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    碲镉汞双色红外焦平面读出电路研究进展  CNKI文献

    介绍了碲镉汞(MCT)双色红外焦平面探测器的研制背景,及美、英、法等西方发达国家的发展现状。从读出电路(ROIC)设计角度出发,重点阐述了上述3个发达国家的碲镉汞双色焦平面器件结构类型和相应读出电路设计特点。最后介...

    白丕绩 赵俊... 《红外技术》 2015年10期 期刊

    关键词: 碲镉汞 / 双色焦平面 / 双铟柱半平面结构 / 单铟柱叠层结构

    下载(201)| 被引(4)

    以色列SCD公司的Ⅲ-Ⅴ族红外探测器研究进展  CNKI文献

    Ⅲ-Ⅴ族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色,近年来越来越受到人们的瞩目,特别是InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要回顾了以色列SCD公司在Ⅲ-Ⅴ族红外探测器的研究历...

    李俊斌 李东升... 《红外技术》 2018年10期 期刊

    关键词: SCD公司 / Ⅲ-Ⅴ红外探测器 / 二类超晶格 / InAsSb中波高温探测器

    下载(237)| 被引(1)

    640x512偏振长波量子阱红外焦平面探测器研制  CNKI文献

    介绍了大面阵偏振长波量子阱红外焦平面探测器组件的研制进展。在640×512规模20μm中心距面阵上,偏振焦平面采用了2×2子单元设计,子单元中每个像元分别刻蚀0°、90°、45°以及135°方向的...

    周旭昌 李东升... 《红外与激光工程》 2017年01期 期刊

    关键词: 偏振长波红外探测 / 大面阵量子阱焦平面组件 / 单片集成

    下载(192)| 被引(3)

    快速制冷启动的中波320×256红外焦平面探测器研究  CNKI文献

    快速制冷启动所产生的形变应力是对红外焦平面探测器芯片可靠性构成影响的重要方面。采用机械加工结合化学腐蚀的方法对芯片进行减薄以提高其柔韧性,从而减小了由于应力传递产生的像元损伤所引起的盲元和裂纹。并在不...

    朱颖峰 韩福忠... 《红外与激光工程》 2014年04期 期刊

    关键词: 芯片背减薄 / 杜瓦冷头膨胀匹配 / 芯片形变和应力

    下载(140)| 被引(4)

    长波量子阱红外探测器材料技术研究  CNKI文献

    针对红外探测应用开展了长波GaAs/AlGaAs量子阱材料技术研究。系统地介绍了量子阱红外探测器材料的材料设计、生长和表征。基于一维薛定谔方程的求解获得量子阱材料的能带结构,进行量子阱材料的设计。采用分子束外延技...

    周旭昌 谭英... 《红外技术》 2013年08期 期刊

    关键词: 量子阱红外探测器材料 / 分子束外延 / 表征

    下载(215)| 被引(5)

    液相外延碲镉汞表面化学腐蚀研究  CNKI文献

    应用不同浓度的溴甲醇溶液对液相外延碲镉汞表面进行化学腐蚀,并且测量了腐蚀速率。然后通过原子力显微镜及X射线光电子能谱分析了碲镉汞材料的表面状态。发现经过溴甲醇溶液腐蚀后,碲镉汞表面富碲现象较为严重而且表...

    周连军 王静宇... 《红外技术》 2015年06期 期刊

    关键词: 碲镉汞 / 化学腐蚀 / 原子力显微镜 / X射线光电子能谱

    下载(92)| 被引(5)

    中波碲镉汞光电二极管pn结特性研究  CNKI文献

    采用液相外延(LPE)生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试和分析。LBIC测试结果表明,Hg Cd Te pn结实际结区尺寸扩展4~5?m,这主要与光刻、B离子注...

    李雄军 韩福忠... 《红外技术》 2015年11期 期刊

    关键词: 中波碲镉汞 / 光电二极管 / pn结 / LBIC

    下载(109)| 被引(3)

    分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术  CNKI文献

    Ⅴ族元素As在碲镉汞中具有较小的扩散系数,在非本征p型掺杂中得到广泛应用,在p-on-n型高性能探测器及双色或多色探测器应用方面优势明显。对分子束外延掺As碲镉汞薄膜的几种生长技术的基本原理进行了简单介绍,并对各方...

    覃钢 李东升 《红外技术》 2015年10期 期刊

    关键词: 分子束外延 / 碲镉汞 / As掺杂 / 退火

    下载(88)| 被引(3)

    CdTe/ZnS复合钝化层对长波碲镉汞器件性能的影响研究  CNKI文献

    采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二极管器件,并进行了SEM、C-V和I-V表征分析,研究了HgCdTe/钝化层之间的界面特性及其对器...

    李雄军 韩福忠... 《红外与激光工程》 2016年09期 期刊

    关键词: 长波碲镉汞 / 表面钝化 / SEM / C-V

    下载(62)| 被引(4)

    分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究  CNKI文献

    报道了基于Ge衬底分子束外延碲镉汞原位As掺杂材料的研究结果,进行了As掺杂碲镉汞薄膜生长的温度控制研究;分析了As束流对材料晶体质量的影响,结合SIMS测试技术得到了As杂质掺杂浓度与束源炉加热温度的关系;并利用傅里...

    覃钢 李东升... 《红外技术》 2015年02期 期刊

    关键词: 分子束外延 / 碲镉汞 / 原位As掺杂 / 退火

    下载(92)| 被引(2)

    中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究  CNKI文献

    HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜进行表面处理后,使用Cd Te/Zn S复合钝化技术进行表面钝化,制...

    李雄军 韩福忠... 《红外技术》 2015年10期 期刊

    关键词: 中波碲镉汞 / 表面钝化 / MIS器件 / C-V

    下载(81)| 被引(2)

    碲锌镉衬底表面在碲镉汞液相外延工艺中的热腐蚀效应  CNKI文献

    该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显微镜、白光干涉仪、能谱仪等分析测试手段对碲锌镉衬底表面进行分析.研究结果表明,液相...

    宋林伟 吴军... 《红外与毫米波学报》 2018年01期 期刊

    关键词: 液相外延 / 碲锌镉衬底 / 汞腐蚀 / 粗糙度

    下载(57)| 被引(3)

    液相外延长波碲镉汞薄膜化学机械抛光工艺研究  CNKI文献

    基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、激光共聚焦显微镜等分析方法对化学机械抛光前、后的材料表面进行分析表征。研究结果表...

    王静宇 宋林伟... 《红外技术》 2018年10期 期刊

    关键词: 碲镉汞(MCT) / 化学机械抛光(CMP) / 液相外延 / 粗糙度

    下载(108)| 被引(0)

    中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性  CNKI文献

    采用不同工艺制备了中波碲镉汞(Hg Cd Te)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分...

    李雄军 韩福忠... 《红外与毫米波学报》 2019年02期 期刊

    关键词: 中波碲镉汞 / 雪崩光电二极管 / 增益 / C-V

    下载(57)| 被引(0)

    碲镉汞液相外延石墨舟的温度场均匀性改善  CNKI文献

    对碲镉汞液相外延(Liquid phase epitaxy, LPE)石墨舟进行了数值模拟,计算了石墨舟温度场分布。通过在母液周围加入石英框,分析其对温度场的影响,得到了石英框壁厚与温度分布的关系。模拟发现,在母液周围加入石英框结...

    陆骏 李东升... 《红外技术》 2019年04期 期刊

    关键词: 石墨舟 / 温度场均匀性 / 碲镉汞 / LPE

    下载(59)| 被引(0)

    异质外延碲镉汞薄膜的位错抑制技术  CNKI文献

    本文简述了MBE异质外延碲镉汞薄膜位错形成机理、位错在外延层中的演化过程以及位错抑制理论,总结了国内外CdTe缓冲层的位错抑制技术、HgCdTe薄膜的位错抑制技术,分析了热循环退火技术各个要素与位错密度变化之间的关...

    覃钢 李东升... 《红外技术》 2019年05期 期刊

    关键词: 异质衬底 / 碲镉汞 / 位错抑制 / 循环退火

    下载(44)| 被引(0)

    基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高温器件  CNKI文献

    本文简要介绍了nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程。讨论了nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理。对比了普通碲镉汞nBn结构器件与经过优化具备俄歇抑制特点的NBv N结构器件的性能。总结了碲镉汞nBn型器件势...

    覃钢 夏菲... 《红外技术》 2018年09期 期刊

    关键词: 碲镉汞 / 势垒 / SRH抑制 / 俄歇抑制

    下载(57)| 被引(0)

    长波碲镉汞变面积二极管器件  CNKI文献

    采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77~147 K温度范围对器件R_0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R_0A分布进行了研究,77 K下...

    李雄军 韩福忠... 《红外与毫米波学报》 2016年04期 期刊

    关键词: 长波碲镉汞 / 变面积二极管 / 表面钝化 / R_0A

    下载(53)| 被引(3)

    中/长波切换工作模式的双色量子阱红外焦平面研制  CNKI文献

    报道了中/长波切换工作模式的双色量子阱红外焦平面研制。通过特殊设计的器件和读出电路结构,获得了可对中波波段和长波波段选择的切换架构。突破了双色量子阱材料、器件以及读出电路等关键技术,研制出384×288规...

    李东升 周旭昌... 《红外与激光工程》 2015年06期 期刊

    关键词: 中/长波切换工作模式 / 双色量子阱红外焦平面 / 红外成像

    下载(94)| 被引(1)

    基于双层模型外延HgCdTe薄膜的霍尔测试  CNKI文献

    采用Petritz双层薄膜结构模型,用化学腐蚀的方法分离MBE外延双色HgCdTe薄膜,测试并验证了双层模型对中短双色MBE外延HgCdTe薄膜中各层的霍尔参数计算的有效性,给出了测量不确定度评定以及相对误差。实验表明,MBE外延双...

    彭曼泽 丛树仁... 《红外技术》 2018年09期 期刊

    关键词: 双层膜 / MBE / HgCdTe薄膜 / 霍尔参数

    下载(68)| 被引(0)

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