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    CNKI为你找到相关结果

    P_2S_5/NH_4OH处理GaAs(100)表面的电子能谱研究  CNKI文献

    采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P_2S_5/NH_4OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组分。XPS测量分析指出,经过P_2S_5/NH_4OH溶液...

    钟战天 罗文哲... 《物理学报》 1992年04期 期刊

    关键词: GaAs / 钝化处理 / 光学性能 / 电学

    下载(24)| 被引(5)

    GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格中的纵光学声子模  CNKI文献

    本文报道GaAs/Al_xGa_(1-x)As短周期超晶格结构中的纵光学声子模的室温Raman散射测量结果。除了限制在GaAs层中的GaAs LO限制模外,我们还首次观测到限制在Al_xGa_(1-x)As混晶层中的类AlAs LO限制模。根据线性链模型,我...

    汪兆平 韩和相... 《半导体学报》 1990年01期 期刊

    关键词: 超晶格 / 纵光学声子模 / 拉曼散射

    下载(50)| 被引(2)

    光电子发射产额谱仪  CNKI文献

    光电子发射产额谱仪(PYS)是高灵敏度和高能量分辨率的表面分析仪器,能够探测半导体带隙和价带顶附近精细电子态,直接提供此处满表面态的分布形状和精确测量功函数等半导体重要参量。总之,PYS提供了新的信息,尤其作为半...

    钟战天 《真空科学与技术》 1986年02期 期刊

    关键词: 光电子发射谱 / 电子 / 态密度 / 轻子

    下载(68)| 被引(1)

    Si(100)—As表面钝化作用和氧吸附  CNKI文献

    利用自己研制的具有分子束外延系统的表面分析联合谱仪研究了氧与Si(100)—As表面的相互作用。本文进一步证实了As层是Si表面的很好的钝化层,并首次研究了Si(100)—As表面的氧吸附全过程。实验表明,氧的饱和覆盖量为0...

    钟战天 王大文... 《半导体学报》 1990年02期 期刊

    关键词: Si(100)-As表面 / 钝化效应 / 氧吸附 / 粘附系数

    下载(32)| 被引(1)

    分子束外延GaAs/Si异质结的生长和研究  CNKI文献

    使用自己研制的带有MBE系统的表面联合谱仪进行生长和研究GaAs/Si异质结。Si衬底经过重复氧化和去氧的化学腐蚀,随后热处理得到清洁完整的表面。Si上外延GaAs薄膜的生长过程是由低温、慢生长速率生成缓冲层和通常同质...

    钟战天 杨鸿展... 《真空科学与技术》 1989年02期 期刊

    关键词: 异质结 / 衬底 / 半导体结 / 基片

    下载(53)| 被引(0)

    表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响  CNKI文献

    利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同。Au/GaAs界面退火实验表明,当退火温度小于...

    王大文 钟战天... 《真空科学与技术》 1990年04期 期刊

    关键词: 真空淀积 / 热退火 / Au/GaAs / 表面处理

    下载(37)| 被引(0)

    a-Si:(H,Cl)薄膜的XPS和UPS研究  CNKI文献

    对a-Si:(H,C1)薄膜进行了XPS和UPS测量,样品是利用辉光放电方法在SiH_4+H_2加SiCl_4+H_2混合气体中生长的.XPS的结果表明,根据Cl 2p发射峰和Si2p(或2s)发身峰的强度可以定量地确定Cl与Si的原子浓度比;UPS的结果可以解...

    邢益荣 钟战天... 《半导体学报》 1983年06期 期刊

    关键词: 结合键 / 光电子谱 / H / Cl

    下载(72)| 被引(0)

    (113)B-GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱...  CNKI文献

    光致发光(PL)实验表明;与(001)衬底比较,(113)B-GaAs/Al0.3Ga0.7As单量子阱结构(SQW’s)具有增强的光跃迁几率,它被归因于(113)B-GaAs阱中较大的重空穴有效质量mhh结果给出:这个数值比以前所报道的都...

    陈定钦 邢益荣... 《半导体学报》 1997年11期 期刊

    关键词: GaAs / 衬底 / 量子 / 基片

    下载(23)| 被引(0)

    Al_xGa_(1-x)P固溶体XPS和AES研究  CNKI文献

    采用XPS和AES对AI_xGa_(1-x)P(0≤x≤0.64)进行了研究。实验结果表明,组分比x增加时磷的2p结合能减小,价带顶退缩。同时鉴别和澄清了GaP微弱俄歇峰。

    钟战天 邢益荣... 《物理学报》 1985年10期 期刊

    关键词: 价带 / 固溶体 / 能带结构 / GaP

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    热处理GaAs表面氧吸附研究  CNKI文献

    采用俄歇电子谱研究了热处理GaAs(110)表面与氧的相互作用。热处理GaAs表面吸附氧后,Ga俄歇峰向低能移动表明氧与表面Ga原子形成化学键。通过氧俄歇峰强度与氧暴露量的关系和吸附动力学分析,我们得知740℃热处理表面和...

    钟战天 《真空科学与技术》 1989年02期 期刊

    关键词: 暴露量 / GaAs / 氧吸附 / 单原子层

    下载(26)| 被引(0)

    闭管热氧化法生长GaAs自体氧化膜的AES和XPS分析  CNKI文献

    本文首次利用AES和XPS分析了闭管热氧化法生长GaAs自体氧化膜及其界面组成,其主要成分是Ga_2O_3和元素As,少量的As_2O_3分布在氧化层的外侧,从而推断出As_2O_3是本反应的氧化剂。

    戴国瑞 姜秀英... 《发光学报》 1986年04期 期刊

    关键词: 氧化膜 / GaAs / 闭管 / 自体

    下载(21)| 被引(0)

    带有光电子发射产额谱的表面分析联合谱仪  CNKI文献

    一、引言我们研制的表面分析联合谱仪具有LEED,RHEED,AES和光电子发射产额谱仪(PYS)等表面分析器,并带有分子束外延设备以便进行亚原子层金属淀积和生长各种理想表面。这是非常适合半导体表面和界面研究的新型设备。本...

    钟战天 《真空科学与技术》 1987年02期 期刊

    关键词: 光电子发射 / 光子数 / 外光电效应 / 谱仪

    下载(16)| 被引(0)

    不同状态CaAs表面上Au淀积研究  CNKI文献

    利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加...

    王大文 钟战天... 《真空科学与技术》 1990年02期 期刊

    关键词: 真空淀积 / GaAs / 覆盖度 / Au

    下载(9)| 被引(0)

    MBE AI/GaAs界面反应和真空热处理效应  CNKI文献

    利用分子束外延(MBE)设备生长了AI/GaAs(100)肖特基结.通过C-V和I-V电学特性测量看到,肖特基势垒高度随热处理温度上升而增高(≤450℃).同时利用AES和XPS表面分析技术以及喇曼散射光谱研究界面结构、化学反应以及热处...

    钟战天 陈宗圭... 《半导体学报》 1986年02期 期刊

    关键词: GaAs / Al / MBE / AI/GaAs

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    Al/a-Si:H界面反应和热处理行为光发射研究  CNKI文献

    利用XPS和AES对Al/a-Si∶H界面进行了研究.实验结果表明,最初阶段Al淀积在a-Si∶H上出现金属团.Al淀积量超过一定值后,起化学反应的Al和Si形成了互溶区,同时没有化学反应的Al在表面上形成金属Al层.此外,真空热处理加剧...

    钟战天 王大文... 《半导体学报》 1991年02期 期刊

    关键词: Al/a-Si / H界面 / 光发射研究 / 界面形成过程和反应

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    a-Si:(Cl,H)薄膜的PESIS研究  CNKI文献

    利用 Mg Ka X射线作为激发源,对 a-Si:(Cl,H)薄膜进行了 PESIS研究.样品是采用辉光放电方法在SiCl_4-SiH_4-H_2混合气体中,当石墨衬底温度为350℃时生长的.实验发现,薄膜中的Cl只起补偿 Si悬挂键的作用,不起掺杂作用....

    邢益荣 钟战天... 《半导体学报》 1984年04期 期刊

    关键词: 能级 / Cl / H / 光电子谱

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    GaAs_(1-x)P_x固溶体的光电子谱  CNKI文献

    采用XPS测量了GaAs_1-xPx固溶体的芯能级和价带光电子谱。实验结果表明,根据Ga-3d,As-3d和P-2p的发射峰强度可以定量地确定组分比x值。随着磷含量的增加,Ga-3d能级的结合能和等离子振荡损失峰的能量增加,同时价带顶线...

    钟战天 金维新... 《稀有金属》 1987年03期 期刊

    关键词: 固溶体 / 光电子谱 / 能级 / 原子

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    闭管热生长GaAs自体氧化膜的研究  CNKI文献

    为了发展GaAs材料的电子器件和集成电路,必须解决怎样在GaAs表面上生长高质量的自体氧化膜的问题。目前,很多人都在这方面进行研究。

    钟战天 邢益荣... 《稀有金属》 1989年01期 期刊

    关键词: 氧化膜 / nm / GaAs / 表面层

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