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    CNKI为你找到相关结果

    不同浓度F掺杂MoS_2性质的第一性原理计算研究  CNKI文献

    MoS_2二维材料由于其本身就具有直接带隙且带隙不为零,具有优于石墨烯的能带结构,是良好的半导体材料,在电学、磁学、及未来电子器件等方面都有良好的性质和应用前景。利用第一性原理方法,通过替位掺杂的方式,研究了不...

    宋亚峰 师李寰宇... 《中国锰业》 2017年04期 期刊

    关键词: 单层MoS_2 / 第一性原理 / 掺杂 / 电子结构

    下载(149)| 被引(1)

    Effects of V/Ⅲ ratio on a-plane GaN epilayers with an...  CNKI文献

    The effects of V/Ⅲgrowth flux ratio on a-plane GaN films grown on r-plane sapphire substrates with an InGaN interlayer are investigated.The surface morphology,crystalline quality,strain states,and d...

    王建霞 汪连山... 《Chinese Physics B》 2014年02期 期刊

    关键词: V/Ⅲ / ratio / a-plane / GaN

    下载(24)| 被引(1)

    MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响(英文)  CNKI文献

    利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400~600℃。薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量。研究表明:随着生...

    王振华 杨安丽... 《人工晶体学报》 2010年01期 期刊

    关键词: ZnO / 甲醇 / MOCVD / 生长温度

    下载(209)| 被引(3)

    微观量子器件中分子马达单向转动的条件机理研究  CNKI文献

    微观量子器件中的分子马达是微观机械系统与纳米器件领域的重要器件,深入系统地研究了其单向转动的条件及机理。先从几何的角度分析了宏观棘轮工作的物理本质,得出了3个必要条件。之后开始讨论微观棘轮,将热涨落对其的...

    宋亚峰 朱勤生... 《中国锰业》 2017年05期 期刊

    关键词: 分子马达 / 棘轮 / 热涨落 / 热力学第二定律

    下载(36)| 被引(1)

    Electron mobility limited by surface and interface rou...  CNKI文献

    The electron mobility limited by the interface and surface roughness scatterings of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN quantum wells is studied. The newly proposed surface roughness sc...

    王建霞 杨少延... 《Chinese Physics B》 2013年07期 期刊

    关键词: AlGaN/GaN / quantum / wells / surface

    下载(42)| 被引(1)

    共振声子弛豫的太赫兹量子级联激光器有源区结构设计  CNKI文献

    太赫兹量子级联激光器(THz-QCL)被认为是最有希望的固态太赫兹源。通过3种典型的设计方案,用数值方法系统研究了THz-QCL有源区的设计优化。优化结果得到的发光频率为7.56 THz。同时发现共振声子弛豫结构的THz-QCL具有...

    宋亚峰 朱勤生 《中国锰业》 2016年06期 期刊

    关键词: 太赫兹 / 量子级激光器 / 共振声子

    下载(81)| 被引(0)

    不同参数的不对称阶梯型量子阱等离激元特性研究  CNKI文献

    用无规相近似的二子带模型,系统研究了阶梯层宽度、深阱宽度、阶梯层的Al组分(阶梯层势垒的高度)对Al Ga As/Ga As不对称阶梯型量子阱中准二维电子气的等离激元特性的影响。发现子带间等离激元模的能量大小取决于基态...

    宋亚峰 朱勤生... 《中国锰业》 2016年05期 期刊

    关键词: 等离激元 / 集体激发 / 不对称阶梯型量子阱 / 结构参数

    下载(39)| 被引(0)

    新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究  CNKI文献

    利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生长出多层InGaN/GaN量子点。这种方法是对GaN表面进行钝化并在低温下生长,从而增加表面吸附原子的迁移势垒。采用原子力显微镜清楚地观...

    曲宝壮 朱勤生... 《功能材料与器件学报》 2003年01期 期刊

    关键词: 量子点 / MOCVD / 共振隧穿 / InGaN/GaN

    下载(151)| 被引(4)

    GaN的声表面波特性研究  CNKI文献

    采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用等叉指结构,叉指的数目为...

    严莉 陈晓阳... 《发光学报》 2003年02期 期刊

    关键词: GaN / 声表面波速度 / 机电耦合系数

    下载(117)| 被引(5)

    Plasmons in a free-standing nanorod with a two-dimensi...  CNKI文献

    The collective charge density excitations in a free-standing nanorod with a two-dimensional parabolic quantum well are investigated within the framework of Bohm-Pine's random-phase approximation ...

    宋亚峰 吕燕伍... 《Chinese Physics B》 2012年05期 期刊

    关键词: plasmons / two-dimensional / parabolic / quantum

    下载(27)| 被引(0)

    Spacer layer thickness fluctuation scattering in a mod...  CNKI文献

    We theoretically study the influence of spacer layer thickness fluctuation(SLTF) on the mobility of a twodimensional electron gas(2DEG) in the modulation-doped Al x Ga 1 x As/GaAs/Al x Ga 1 x As quan...

    谷承艳 刘贵鹏... 《Chinese Physics B》 2012年10期 期刊

    关键词: spacer / layer / thickness / fluctuation

    下载(22)| 被引(0)

    人体健康状态系统辨识研究  CNKI文献

    21世纪,随着中国人口老龄化的到来,各种非传染性慢性疾病(NCD)、老年性疾病的问题和医疗费用的恶性膨胀将引发严重社会问题和医疗危机。解决当前全球医疗危机的唯一出路将医学的首要目标设定为"预防疾病和损伤,维...

    徐学敏 朱贻盛... 第十届中国科协年会论文集(三) 2008-09-01 中国会议

    关键词: 生物医学工程 / 健康状态 / 多参数 / 模式识别

    下载(132)| 被引(1)

    外电场下不对称阶梯型量子阱的等离激元特性  CNKI文献

    我们研究了Al Ga As/Ga As不对称阶梯形量子阱中准二维电子气的集体激发色散关系随电场的变化特性。发现正向电场会使子带间等离激元模变短甚至消失,反向电场会使子带间等离激元模变变长。该子带间集体激发模波矢的有...

    宋亚峰 朱勤生... 《电子技术与软件工程》 2016年22期 期刊

    关键词: 等离激元 / 集体激发 / 不对称阶梯形量子阱 / 电场

    下载(42)| 被引(0)

    钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性  CNKI文献

    采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6 3×1010/cm2。...

    陈振 韩培德... 《发光学报》 2003年02期 期刊

    关键词: InGaN / 量子点 / 光学特性

    下载(132)| 被引(0)

    (113)B-GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱...  CNKI文献

    光致发光(PL)实验表明;与(001)衬底比较,(113)B-GaAs/Al0.3Ga0.7As单量子阱结构(SQW’s)具有增强的光跃迁几率,它被归因于(113)B-GaAs阱中较大的重空穴有效质量mhh结果给出:这个数值比以前所报道的都...

    陈定钦 邢益荣... 《半导体学报》 1997年11期 期刊

    关键词: GaAs / 衬底 / 量子 / 基片

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