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    AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展  CNKI文献

    从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。

    裴风丽 冯震... 《半导体技术》 2007年01期 期刊

    关键词: 欧姆接触 / 铝镓氮/氮化镓 / 高电子迁移率晶体管

    下载(587)| 被引(11)

    基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器  CNKI文献

    采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAsQWIP焦平面探测器阵列。用液...

    李献杰 刘英斌... 《红外与激光工程》 2007年04期 期刊

    关键词: MOCVD / AlGaAs/GaAs / 量子阱红外探测器 / 红外热成像

    下载(367)| 被引(13)

    SiC MESFET工艺技术研究与器件研制  CNKI文献

    针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝...

    商庆杰 潘宏菽... 《半导体技术》 2009年06期 期刊

    关键词: 碳化硅 / 金属-半导体场效应晶体管 / 牺牲氧化 / 干法刻蚀

    下载(253)| 被引(13)

    Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析  CNKI文献

    对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应...

    尹甲运 刘波... 《微纳电子技术》 2008年12期 期刊

    关键词: 氮化镓 / AlN插入层 / 喇曼散射 / 光荧光谱

    下载(306)| 被引(10)

    X波段30W内匹配GaN HEMT功率器件  CNKI文献

    采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实部分别为6Ω和22Ω;设计并制作了四管芯合成器件的阻抗匹配网络,在频率为8GHz下测试,饱...

    李静强 杨瑞霞... 《固体电子学研究与进展》 2008年04期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 高迁移率晶体管 / 阻抗 / 内匹配

    下载(246)| 被引(10)

    跨导为325mS/mm的AlGaN/GaNHFET器件  CNKI文献

    报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaNHFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.9...

    张志国 杨瑞霞... 《半导体学报》 2005年09期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / HFET / 跨导 / 直流特性

    下载(142)| 被引(19)

    MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究  CNKI文献

    报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线...

    刘波 袁凤坡... 《微纳电子技术》 2008年11期 期刊

    关键词: AlGaN / 金属有机化学气相淀积 / X射线衍射 / 原子力显微镜

    下载(308)| 被引(5)

    AlGaN/GaN HFET电流崩塌效应研究  CNKI文献

    电流崩塌效应是限制AlGaN/GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素,文中从器件研制的角度研究了AlGaN/GaN HFET的电流崩塌效应。研究结果表明,采用传统的化合物半导体器件细栅工艺制作的器件,栅边缘易发生钻蚀效应,SiN...

    张志国 冯震... 《固体电子学研究与进展》 2009年01期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 场效应晶体管 / 电流崩塌效应 / 氮化硅钝化

    下载(350)| 被引(3)

    支撑技术AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究  CNKI文献

    报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3μm AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μm器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA。对器件的跨导特性进行了对比,得到最大跨导为306mS/mm的器件。同...

    王勇 冯震... 《半导体技术》 2005年12期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / 高电子迁移率晶体管 / 跨导特性 / 直流特性

    下载(148)| 被引(8)

    高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究  CNKI文献

    报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaNHFET的制备以及室温下器件的性能。器件栅长为0.8μm,源漏间距为3μm,得到器件的最大漏电流密度为0.7A/mm,最大跨导为242.4mS/mm,截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为45GHz和100GHz。...

    张志国 杨瑞霞... 《固体电子学研究与进展》 2006年03期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / 异质结场效应晶体管 / 跨导 / 输出特性

    下载(176)| 被引(5)

    SiC衬底X波段GaN MMIC的研究  CNKI文献

    使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率...

    张志国 冯震... 《半导体技术》 2008年12期 期刊

    关键词: GaN / 微波单片集成电路 / 大信号模型 / 输出功率

    下载(194)| 被引(4)

    GaN基HEMT栅终端场板结构研究  CNKI文献

    制作了带有栅终端场板结构的GaN基HEMT,研究了击穿电压与场板长度的关系,提取了最佳场板长度为0.4,0.5,0.6μm时所对应的栅漏击穿电压最大,为120 V。研究了栅终端场板对器件小信号特性和大信号的影响,栅终端场板长度0...

    默江辉 蔡树军... 《半导体技术》 2007年06期 期刊

    关键词: GaN基HEMT / 场板 / 击穿电压

    下载(196)| 被引(4)

    128×128GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列铟柱制备  CNKI文献

    对量子阱红外探测器研制中通常采用的铟膜制备和铟柱生长技术进行了研究。从铟源的选择及蒸发的方法、距离、真空度的控制等方面做了大量实验,优化出了最佳工艺条件。铟源的纯度99.99%,电子束蒸发厚金属膜,旋转行星夹...

    杨孟丽 冯震 《微纳电子技术》 2006年11期 期刊

    关键词: 量子阱红外焦平面探测器 / 铟柱 / 电子束蒸发

    下载(181)| 被引(5)

    高性能AlGaN/GaN HEMT的肖特基特性  CNKI文献

    研究了Al GaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化。首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响,对不同的表面处理方法进行了比较,发现采用氧等离子体处理,并用V(HF)∶V(H2O)=1∶5...

    田秀伟 冯震... 《微纳电子技术》 2009年02期 期刊

    关键词: GaN高电子迁移率晶体管 / 肖特基接触 / 理想因子 / 泄漏电流

    下载(353)| 被引(1)

    Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT  CNKI文献

    利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方...

    冯志宏 尹甲运... 《半导体学报》 2007年12期 期刊

    关键词: Si衬底 / GaN / HEMT / XRD半高宽

    下载(153)| 被引(4)

    蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性  CNKI文献

    通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV...

    张志国 杨瑞霞... 《半导体学报》 2006年07期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / HFET / 隔离 / 整流特性

    下载(185)| 被引(2)

    表面处理与离子注入对GaN HEMT肖特基特性的影响  CNKI文献

    研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响。在栅金属化前,采用不同的表面处理方法进行实验,发现通过表面处理,栅肖特基特性得到一定的改善,但还不能从根本上解决漏电大、理想因子偏高的问...

    宋建博 杨瑞霞... 《半导体技术》 2008年01期 期刊

    关键词: 表面处理 / 离子注入 / 泄漏电流 / 理想因子

    下载(290)| 被引(1)

    5W Si衬底GaN基HEMT研究  CNKI文献

    介绍了Si衬底上外延生长GaN基HEMT的制备及其直流特性与微波特性的研究结果:栅宽200μm器件Vgs=0 V时饱和电流密度达0.975 A/mm,最大跨导240 mS/mm,夹断电压-4.5 V,栅漏击穿电压80 V;栅宽1 mm器件,在频率2 GHz下,工作...

    刘晨晖 冯震... 《半导体技术》 2008年01期 期刊

    关键词: 硅衬底 / 微波特性 / 氮化镓基高电子迁移率晶体管

    下载(179)| 被引(1)

    介质膜性质及表面处理对GaN HEMT特性的影响  CNKI文献

    GaN HEMT器件经过钝化后,抑制电流崩塌效应明显,但同时产生其他负面效应,为了改善目前GaN HEMT钝化后漏电增加和击穿电压减小等情况,研究了钝化技术对GaN HEMT电流特性的影响,包括介质膜应力、折射率和表面预处理与器...

    周瑞 冯震... 《半导体技术》 2009年05期 期刊

    关键词: 介质膜 / 氮化镓高电子迁移率晶体管 / 表面处理 / 折射率

    下载(152)| 被引(0)

    X波段大功率GaN HEMT的研制  CNKI文献

    在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结...

    宋建博 冯震... 《微纳电子技术》 2008年06期 期刊

    关键词: 氮化镓基高电子迁移率晶体管 / X波段 / 输出功率 / 功率增益

    下载(164)| 被引(0)

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