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    宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究  CNKI文献

    作为第三代宽禁带半导体材料,SiC和ZnO由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。SiC具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方面有着巨大的应用潜力。然而,SiC单晶...

    苏剑峰 导师:傅竹西 中国科学技术大学 2008-05-01 博士论文

    关键词: MOCVD / 掺杂 / SiC / ZnO

    下载(1004)| 被引(3)

    Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征  CNKI文献

    在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜。低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体。X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性。扫描电子显...

    郑海务 苏剑峰... 《功能材料》 2007年08期 期刊

    关键词: Si / 6H-SiC / 化学气相沉积 / 微结构

    下载(197)| 被引(7)

    C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征  CNKI文献

    采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了C_3H_8气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C_3H_8气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长...

    郑海务 苏剑峰... 《材料研究学报》 2008年01期 期刊

    关键词: 无机非金属材料 / 6H-SiC薄膜 / 低压CVD / 蓝宝石

    下载(195)| 被引(3)

    射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性  CNKI文献

    在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究。通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射...

    苏剑峰 姚然... 《发光学报》 2008年02期 期刊

    关键词: 金属有机化学气相沉积 / 射频辅助 / N离化 / N-Al共掺杂

    下载(127)| 被引(1)

    硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响  CNKI文献

    用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜, 研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很...

    苏剑峰 郑海务... 《材料研究学报》 2006年03期 期刊

    关键词: 无机非金属材料 / LPMOCVD / 3C-SiC / p-Si(111)衬底

    下载(133)| 被引(1)

    碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响(英文)  CNKI文献

    通过低压化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长了高度择优取向的3C-SiC (100)薄膜。SiC (200)峰的摇摆曲线表明SiC薄膜的结晶质量随着丙烷气体引入温度(Tgi)的升高而增加。选区电子衍射像表明高Tgi下生长的薄膜比低T...

    郑海务 郭凤丽... 《人工晶体学报》 2007年05期 期刊

    关键词: 3C-SiC薄膜 / 微结构 / 表面形貌

    下载(72)| 被引(0)

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