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    CNKI为你找到相关结果

    氧化锌可见区发光机制  CNKI文献

    探究与缺陷相关的氧化锌可见区发光机制对获得高效激子发光和实现紫外激光有重要的意义,也是该领域研究的基本问题之一。本文用X射线衍射、X射线光电子能谱、电子顺磁共振和光致发光谱研究了ZnO∶Mn纳米薄膜的结构和发...

    刘益春 张喜田... 《发光学报》 2002年06期 期刊

    关键词: 纳米氧化锌薄膜 / 光致发光 / 界面 / 表面钝化

    下载(754)| 被引(62)

    Mn掺杂浓度对ZnO纳米薄膜的结构和光致发光的影响  CNKI文献

    Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注。ZnO的激子束缚能高达60meV,具有优良的光学性质。因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的...

    李金华 张吉英... 《液晶与显示》 2006年06期 期刊

    关键词: 光致发光 / ZnO / Mn含量 / Mn掺杂结构

    下载(516)| 被引(16)

    分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜  CNKI文献

    用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm...

    矫淑杰 梁红伟... 《发光学报》 2004年04期 期刊

    关键词: 氧化锌薄膜 / p型掺杂 / 一氧化氮 / 射频等离子体

    下载(430)| 被引(25)

    MgxZn_(1-x)O合金制备及MgZnO/ZnO异质结构的光学性质  CNKI文献

    利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系,为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了...

    魏志鹏 吴春霞... 《发光学报》 2006年05期 期刊

    关键词: MgZnO合金 / Raman光谱 / 量子阱 / 超辐射

    下载(329)| 被引(19)

    在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管  CNKI文献

    用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的...

    矫淑杰 张振中... 《发光学报》 2005年04期 期刊

    关键词: ZnO薄膜 / p型掺杂 / p-n同质结 / 分子束外延

    下载(404)| 被引(20)

    一种新的制备ZnO纳米粒子的方法——阴极电沉积法  CNKI文献

    用阴极电沉积法制备高质量ZnO纳米薄膜,电沉积采用含有不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,室温下恒流沉积,得到纳米ZnO薄膜。研究了ZnCl2浓度对薄膜结构和光学性质的影响。沉积薄膜的ZnO粒径尺寸分别为9 8...

    刘英麟 刘益春... 《发光学报》 2003年03期 期刊

    关键词: ZnO / 纳米薄膜 / 阴极电沉积

    下载(481)| 被引(19)

    用电化学沉积方法制备钴掺杂的氧化锌薄膜及其光学性质  CNKI文献

    通过选用乌洛托品作为络合剂,采用电化学沉积的方法成功地制备出钴掺杂的氧化锌薄膜。通过对样品的XRD表征,得出生长的样品为ZnO纤锌矿结构,并没有其他杂相峰,即没有出现分相;通过对样品XPS的分析显示Co离子在薄膜中以...

    曹萍 李炳辉... 《发光学报》 2006年06期 期刊

    关键词: 氧化锌 / 乌洛托品 / 电化学沉积 / 光致发光

    下载(531)| 被引(10)

    Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性  CNKI文献

    采用溶胶-凝胶法制备了Mg和Mn共同掺杂的ZnO纳米薄膜,并对其结构、光学和磁学性质进行了表征.结果表明:样品具有六角纤锌矿结构,退火过程中出现了尖晶石结构的Mn3O4和MgMn2O4.随退火温度的升高,样品的光学质量有所提高...

    李金华 张吉英... 《东北师大学报(自然科学版)》 2007年01期 期刊

    关键词: Mg / Mn / 掺杂ZnO / 光学性质

    下载(342)| 被引(12)

    太阳盲MgZnO光电探测器  CNKI文献

    利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225 nm,截...

    蒋大勇 张吉英... 《发光学报》 2008年04期 期刊

    关键词: MgZnO合金薄膜 / 太阳盲光电探测器 / 射频磁控溅射

    下载(291)| 被引(10)

    Li掺杂ZnO薄膜的导电和发光特性  CNKI文献

    通过将含有原子数分数为2%锂的Zn-Li合金薄膜和金属锌薄膜在500℃氮气氛中退火2h,然后在700℃氧气氛下退火1h的方法分别制备出ZnO∶Li和ZnO薄膜。Hall效应测量表明,其导电类型分别为p型和n型。通过He-Cd激光器的325nm...

    王相虎 姚斌... 《发光学报》 2006年06期 期刊

    关键词: 氧化锌 / 合金 / 退火 / 真空镀膜

    下载(358)| 被引(11)

    退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响  CNKI文献

    采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响。研究发现,薄膜经退火后,在发光谱...

    王颖 申德振... 《液晶与显示》 2005年01期 期刊

    关键词: PECVD / 光致发光 / Si团簇 / 悬键

    下载(198)| 被引(22)

    Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质  CNKI文献

    报道了利用等离子辅助分子束外延技术 ,在蓝宝石 c平面上外延生长的 Mgx Zn1 - x O单晶薄膜以及 Mg Zn O/Zn O异质结构的光学性质 .室温下随着 Mg浓度增加 ,合金薄膜样品的发光峰与吸收边均向高能侧移动 .研究了样品紫...

    吴春霞 吕有明... 《半导体学报》 2004年10期 期刊

    关键词: 等离子体辅助分子束外延 / MgxZn1-xO合金 / MgZnO/ZnO异质结构 / 光致发光谱

    下载(286)| 被引(11)

    用电化学沉积法制备ZnO/Cu_2O异质p-n结  CNKI文献

    由于p型ZnO的制备仍然存在一定的困难,限制了ZnO在光电方面的应用,尤其是在发光二极管和激光器的实际应用,目前利用p型的透明半导体氧化物与n型ZnO制备异质p n结,成为新的研究热点。选择p型导电Cu2O与ZnO制备出异质p ...

    刘英麟 刘益春... 《发光学报》 2004年05期 期刊

    关键词: 氧化锌 / 氧化亚铜 / 异质结

    下载(688)| 被引(7)

    等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究  CNKI文献

    利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响。随着生长温度的升高,X射线摇摆曲线(XRC)半高宽从0.88°变窄至0.29°,从原子力显微镜(...

    梁红伟 吕有明... 《人工晶体学报》 2003年06期 期刊

    关键词: ZnO薄膜 / 等离子体增强分子束外延 / 光致发光 / 量子限域效应

    下载(136)| 被引(17)

    不同退火温度下Mn掺杂ZnO纳米晶的结构和磁性  CNKI文献

    ZnO的激子束缚能高达60meV,具有优良的光学性质。因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了在不同退火温度下纳米晶的结构和磁性。XRD结果显示,所有...

    李金华 张吉英... 《液晶与显示》 2007年01期 期刊

    关键词: Mn掺杂ZnO / 退火 / 结构 / 磁性

    下载(314)| 被引(6)

    富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究  CNKI文献

    采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的退火。通过X射线光电子能谱(XTP)的测试证实了薄膜中硅团簇的存在。对不同富硅量的氮化...

    王颖 申德振... 《液晶与显示》 2005年02期 期刊

    关键词: 氮化硅薄膜 / 光致发光 / Si团簇 / 量子限制效应

    下载(176)| 被引(12)

    n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管  CNKI文献

    用等离子体辅助分子束外延的方法生长了n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管。I-V测量表明其具有典型的二极管整流特性。电致发光峰位于382 nm,通过与n型ZnO和p型GaN的光致发光谱比较,其发光峰位与线形都与ZnO的自由激...

    矫淑杰 吕有明... 《发光学报》 2006年04期 期刊

    关键词: 氧化锌 / 等离体辅助分子束外延 / 异质结 / 发光二极管

    下载(382)| 被引(5)

    Fe掺杂对CdS光学特性的影响  CNKI文献

    采用低压金属有机化学气相沉积技术,在固定源流量的条件下,通过调节衬底温度(270~360℃)生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小,但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光...

    武晓杰 张吉英... 《发光学报》 2008年01期 期刊

    关键词: CdFeS / 施主-受主对 / 受主能级

    下载(204)| 被引(5)

    热氧化法制备纳米ZnO薄膜及其发光特性的研究  CNKI文献

    用热氧化ZnS薄膜方法制备纳米ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,光致发光谱表征和研究纳米ZnO薄膜结构特征及热氧化温度对薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构,且随热氧化温度升高,薄膜晶粒尺寸逐...

    王丹 张喜田... 《功能材料》 2003年05期 期刊

    关键词: 纳米ZnO薄膜 / X射线衍射 / 紫外光致发光

    下载(199)| 被引(14)

    包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性  CNKI文献

    采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜。利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)谱,研究了在不同温度下退火的薄膜样品的结构和发光特性。在经过低温退火的薄膜中观...

    王颖 申德振... 《发光学报》 2004年06期 期刊

    关键词: 等离子体增强化学气相沉积 / 光致发光 / 硅团簇 / 量子限制效应

    下载(123)| 被引(14)

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