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    双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验  CNKI文献

    选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应...

    刘敏波 陈伟... 《强激光与粒子束》 2014年03期 期刊

    关键词: 双极集成电路 / 低剂量率 / 高温辐照 / 界面态

    下载(141)| 被引(9)

    CMOS有源像素图像传感器的辐照损伤效应  CNKI文献

    互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素(APS)图像传感器作为光电成像系统的核心器件,被广泛应用在空间辐射或核辐射环境中,辐照损伤是导致其性能退化,甚至功能失效的主要原因之一。阐述了不同辐射粒子或射线辐照损伤诱发...

    王祖军 林东生... 《半导体光电》 2014年06期 期刊

    关键词: CMOS / APS / 位移效应 / 总剂量效应

    下载(283)| 被引(12)

    CCD辐射损伤效应及加固技术研究进展  CNKI文献

    综述了电荷耦合器件(CCD)在空间环境和核辐射领域中的辐射效应研究进展;阐述了不同粒子辐照CCD的损伤效应机理及暗电流、平带电压和电荷转移效率等敏感参数的退化机制;从制造工艺、器件结构、工作模式等方面介绍了CCD...

    王祖军 唐本奇... 《半导体光电》 2009年06期 期刊

    关键词: 电荷耦合器件 / 辐射效应 / 损伤机理 / 暗电流

    下载(424)| 被引(13)

    CCD位移辐射效应损伤机理分析  CNKI文献

    研究了电荷耦合器件(CCD)位移辐射效应的损伤机理。分析了位移损伤诱发的体缺陷对CCD工作性能的影响。研究了位移损伤导致CCD电荷转移效率降低、体暗电流密度增大、暗电流尖峰以及随机电码信号(RTS)出现的规律和机理。

    王祖军 黄绍艳... 《半导体光电》 2010年02期 期刊

    关键词: CCD / 位移辐射 / 缺陷能级 / 电荷转移效率

    下载(306)| 被引(14)

    质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析  CNKI文献

    开展了电荷耦合器件(CCD)质子辐照损伤的实验研究.分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律,阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退化的损伤机理,比较了不同能量质子对电荷转移效率的损伤程度.通过开展辐射粒子输运理论...

    王祖军 唐本奇... 《物理学报》 2010年06期 期刊

    关键词: 电荷耦合器件 / 质子 / 辐照效应 / 电荷转移效率

    下载(161)| 被引(8)

    CCD电离辐射效应损伤机理分析  CNKI文献

    研究了CCD电离辐射引起总剂量效应和瞬态电离效应的损伤机理。分析了总剂量效应导致CCD平带电压和阈值电压漂移、表面暗电流密度增大以及饱和输出电压下降的规律和机理。研究了单粒子瞬态电离辐射导致CCD单粒子瞬态电...

    王祖军 唐本奇... 《核电子学与探测技术》 2009年03期 期刊

    关键词: CCD电离辐射 / 平带电压 / 表面暗电流 / 饱和输出电压

    下载(270)| 被引(12)

    多量子阱激光二极管质子辐射效应及其退火特性  CNKI文献

    研究5和2 MeV质子对法布里-珀罗(FP)腔结构及分布反馈(DFB)结构的多量子阱激光二极管的辐射效应,结果显示:在5×1012~5×1013cm-2质子注量范围内,随着注量的增大,激光二极管阈值电流逐渐增大,电流-电压特性的...

    黄绍艳 刘敏波... 《强激光与粒子束》 2009年09期 期刊

    关键词: 激光二极管 / 辐射效应 / 质子 / 阈值电流

    下载(145)| 被引(15)

    InGaAsP器件质子位移损伤等效性研究  CNKI文献

    对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算,分析了不同库仑散射模型的适用范围,并利用Monte-Carlo方法...

    黄绍艳 刘敏波... 《原子能科学技术》 2016年09期 期刊

    关键词: InGaAsP / NIEL / 位移损伤 / 等效性

    下载(72)| 被引(5)

    双极晶体管ELDRS实验及数值模拟  CNKI文献

    对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究。选取了两种类型的双极晶体管,利用60Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建立了衬底型NPN晶体管...

    刘敏波 陈伟... 《微电子学》 2015年02期 期刊

    关键词: 双极晶体管 / 低剂量率 / 氧化物陷阱电荷 / 空间电场

    下载(88)| 被引(5)

    NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究  CNKI文献

    针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效...

    盛江坤 邱孟通... 《原子能科学技术》 2014年08期 期刊

    关键词: NAND型Flash存储器 / 总剂量效应 / 辐照偏置 / 工艺尺寸

    下载(88)| 被引(6)

    辐射损伤诱发CCD敏感参数退化分析  CNKI文献

    研究了CCD敏感参数受辐照后的退化情况。分析了电荷转移效率受不同粒子辐照后的退化情况,并列表进行了对比;分析了暗电流受辐射增大的规律;分析了平带电压和阈值电压受辐射后的漂移现象。初步确定了CCD敏感参数的辐射...

    王祖军 刘以农... 《核电子学与探测技术》 2010年02期 期刊

    关键词: CCD / 辐射损伤 / 体缺陷 / 敏感参数

    下载(164)| 被引(9)

    光电耦合器的反应堆中子辐射效应  CNKI文献

    选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体...

    黄绍艳 刘敏波... 《强激光与粒子束》 2011年03期 期刊

    关键词: 光电耦合器 / 光敏晶体管 / 反应堆中子 / 电流传输比

    下载(152)| 被引(7)

    光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应  CNKI文献

    开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破...

    黄绍艳 刘敏波... 《强激光与粒子束》 2014年08期 期刊

    关键词: 光电耦合器 / γ总剂量 / 低剂量率辐照损伤增强

    下载(68)| 被引(0)

    低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究  CNKI文献

    本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化...

    姚志斌 陈伟... 《原子能科学技术》 2018年06期 期刊

    关键词: 低剂量率辐照损伤增强效应 / 数值仿真 / 总剂量效应 / 高温辐照

    下载(64)| 被引(1)

    CCD质子辐照损伤效应的三维蒙特卡罗模拟  CNKI文献

    针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究。采用三维蒙特卡罗软件Geant4模拟计算了不同能量质子在Si和SiO_2中的射程及Bragg峰,分析了不同能量质子在材料中能量沉积的过程,并将...

    薛院院 王祖军... 《强激光与粒子束》 2018年04期 期刊

    关键词: 电荷耦合器件(CCD) / 质子 / Geant4 / 电离能量沉积

    下载(84)| 被引(0)

    65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤...  CNKI文献

    对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖...

    马武英 姚志斌... 《物理学报》 2018年14期 期刊

    关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 / 60Co / γ辐照 / 辐射损伤

    下载(46)| 被引(1)

    InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应  CNKI文献

    本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104Gy。结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性I、-V特性及中心...

    黄绍艳 刘敏波... 《原子能科学技术》 2009年11期 期刊

    关键词: 多量子阱激光二极管 / γ射线 / 辐射效应

    下载(119)| 被引(11)

    中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大的数值模拟  CNKI文献

    分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型。运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1MeV中子在辐照注量为1010~1014cm-2时,Si PIN光电二极...

    王祖军 陈伟... 《原子能科学技术》 2010年02期 期刊

    关键词: PIN光电二极管 / 中子辐照 / 暗电流 / 数值模拟

    下载(214)| 被引(6)

    电荷耦合器件辐射效应理论分析与模拟试验方法研究  CNKI文献

    分析了CCD电离效应和位移损伤机理,建立了一种国产埋沟CCD器件物理模型,实现了CCD信号电荷动态转移过程的数值模拟,计算了1MeV1、4MeV中子引起的CCD电荷转移效率的变化规律.建立了线阵CCD辐照效应离线测量系统,实现了...

    唐本奇 肖志刚... 《电子学报》 2007年08期 期刊

    关键词: CCD / 辐射效应 / 理论分析 / 模拟试验

    下载(213)| 被引(7)

    激光二极管的位移损伤效应研究  CNKI文献

    以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流子陷阱两种情形下的激光二极管阈值电流、外微分量子效率及I-V特性随辐照注量的变化规律...

    黄绍艳 刘敏波... 《半导体光电》 2011年02期 期刊

    关键词: 激光二极管 / 位移损伤 / 阈值电流 / 外微分量子效率

    下载(161)| 被引(4)

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