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    La,Ce,Nd掺杂对单层MoS_2电子结构的影响  CNKI文献

    为了研究稀土掺杂对单层MoS2电子结构的影响,文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了本征及La,Ce,Nd掺杂单层MoS2的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度.计算发现,稀土掺杂所引起...

    雷天民 吴胜宝... 《物理学报》 2014年06期 期刊

    关键词: 第一性原理 / 二硫化钼 / 稀土掺杂 / 电子结构

    下载(1085)| 被引(30)

    单层MoS_2的电子结构及光学性质  CNKI文献

    基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法计算和分析了单层MoS2的电子结构及其光学性质,得到了单层MoS2的能带结构、电子态密度、光吸收谱、反射谱、能量损失谱、光学常数谱和介电函数谱。计算结果显示...

    雷天民 吴胜宝... 《稀有金属材料与工程》 2013年12期 期刊

    关键词: 第一性原理 / MoS2 / 电子结构 / 光学性质

    下载(1147)| 被引(16)

    空位缺陷对单层MoS_2电子结构的影响  CNKI文献

    为了研究单层Mo S2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层Mo S2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、Mo S2层中的电子分布以及态密度...

    雷天民 吴胜宝... 《稀有金属材料与工程》 2015年03期 期刊

    关键词: 第一性原理 / MoS2 / 空位 / 电子结构

    下载(346)| 被引(7)

    二维黑磷物理性质及化学稳定性的研究进展  CNKI文献

    1914年科研工作者首次合成了黑磷的块体形式。在黑磷沉寂了100年之后,2014年人们成功地将其薄化到少层状态,得到了新型二维纳米材料——二维黑磷。它是由磷原子堆叠而成的单一元素的二维层状半导体材料,具有合适的可控...

    贾蕾 雷天民 《材料导报》 2018年07期 期刊

    关键词: 二维黑磷 / 物理性质 / 化学稳定性 / 磷烯

    下载(741)| 被引(1)

    纤锌矿GaN光电性质的第一性原理研究  CNKI文献

    利用平面波赝势密度泛函的方法,结合广义梯度近似,对纤锌矿GaN的光电性质进行了研究。对纤锌矿GaN的能带结构、态密度分布、复介电函数和吸收光谱进行了计算。文中分析了纤锌矿结构GaN晶体可能的跃迁及其对应的吸收光...

    陆稳 雷天民 《电子科技》 2009年05期 期刊

    关键词: GaN / 光电性质 / 第一性原理

    下载(537)| 被引(22)

    A quantum explanation of the magnetic properties of Mn...  CNKI文献

    Mn-doped graphene is investigated using first-principles calculations based on the density functional theory(DFT).The magnetic moment is calculated for systems of various sizes,and the atomic populat...

    雷天民 刘佳佳... 《Chinese Physics B》 2013年11期 期刊

    关键词: graphene / first-principles / calculation / doping

    下载(76)| 被引(4)

    锰掺杂浓度和位置对石墨烯磁性的影响  CNKI文献

    基于密度泛函理论,计算出锰掺杂石墨烯在不同掺杂浓度及杂质原子占据不同格点位置条件下的总磁矩和电子自旋态密度.计算结果表明:系统的总磁矩随掺杂浓度增加而变大,在相同掺杂浓度条件下,掺杂原子取不同自旋方向时呈...

    刘佳佳 雷天民... 《西安电子科技大学学报》 2015年04期 期刊

    关键词: 石墨烯 / 磁性 / 锰掺杂 / 掺杂浓度

    下载(316)| 被引(0)

    AlGaN/GaN HEMT凹栅槽结构器件的频率特性  CNKI文献

    采用一系列不同栅长和结构的T型栅器件来研究凹栅槽结构抑制短沟道效应和提高频率特性的作用。随着栅长不断缩短,短沟道效应逐渐明显,栅长从300 nm缩短至100 nm时,亚阈值摆幅逐渐增大,栅对沟道载流子的控制变弱,且器件...

    肖洋 张一川... 《半导体技术》 2018年06期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / HEMT / 短沟道效应 / 凹栅槽

    下载(153)| 被引(1)

    GaAs第一性原理研究  CNKI文献

    为了深入认识GaAs的电子结构和光学性质,计算和分析了GaAs晶体的能带结构、电子态密度、分波态密度、光学常数,所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波赝势方法。研究证明,其具有广泛的应用领域。

    陈启燊 雷天民 《电子科技》 2009年04期 期刊

    关键词: GaAs / 密度泛函理论 / 第一性原理

    下载(648)| 被引(13)

    LTE系统中可配置FFT/IFFT的设计与实现  CNKI文献

    针对3GPP长期演进(LTE)系统中载波数目可变以及存在非2n点的特点,提出了一种点数可变、支持非2n点的快速傅里叶变换/逆变换(FFT/IFFT)设计方案.通过采用流水线乒乓结构,利用基2、基3、基4混合基结构实现了高速可配置的...

    刘德福 雷天民... 《西安电子科技大学学报》 2010年05期 期刊

    关键词: 正交频分复用 / 长期演进 / 快速傅里叶变换/逆变换

    下载(230)| 被引(7)

    GaN HEMT开关器件小信号模型  CNKI文献

    GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义。为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型。利用不同的方法提取开关器件的...

    张宗敬 雷天民... 《半导体技术》 2018年06期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / HEMT / 开关 / 小信号模型

    下载(156)| 被引(0)

    1200V SiC超结VDMOS研究  CNKI文献

    在高耐压器件中,保持高耐压的同时减少漂移区电阻是提升器件性能的关键,超结理论的提出使器件在相同耐压下具有更小的漂移区电阻。通过利用Silvaco TCAD软件对器件结构参数进行了计算优化仿真,得到了击穿电压为1680V,...

    郭心宇 白云... 《电工电能新技术》 2018年10期 期刊

    关键词: 功率器件 / 超结 / VDMOS

    下载(91)| 被引(0)

    Raman analysis of epitaxial graphene on 6H-SiC(000) ...  CNKI文献

    This article investigates the formation mechanism of epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) substrates under low pressure of 2 mbar environment.It is shown that the growth temperature dramatically affect...

    王党朝 张玉明... 《半导体学报》 2011年11期 期刊

    关键词: epitaxial / graphene / Raman / spectroscopy

    下载(81)| 被引(6)

    Effect of SiN:H_x passivation layer on the reverse gat...  CNKI文献

    This paper concentrates on the impact of SiN passivation layer deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) on the Schottky characteristics in GaN high electron mobility transistors(...

    张昇 魏珂... 《Chinese Physics B》 2018年09期 期刊

    关键词: SiN / passivation / the / gate

    下载(19)| 被引(0)

    Raman analysis of epitaxial graphene grown on 4H-SiC (...  CNKI文献

    In this paper,we report a feasible route of growing epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) substrate in a low pressure of 4 mbar (1 bar=10 5 Pa) with an argon flux of 2 standard liters per minute at 120...

    王党朝 张玉明... 《Chinese Physics B》 2011年12期 期刊

    关键词: SiC / substrate / epitaxial / graphene

    下载(33)| 被引(2)

    Comparison of the formation process and properties of ...  CNKI文献

    In this paper,the epitaxial graphene layers grown on Si-and C-face 6H-SiC substrates are investigated under a low pressure of 400 Pa at 1600 C.By using atomic force microscopy and Raman spectroscopy,...

    王党朝 张玉明... 《Chinese Physics B》 2012年03期 期刊

    关键词: SiC / substrate / epitaxial / graphene

    下载(36)| 被引(2)

    WIMAX系统中可配置FFT/IFFT的设计与实现  CNKI文献

    针对WIMAX系统中变长子载波的特点,通过采用流水线乒乓结构,以基2、基4混合基实现了高速可配置的FFT/IFFT。将不同点数的FFT旋转因子统一存储,同时对RAM单元进行优化,节约了存储空间;此外对基4蝶形单元进行优化,减少了...

    刘德福 雷天民... 《电子科技》 2010年03期 期刊

    关键词: 正交频分复用 / WIMAX / 快速傅里叶变换/逆变换

    下载(57)| 被引(1)

    SiCOI MESFET的特性分析  CNKI文献

    提出了一种新的器件结构-SiCOI结构,即硅衬底上外延SiC制造MESFET器件,并建立了SiCOIMESFET器件结构与模型。使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例...

    王旸 雷天民... 《电子科技》 2010年06期 期刊

    关键词: SiCOI / MESFET / 结构参数

    下载(62)| 被引(0)

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