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    CNKI为你找到相关结果

    InGaN光致发光性质与温度的关系  CNKI文献

    分析了用金属有机物气相外延方法 (MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮 (In Ga N)的光致发光 (PL)性质 .发现在 4.7K至 30 0 K范围内 ,随着温度升高 ,In Ga N带边辐射向低能方向移动 ,峰值变化基本符合 Varshni经验公式...

    樊志军 刘祥林... 《半导体学报》 2001年05期 期刊

    关键词: InGaN / 变温 / 光致发光

    下载(281)| 被引(12)

    宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研究  CNKI文献

    我们近期建立了一套适用于宽禁带半导体材料和纳米材料进行低温PL 测试的系统。该系统对MOCVD 法生长,以适当配比双掺Si、Zn 杂质的6H—GaN 单晶薄膜进行测量。在300K时,A 峰为带边峰,波长为367.1nm(3.375eV);B 峰为S...

    万寿科 孙学浩... 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集 2001-10-01 中国会议

    关键词: 氮化镓 / 碳化硅 / 硅酸盐纳米材料 / 光致发光

    下载(127)| 被引(0)

    偏振差分反射谱(RDS)测试系统  CNKI文献

    利用RDS测试系统 ,可以在近垂直入射条件下 ,测量出样品的反射系数在样品平面内两个互相垂直的方向上的细微差异 ,即所谓平面内光学各向异性。它对研究半导体材料及其量子阱超晶格等低维结构中的平面内光学各向异性、...

    万寿科 陈涌海... 《功能材料与器件学报》 2000年04期 期刊

    关键词: 偏振器 / 光弹性调制器(PEM) / 平面内光学各向异性

    下载(76)| 被引(1)

    Ga_(1-x)In_xSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长  CNKI文献

    本文报道用常压金属有机物气相外延方法在 GaSb衬底上生长 Ga_(1-x)In_xSb/GaSb应变层超晶格材料.X射线双晶衍射谱和反射电子显微像表明超晶格结构的周期性,GalnSb阱的组分均匀性和异质结界面质量较好.观察到当In含量...

    陆大成 汪度... 《半导体学报》 1992年09期 期刊

    关键词: 应变层超晶格 / 金属有机物气相外延 / 双晶衍射 / x)In_xSb/GaSb

    下载(33)| 被引(4)

    SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究  CNKI文献

    本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功...

    王占国 戴元筠... 《固体电子学研究与进展》 1991年03期 期刊

    关键词: 电学性质 / 热稳定性 / LEC / 热力学性质

    下载(31)| 被引(2)

    GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长  CNKI文献

    用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的...

    陈敦军 毕朝霞... 《半导体学报》 2002年07期 期刊

    关键词: GaN1-xPx / MOCVD / 化学态 / 红移

    下载(42)| 被引(1)

    InGaN的光致发光研究  CNKI文献

    GaN以及GaN为基的InGaN,AlGaN是高强度蓝光、绿光发光二极管和激光器的主要材料。控制半导体材料中的杂质与缺陷是提高材料质量的途径。光致发光(PL)方法是研究半导体中杂质与缺陷的最有效方法之一。

    万寿科 卢励吾... 第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集 1998-10-13 中国会议

    关键词: InGaN / 光致发光 / 能量差 / 峰值能量

    下载(18)| 被引(0)

    低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子...  CNKI文献

    用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c...

    陈德勇 朱龙德... 《半导体学报》 1993年06期 期刊

    关键词: 二维激子 / 阱宽 / 谱线 / InGaAs/InP

    下载(57)| 被引(0)

    LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料  CNKI文献

    本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都...

    段树坤 熊飞克... 《半导体学报》 1991年09期 期刊

    关键词: 结构材料 / 双晶衍射 / 带间跃迁 / x)In_xAs/InP

    下载(14)| 被引(4)

    硅中与钯相关的深能级的研究  CNKI文献

    本文采用多种硅材料,对扩Pd快速淬火在硅中引入的两个与Pd相关的新能级E_A(E_c-0.37eV)、E_B(E_c-0.59eV)进行了系统的实验研究,结果进一步支持了E_A和E_B属于同一缺陷的不同能量状态的看法,但发现缺陷的微观构成与B无...

    傅建明 王占国... 《半导体学报》 1989年05期 期刊

    关键词: / / 深能级

    下载(12)| 被引(2)

    退火直拉硅中小于10nm的微缺陷  CNKI文献

    直拉硅中氧的浓度高达10~(18)at/cm~3,在器件工艺的热处理过程中,会产生氧的沉淀或形成硅氧团(SiO_x)。经过650℃下较长时间热处理所形成的与氧有关的缺陷,在表观上起施主陷阱中心的作用,引起硅片电阻率的漂移,影响器...

    钱家骏 王占国... 第五次全国电子显微学会议论文摘要集 1988-10-01 中国会议

    关键词: 微缺陷 / 陷阱 / 直拉硅 / 施主

    下载(13)| 被引(0)

    Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究  CNKI文献

    在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇...

    杨保华 王占国... 《半导体学报》 1990年10期 期刊

    关键词: LPE / AlGaAsSb/GaSb / 晶格失配 / 喇曼散射

    下载(23)| 被引(0)

    直拉硅单晶中的新施主  CNKI文献

    直拉硅单晶中新施主(ND)的形成不仅依赖于其氧含量,而且为碳的存在所促进;此外,原生晶体中的微缺陷也起非常重要的作用。我们求出的新施主能级分别为 E_(ND)(Ⅰ)=50±5meV,E_(ND)(Ⅱ)=100±10meV(对于 P 型单...

    林兰英 王占国... 《材料科学进展》 1988年04期 期刊

    关键词: 施主 / ND / 光致发光谱 / 电子

    下载(29)| 被引(0)

    在(100)GaAs衬底上低温液相外延晶格匹配的In_(1—x)Ga_xAs...  CNKI文献

    介绍一种低温液相外延技术,可在650℃在GaAs衬底上生长晶格匹配和组份可重复的In(?)xGa_xAs(?)YP(?)层。给出对外延层进行场发射扫描电镜观察、电子探针、X光双晶衍射、俄歇电子谱和光荧光测量得到的结果。结果表明外...

    涂相征 万寿科... 《发光与显示》 1981年02期 期刊

    关键词: 衬底 / 晶格匹配 / 基片 / 外延层

    下载(22)| 被引(0)

    n型LEC-GaAs中E_5能级的研究  CNKI文献

    本文采用DLTS及光电容技术对n型未掺LEC-GaAs材料中的深中心进行了研究.通过对E_5能级阈值附近光电离截面谱的温度效应的分析,提出了此能级向导带的电子发射存在两步光热激发过程的模型,算出激发态位于导带下23meV处....

    张芊 王占国... 《半导体学报》 1989年06期 期刊

    关键词: DLTS / 光电容 / LEC-GaAs / 深能级

    下载(11)| 被引(0)

    退火直拉硅中小于10nm的微缺陷  CNKI文献

    直拉硅中氧的浓度高达10~(18)at/cm~3,在器件工艺的热处理过程中,会产生氧的沉淀或形成硅氧团(SiO_x)。经过650℃下较长时间热处理所形成的与氧有关的缺陷,在表观上起施主陷阱中心的作用,引起硅片电阻率的漂移,影响器...

    钱家骏 王占国... 《电子显微学报》 1988年03期 期刊

    关键词: 微缺陷 / 陷阱 / 直拉硅 / 施主

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    半绝缘GaAs“热转换”的低温光致发光研究  CNKI文献

    半绝缘GaAs单晶是制备多种半导体器件的衬底材料,在外延生长等工艺条件下受热后往往产生一低阻表面层,伴随着电阻率变化还会有表面导电类型的转变和光致发光谱的变化。这些性质被称为“热转换”。在有“热转换”的衬底...

    吴灵犀 张泽华... 《红外研究》 1984年04期 期刊

    关键词: 低温光致发光 / 热转换 / 半绝缘 / GaAs

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