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    CNKI为你找到相关结果

    双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验  CNKI文献

    选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应...

    刘敏波 陈伟... 《强激光与粒子束》 2014年03期 期刊

    关键词: 双极集成电路 / 低剂量率 / 高温辐照 / 界面态

    下载(141)| 被引(9)

    纳米器件空间辐射效应机理和模拟试验技术研究进展  CNKI文献

    电子器件空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素之一,一直是国际上抗辐射加固技术领域研究的热点和难点.高可靠、高集成度、高性能、低功耗、低成本是未来新一代先进电子系统发展的必然要求,采用更高性...

    陈伟 刘杰... 《科学通报》 2018年13期 期刊

    关键词: 纳米器件 / 空间辐射效应 / 抗辐射加固 / 模拟试验

    下载(207)| 被引(2)

    CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展  CNKI文献

    CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodio...

    王祖军 刘静... 《半导体光电》 2017年01期 期刊

    关键词: CMOS图像传感器 / 总剂量效应 / 辐照损伤 / 抗辐射加固技术

    下载(282)| 被引(4)

    超深亚微米器件总剂量辐射效应三维数值模拟  CNKI文献

    本文分析了浅槽隔离(STI)结构辐射诱导电荷的分布情况,给出一种模拟超深亚微米器件总剂量辐射效应的新方法.研究结果表明,如果在栅附近沿着STI侧墙不加辐照缺陷,仿真出的0.18μm超深亚微米晶体管亚阈区I-V特性没有反常...

    何宝平 丁李利... 《物理学报》 2011年05期 期刊

    关键词: 总剂量 / 超陡倒掺杂 / Halo掺杂 / 辐射效应

    下载(235)| 被引(11)

    大规模集成电路总剂量效应测试方法初探  CNKI文献

    提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时 ,监测器件功耗电流的变化情况 ,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路 :静态随机存取存储...

    贺朝会 耿斌... 《物理学报》 2004年01期 期刊

    关键词: 测试方法 / 总剂量效应 / 大规模集成电路

    下载(565)| 被引(61)

    静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟  CNKI文献

    针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子...

    张科营 郭红霞... 《物理学报》 2009年12期 期刊

    关键词: 三维数值模拟 / 单粒子翻转 / 微束 / 宽束

    下载(329)| 被引(15)

    亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究  CNKI文献

    利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35~0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线...

    郭红霞 罗尹虹... 《原子能科学技术》 2010年12期 期刊

    关键词: 静态随机存储器 / 多位翻转 / 重离子加速器

    下载(252)| 被引(20)

    CMOS器件~(60)Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较  CNKI文献

    利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用60Coγ射线、1MeV电子...

    何宝平 陈伟... 《物理学报》 2006年07期 期刊

    关键词: γ射线 / 电子 / 质子 / 辐射损伤

    下载(400)| 被引(24)

    静态单粒子翻转截面的获取及分类  CNKI文献

    为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对...

    姚志斌 范如玉... 《强激光与粒子束》 2011年03期 期刊

    关键词: FPGA / 辐照效应 / 单粒子效应 / 单粒子翻转

    下载(238)| 被引(10)

    互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研...  CNKI文献

    给出了一种新的预估互补金属氧化物半导体器件(CMOS器件)空间低剂量率辐射效应模型,相对线性响应预估模型,该模型在预估CMOS器件低剂量率辐射效应方面更接近实际试验结果,且不同剂量率辐射试验结果证实了所建模型的正...

    何宝平 姚志斌 《物理学报》 2010年03期 期刊

    关键词: 电离辐射 / 总剂量 / 低剂量率 / 预估方法

    下载(140)| 被引(11)

    低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应  CNKI文献

    对金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究 .对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较 .结果表明 ,低剂量率辐照下 ,感生界面态要受到辐...

    张廷庆 刘传洋... 《物理学报》 2001年12期 期刊

    关键词: 辐照效应 / 阈值电压漂移 / 低剂量率 / 低温

    下载(272)| 被引(35)

    InGaAsP器件质子位移损伤等效性研究  CNKI文献

    对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算,分析了不同库仑散射模型的适用范围,并利用Monte-Carlo方法...

    黄绍艳 刘敏波... 《原子能科学技术》 2016年09期 期刊

    关键词: InGaAsP / NIEL / 位移损伤 / 等效性

    下载(72)| 被引(5)

    MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质  CNKI文献

    通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N沟晶体管反型 )时 ,受主型界面态为负电荷 ,...

    郭红霞 张义门... 《固体电子学研究与进展》 2003年02期 期刊

    关键词: 费米能级 / 氧化物陷阱电荷 / 受主型/施主型界面态陷阱

    下载(393)| 被引(16)

    0.6μm MOS器件稳态总剂量损伤效应研究  CNKI文献

    合作制备了体硅0.6μm工艺直栅和环栅不同设计结构的MOS器件,开展了稳态高剂量率电离辐射总剂量效应试验。通过对实验数据进行分析,研究当器件特征尺寸达到亚微米、深亚微米时,不同设计结构、不同辐照偏置条件对实验结...

    罗尹虹 郭红霞... 《固体电子学研究与进展》 2010年01期 期刊

    关键词: 体硅0.6μm工艺 / 高剂量率 / 总剂量效应

    下载(147)| 被引(13)

    静态随机访问存储器型现场可编程门阵列辐照效应测试系统研...  CNKI文献

    在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上,详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测...

    姚志斌 何宝平... 《强激光与粒子束》 2009年05期 期刊

    关键词: 现场可编程门阵列 / 辐照效应 / 测试系统 / 静态随机访问存储器

    下载(135)| 被引(13)

    双极晶体管ELDRS实验及数值模拟  CNKI文献

    对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究。选取了两种类型的双极晶体管,利用60Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建立了衬底型NPN晶体管...

    刘敏波 陈伟... 《微电子学》 2015年02期 期刊

    关键词: 双极晶体管 / 低剂量率 / 氧化物陷阱电荷 / 空间电场

    下载(88)| 被引(5)

    NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究  CNKI文献

    针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效...

    盛江坤 邱孟通... 《原子能科学技术》 2014年08期 期刊

    关键词: NAND型Flash存储器 / 总剂量效应 / 辐照偏置 / 工艺尺寸

    下载(88)| 被引(6)

    MOS器件辐照过程和辐照后效应模拟  CNKI文献

    模拟MOS器件脉冲电离辐射响应和长时间恢复效应.假设隧道电子从硅进入氧化层和界面态的建立是辐射效应的恢复机理.在整个退火恢复期,采用卷积模型并考虑了栅偏置压的效应.模拟结果表明:退火过程所加栅偏压的大小以及隧...

    何宝平 张凤祁... 《计算物理》 2007年01期 期刊

    关键词: 电离辐射 / 界面态 / 退火 / 模拟

    下载(269)| 被引(9)

    光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应  CNKI文献

    开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破...

    黄绍艳 刘敏波... 《强激光与粒子束》 2014年08期 期刊

    关键词: 光电耦合器 / γ总剂量 / 低剂量率辐照损伤增强

    下载(68)| 被引(0)

    低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究  CNKI文献

    本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化...

    姚志斌 陈伟... 《原子能科学技术》 2018年06期 期刊

    关键词: 低剂量率辐照损伤增强效应 / 数值仿真 / 总剂量效应 / 高温辐照

    下载(64)| 被引(1)

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