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    基于蒙特卡洛和器件仿真的单粒子翻转计算方法  CNKI文献

    文章提出了一种基于蒙特卡洛和器件仿真的存储器单粒子翻转截面获取方法,可以准确计算存储器单粒子效应,并定位单粒子翻转的灵敏区域.基于该方法,计算了国产静态存储器和现场可编程门阵列(FPGA)存储区的单粒子效应的截...

    王晓晗 郭红霞... 《物理学报》 2014年19期 期刊

    关键词: 蒙特卡罗 / 单粒子翻转 / 器件仿真 / LET值

    下载(228)| 被引(5)

    累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究  CNKI文献

    本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究...

    肖尧 郭红霞... 《物理学报》 2014年01期 期刊

    关键词: 累积剂量 / 单粒子效应 / 静态随机存储器 / 反印记效应

    下载(173)| 被引(5)

    静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟  CNKI文献

    针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子...

    张科营 郭红霞... 《物理学报》 2009年12期 期刊

    关键词: 三维数值模拟 / 单粒子翻转 / 微束 / 宽束

    下载(330)| 被引(15)

    亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究  CNKI文献

    利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35~0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线...

    郭红霞 罗尹虹... 《原子能科学技术》 2010年12期 期刊

    关键词: 静态随机存储器 / 多位翻转 / 重离子加速器

    下载(253)| 被引(20)

    质子和中子在硅中位移损伤等效性计算  CNKI文献

    基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟...

    王园明 郭晓强... 《强激光与粒子束》 2013年07期 期刊

    关键词: 中子 / 质子 / / 反冲原子

    下载(202)| 被引(7)

    静态单粒子翻转截面的获取及分类  CNKI文献

    为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对...

    姚志斌 范如玉... 《强激光与粒子束》 2011年03期 期刊

    关键词: FPGA / 辐照效应 / 单粒子效应 / 单粒子翻转

    下载(241)| 被引(10)

    新型微电子技术单粒子效应研究面临的挑战  CNKI文献

    随着器件特征尺寸的减小,单粒子效应成为影响CMOS工艺空间辐射环境可靠性的关键因素之一。未来航天和国防系统需要了解新型工艺中的单粒子效应损伤机制及其加固方法,包括在器件几何尺寸和材料方面的改变如何影响到能量...

    郭红霞 王伟... 《核技术》 2010年07期 期刊

    关键词: 单粒子瞬态 / 软错误率 / 单粒子功能中断

    下载(367)| 被引(10)

    纳米DDR SRAM器件重离子单粒子效应试验研究  CNKI文献

    针对90nm和65nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可...

    罗尹虹 张凤祁... 《强激光与粒子束》 2013年10期 期刊

    关键词: 纳米SRAM / 单粒子效应 / 多位翻转 / 测试图形

    下载(103)| 被引(8)

    Synergistic effects of total ionizing dose on single e...  CNKI文献

    Synergistic effects of the total ionizing dose(TID) on the single event upset(SEU) sensitivity in static random access memories(SRAMs) were studied by using protons. The total dose was cumulated with...

    肖尧 郭红霞... 《Chinese Physics B》 2014年11期 期刊

    关键词: single / event / upset / total

    下载(43)| 被引(2)

    静态随机访问存储器型现场可编程门阵列辐照效应测试系统研...  CNKI文献

    在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上,详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测...

    姚志斌 何宝平... 《强激光与粒子束》 2009年05期 期刊

    关键词: 现场可编程门阵列 / 辐照效应 / 测试系统 / 静态随机访问存储器

    下载(135)| 被引(13)

    特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响  CNKI文献

    采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷...

    张科营 郭红霞... 《原子能科学技术》 2010年02期 期刊

    关键词: 特征尺寸 / 临界电荷 / LET阈值 / 单粒子翻转

    下载(363)| 被引(4)

    GaN HEMT器件电子辐照效应研究  CNKI文献

    对GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行了0.8和1.2 MeV电子束的辐照效应研究。结果表明,0.8 MeV电子束对器件损伤甚于1.2 MeV电子束,饱和漏电流增大,阈值电压负向漂移主要是由于AlGaN层中电离辐射产...

    罗尹虹 郭红霞... 《核技术》 2011年07期 期刊

    关键词: GaN / HEMT / 电子 / 非电离能损

    下载(177)| 被引(7)

    质子核反应二次粒子引起的静态存储器单粒子翻转截面计算  CNKI文献

    研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面和多位翻转截面...

    王园明 陈伟... 《原子能科学技术》 2010年12期 期刊

    关键词: 质子 / 有效体积 / 单粒子翻转截面 / 多位翻转截面

    下载(173)| 被引(6)

    新型微电子技术电离辐射总剂量效应面临的挑战  CNKI文献

    随着器件特征尺寸的不断减小,在器件结构和工艺上采取了新的措施。分析了STI(shallo★trench isolation)隔离导致器件电离辐射总剂量效应的损伤机理;对不同工艺集成电路的抗总剂量TII(Total Ionizing Dose)能力进行了...

    郭红霞 王伟... 《核电子学与探测技术》 2011年01期 期刊

    关键词: 浅槽隔离 / 总剂量效应 / 微剂量效应

    下载(276)| 被引(3)

    SRAM型FPGA总剂量效应实验研究  CNKI文献

    为了探索SRAM型FPGA器件的总剂量效应测试方法及效应敏感参数,以XC2S100为实验样品,设计了两种配置电路,利用60Coγ辐照装置进行了总剂量效应辐照实验。通过对实验结果的分析,给出了SRAM型FPGA器件配置存储器及块存储...

    姚志斌 何宝平... 《核技术》 2009年12期 期刊

    关键词: FPGA / 辐照效应 / 总剂量效应

    下载(187)| 被引(5)

    MOS器件总剂量效应敏感参数及其损伤阈值的概率模型分析  CNKI文献

    针对特征工艺尺寸为0.6μm NMOS进行了60Co电离辐照试验,分析了MOS器件总剂量辐照效应的原因,详细介绍了处理电离辐照试验数据的方法。建立了总剂量辐照效应的损伤阈值的统计概率模型,估计模型参数并对其进行了验证,结...

    张科营 郭红霞... 《核电子学与探测技术》 2009年02期 期刊

    关键词: 场氧隔离 / 概率模型 / 不确定度

    下载(161)| 被引(7)

    Flash ROM的X微束辐照试验研究及失效机理分析  CNKI文献

    Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样。为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究。分别研究了存储阵列,译码电路以及电荷泵等不同电路模块所...

    闫逸华 陈伟... 《核技术》 2013年03期 期刊

    关键词: X射线微束 / Flash / ROM / 局域总剂量

    下载(77)| 被引(2)

    GaN HEMT器件中子辐照效应实验研究  CNKI文献

    建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移...

    王燕萍 罗尹虹... 《固体电子学研究与进展》 2011年06期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 高电子迁移率晶体管 / 中子辐照

    下载(153)| 被引(1)

    锁相环单粒子瞬态效应的电路级仿真  CNKI文献

    对130 nm工艺电荷泵锁相环(PLL,phase-locked loop)开展单粒子瞬态(SET,single event transient)的电路级仿真,根据输出端信号的最大错误脉冲和最大相移寻找SET最敏感节点。结果表明,电荷泵输出级的晶体管对SET最敏感...

    赵雯 郭红霞... 《核技术》 2011年05期 期刊

    关键词: 锁相环 / 单粒子瞬态 / 电荷泵

    下载(116)| 被引(1)

    模数转换器辐照效应测试系统研制  CNKI文献

    本工作研制基于柱形图分析法的模数转换器辐照效应测试系统。详细描述了系统的测试原理、系统组成、系统控制流程及系统实现的功能。利用该系统在60Co源上对商用12位AD574AJD芯片进行了总剂量效应试验。结果表明,系统...

    姚志斌 何宝平... 《原子能科学技术》 2009年04期 期刊

    关键词: 模数转换器 / 辐照效应 / 微分非线性 / 增益误差

    下载(76)| 被引(4)

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