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    InN材料及其应用  CNKI文献

    由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。

    谢自力 张荣... 《微纳电子技术》 2004年12期 期刊

    关键词: InN / 带隙 / 半导体材料 / 晶格常数

    下载(499)| 被引(22)

    GaN纳米线材料的特性和制备技术  CNKI文献

    GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料 ,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中 ,并可用于大功率微波器件 .最近几年 ,由于GaN蓝光二极管的成功研制 ,使GaN成为了化合物半导体领域...

    谢自力 张荣... 《纳米技术与精密工程》 2004年03期 期刊

    关键词: 半导体 / 氮化镓 / 纳米线 / MOCVD

    下载(787)| 被引(11)

    额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响  CNKI文献

    在氢化物气相外延 (HVPE)生长 Ga N过程中 ,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外 HCl来改善 Ga N外延薄膜质量的方法 ,并且讨论了额外 HCl和氮化对 Ga N形貌和质量的影响 .两种方法都可以大幅度地改善 Ga N的晶体质...

    修向前 张荣... 《半导体学报》 2003年11期 期刊

    关键词: 氢化物气相外延(HVPE) / GaN / 氮化 / 额外HCl

    下载(139)| 被引(11)

    AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长  CNKI文献

    文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了A lxGa1-xN/GaN DBR的结构质...

    李亮 张荣... 《激光与红外》 2005年11期 期刊

    关键词: AlGaN / GaN / 分布布拉格反射镜 / MOCVD

    下载(158)| 被引(6)

    InN薄膜的退火特性  CNKI文献

    对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒....

    谢自力 张荣... 《半导体学报》 2006年02期 期刊

    关键词: InN / 热退火 / X射线衍射 / 扫描电子显微镜

    下载(182)| 被引(3)

    在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN  CNKI文献

    利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN...

    谢自力 张荣... 《人工晶体学报》 2005年06期 期刊

    关键词: InN / 预淀积In纳米点 / MOCVD

    下载(134)| 被引(3)

    MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征  CNKI文献

    本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括...

    李亮 张荣... 《人工晶体学报》 2005年06期 期刊

    关键词: MOCVD / InxGa1-xN / 薄膜 / 缓冲层

    下载(98)| 被引(3)

    GaN基光发射二极管中深能级研究  CNKI文献

    利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说...

    毕朝霞 张荣... 《固体电子学研究与进展》 2002年04期 期刊

    关键词: 深能级瞬态谱 / 光发射二极管 / 铟镓氮

    下载(119)| 被引(1)

    金属-铁电体-GaN结构研究  CNKI文献

    以铁电体 Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7) O3取代传统绝缘栅氧化物制备了 Ga N基金属 -绝缘层 -半导体 (MIS)结构 .由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数 ,Ga N基金属 -铁电体 -半导体 (MFS)结构的电容 -电压特性与其他 Ga...

    毕朝霞 张荣... 《半导体学报》 2002年01期 期刊

    关键词: GaN / PZT / MFS / MOCVD

    下载(118)| 被引(1)

    ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长  CNKI文献

    研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O...

    毕朝霞 张荣... 《半导体学报》 2001年08期 期刊

    关键词: GaN / ZnAl2O4 / MOCVD / X射线衍射(XRD)

    下载(66)| 被引(1)

    Pb(Zr_(0.53)Ti(0.47))O_3/GaN结构的制备和电学性质研究  CNKI文献

    以铁电体Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3(PZT)取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构。由于铁电体具有较强的极化电场和高的介电常数,GaN基金属-铁电-半导体(MFS)结构的C-V特性和其他GaN基MIS结构相...

    毕朝霞 张荣... 2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研讨会... 2000-06-30 中国会议

    关键词: GaN / MFS / PZT / C-V

    下载(29)| 被引(0)

    ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的MOCVD生长  CNKI文献

    研究了直接在ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜。利用脉冲激光淀积法在α-Al_2O_3衬底上淀积了高质量ZnO薄膜,对ZnO/α-Al_2O_3样品高温退火得到了具有ZnAl_2O_4覆盖层的α-Al_2O_3衬底,并在此衬底...

    毕朝霞 张荣... 2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研讨会... 2000-06-30 中国会议

    关键词: GaN / ZnAl_2O_4 / MOCVD / X射线衍射

    下载(17)| 被引(0)

    Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电...  CNKI文献

    通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 ...

    沈波 李卫平... 《发光学报》 2001年S1期 期刊

    关键词: C-V特性 / Pb(ZrTi)O3 / 铁电薄膜 / AlxGa1-xN/GaN

    下载(55)| 被引(1)

    ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长  CNKI文献

    利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向,然后变为...

    毕朝霞 张荣... 《中国科学(A辑)》 2002年10期 期刊

    关键词: GaN / ZnAl_2O_4 / MOCVD / X射线衍射

    下载(55)| 被引(0)

    GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长  CNKI文献

    用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的...

    陈敦军 毕朝霞... 《半导体学报》 2002年07期 期刊

    关键词: GaN1-xPx / MOCVD / 化学态 / 红移

    下载(42)| 被引(1)

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