辐照 / 单片机系统 / 闩锁 / 瞬时扰动

    下载(28)| 被引(2)

    单片机系统脉冲γ辐射效应研究  CNKI文献

    本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象,在"强光一号"加速器上,对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐射效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,得到了功耗电流、I...

    杨善潮 马强... 《原子能科学技术》 2012年S1期 期刊

    关键词: 脉冲γ辐射 / 单片机系统 / 闩锁 / 瞬时扰动

    下载(58)| 被引(0)

    学术研究指数分析(近十年)详情>>

    • 发文趋势

    获得支持基金

      同机构合作作者

      其他机构合作作者

      主要合作者关系图

      轻松读懂《孙子兵法》