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    纳米静态随机存储器低能质子单粒子翻转敏感性研究  CNKI文献

    针对65,90,250 nm三种不同特征尺寸的静态随机存储器基于国内和国外质子加速器试验平台,获取了从低能到高能完整的质子单粒子翻转截面曲线.试验结果表明,对于纳米器件1 MeV以下低能质子所引起的单粒子翻转截面比高能质...

    罗尹虹 张凤祁... 《物理学报》 2016年06期 期刊

    关键词: 低能质子 / 纳米静态随机存储器 / 单粒子翻转 / 直接电离

    下载(94)| 被引(6)

    累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究  CNKI文献

    本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究...

    肖尧 郭红霞... 《物理学报》 2014年01期 期刊

    关键词: 累积剂量 / 单粒子效应 / 静态随机存储器 / 反印记效应

    下载(173)| 被引(5)

    质子和中子在硅中位移损伤等效性计算  CNKI文献

    基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟...

    王园明 郭晓强... 《强激光与粒子束》 2013年07期 期刊

    关键词: 中子 / 质子 / / 反冲原子

    下载(202)| 被引(7)

    纳米DDR SRAM器件重离子单粒子效应试验研究  CNKI文献

    针对90nm和65nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可...

    罗尹虹 张凤祁... 《强激光与粒子束》 2013年10期 期刊

    关键词: 纳米SRAM / 单粒子效应 / 多位翻转 / 测试图形

    下载(103)| 被引(8)

    Synergistic effects of total ionizing dose on single e...  CNKI文献

    Synergistic effects of the total ionizing dose(TID) on the single event upset(SEU) sensitivity in static random access memories(SRAMs) were studied by using protons. The total dose was cumulated with...

    肖尧 郭红霞... 《Chinese Physics B》 2014年11期 期刊

    关键词: single / event / upset / total

    下载(43)| 被引(2)

    静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究  CNKI文献

    应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4~ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位...

    贺朝会 耿斌... 《核电子学与探测技术》 2002年02期 期刊

    关键词: 静态随机存取存储器 / 重离子加速器 / 252Cf源 / 单粒子翻转效应

    下载(305)| 被引(23)

    浮栅ROM器件的辐射效应实验研究  CNKI文献

    浮栅ROM器件的质子和中子辐射效应实验结果表明 ,其 31.9MeV质子和 14MeV中子的辐射效应不是单粒子效应 ,而是一种总剂量效应 .浮栅ROM器件的6 0 Coγ辐照实验验证了这一点 .器件出现错误有个注量或剂量阈值 .动态监测...

    贺朝会 耿斌... 《物理学报》 2003年01期 期刊

    关键词: FLASHROM / EEPROM / 60Coγ源 / 单粒子效应

    下载(155)| 被引(16)

    直接数字式频率合成器单粒子效应实验研究  CNKI文献

    在直接数字式频率合成器(DDS)单粒子效应失效现象的基础上,研制了具备寄存器读写、功耗电流测试和输出效应波形捕获功能的DDS辐射效应在线测试系统,开展了DDS单粒子效应实验研究。结果表明,单粒子效应会导致DDS输出波...

    王园明 阮林波... 《强激光与粒子束》 2016年10期 期刊

    关键词: 直接数字式频率合成器 / 单粒子效应 / 波形扰动 / 功能中断

    下载(34)| 被引(2)

    浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析  CNKI文献

    比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad...

    贺朝会 耿斌... 《电子学报》 2003年08期 期刊

    关键词: FLASHROM / EEPROM / SRAM / 单粒子效应

    下载(185)| 被引(14)

    浮栅ROM器件辐射效应机理分析  CNKI文献

    分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理 ,合理地解释了实验中观察到的现象 .指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因 .浮栅ROM器件的中子、质子和6...

    贺朝会 耿斌... 《物理学报》 2003年09期 期刊

    关键词: FLASH / ROM / EEPROM / 中子

    下载(134)| 被引(13)

    功率MOS、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究  CNKI文献

    建立了利用2 52 Cf裂片源 ,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置 ,开展了功率 MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究 ,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值 ,以及...

    唐本奇 王燕萍... 《核电子学与探测技术》 2001年05期 期刊

    关键词: 功率MOS器件 / IBGT / 单粒子烧毁 / 单粒子栅穿

    下载(235)| 被引(8)

    脉宽调制器单粒子效应测试系统研制  CNKI文献

    本文在分析脉宽调制器(PWM)单粒子效应主要失效模式的基础上,研制了具备频率异常测试、占空比异常测试和参考电压测试功能的PWM单粒子效应测试系统,并在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上开展了单粒子效应试验。...

    赵雯 郭红霞... 《原子能科学技术》 2014年S1期 期刊

    关键词: 脉宽调制器 / 单粒子效应 / 测试系统

    下载(52)| 被引(2)

    利用加速器提供的重离子进行SRAM单粒子效应研究  CNKI文献

    报导了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的实验和测量。给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转截面随线性能量转移值的变化关系曲线。

    张正选 李国政... 《强激光与粒子束》 2000年01期 期刊

    关键词: 串列静电加速器 / 单粒子效应 / 静态随机存储器

    下载(136)| 被引(10)

    GaN HEMT器件中子辐照效应实验研究  CNKI文献

    建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移...

    王燕萍 罗尹虹... 《固体电子学研究与进展》 2011年06期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 高电子迁移率晶体管 / 中子辐照

    下载(153)| 被引(1)

    功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法  CNKI文献

    根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立...

    唐本奇 王燕萍... 《计算物理》 2000年Z1期 期刊

    关键词: 功率MOS器件 / 单粒子栅穿 / 电路模拟

    下载(145)| 被引(7)

    FLASHROM28F256和29C256的14MeV中子辐照实验研究  CNKI文献

    给出了国内首次 FL ASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现 2 8F2 56和 2 9C2 56器件的14Me V中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应 ,它只有“0”→“1”错误。错误发生有个中子注量阈值 ,当中子注量小于...

    贺朝会 陈晓华... 《核电子学与探测技术》 2000年02期 期刊

    关键词: FLASHROM / 14MeV中子 / 单粒子效应 / 总剂量效应

    下载(99)| 被引(7)

    EEPROM 28C64和28C256的14MeV中子辐照特性  CNKI文献

    给出了 E E P R O M 器件的中子辐照实验结果,发现 28 C64 和 28 C256 的 14 M e V 中子辐照效应不是以往所认为的单粒子效应,而是总剂量效应。器件出现的错误不是随机的,而是存在中子注量...

    贺朝会 陈晓华... 《微电子学》 1999年04期 期刊

    关键词: EEPROM / 中子辐照 / 单粒子效应 / 总剂量效应

    下载(110)| 被引(10)

    ~(252)Cf源模拟空间单粒子效应辐照在线测量系统和应用  CNKI文献

    描述了新建的2 52 Cf源模拟空间单粒子效应辐照在线测量系统 ,给出利用该系统进行的MOS功率器件和SRAM器件单粒子效应实验及结果

    王燕萍 唐本奇... 《核技术》 2002年04期 期刊

    关键词: 252Cf源 / 单粒子效应 / 重离子模拟

    下载(90)| 被引(6)

    浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究  CNKI文献

    给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的...

    贺朝会 耿斌... 《核电子学与探测技术》 2002年04期 期刊

    关键词: FLASHROM / EEPROM / 60Coγ源 / 总剂量效应

    下载(57)| 被引(11)

    用~(252)Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法  CNKI文献

    建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率MOS场效应晶体管的SEB、SEGR效应研究 ,给出了被测试器件SEB、SEGR效应的损伤阈值。结果...

    唐本奇 王燕萍... 《原子能科学技术》 2000年04期 期刊

    关键词: 功率MOS器件 / 单粒子烧毁 / 单粒子栅穿

    下载(66)| 被引(10)

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