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    异质结太阳电池硅衬底绒面陷光结构的优化  CNKI文献

    硅异质结(SHJ)太阳电池作为备受关注的新型高效太阳电池,是在单晶硅表面沉积非晶硅薄膜制备而成的。将绒面结构的单晶硅衬底应用于异质结太阳电池,可以减少光的反射,增强光吸收的效率,从而提高太阳电池短路电流密度。...

    王利果 赵振越... 《光学学报》 2015年02期 期刊

    关键词: 光学设计 / 陷光 / 制绒 / 金字塔形貌

    下载(279)| 被引(7)

    稀土元素(Ce,Pr)掺杂GaN的电子结构和光学性质的理论研究  CNKI文献

    采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了稀土元素Ce,Pr掺杂GaN的晶格参数、能带、电子态密度和光学性质,使用LSDA+U的方法处理具有强关联作用的稀土4f态,并分析比较计算结果.计算表明:掺入Ce和Pr后的体系...

    李倩倩 郝秋艳... 《物理学报》 2013年01期 期刊

    关键词: GaN / 稀土掺杂 / 电子结构 / 光学性质

    下载(582)| 被引(26)

    掺杂PEDOT∶PSS对聚合物太阳能电池性能影响的研究  CNKI文献

    研究了掺杂后poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulphonic acid)(PEDOT∶PSS)电导率的变化以及掺杂PEDOT∶PSS薄膜对聚合物太阳能电池器件性能的影响.实验发现,向PEDOT∶PSS中掺入极性溶剂二甲基亚砜(D...

    郝志红 胡子阳... 《物理学报》 2011年11期 期刊

    关键词: PEDOT∶PSS / 电导率 / 聚合物太阳能电池 / 能量转换效率

    下载(958)| 被引(14)

    准单晶硅技术研究进展  CNKI文献

    准单晶硅结合了铸造多晶硅和直拉单晶硅的特点,既具有成本低,产量高的优势,又具有转化效率高的优点。但目前各企业和科研单位对准单晶硅的研究仍处于实验探索阶段。本文系统阐述了准单晶技术的研究进展,介绍了准单晶的...

    苏柳 郝秋艳... 《硅酸盐通报》 2012年03期 期刊

    关键词: 准单晶 / 铸造工艺 / 晶界 / 缺陷

    下载(508)| 被引(13)

    不同形貌的金字塔结构对硅片表面钝化和异质结太阳电池的影...  CNKI文献

    在晶体硅表面沉积本征非晶硅层的异质结(SHJ)太阳电池以其高效率、高稳定性、低成本和低温制备等诸多优势被人们广泛关注.在晶体硅衬底表面制绒,是提高太阳电池效率的有效途径之一.本文采用四甲基氢氧化铵(TMAH)在硅片...

    王利果 张晓丹... 《物理化学学报》 2014年09期 期刊

    关键词: 制绒 / 金字塔形貌 / 反射率 / 少子寿命

    下载(198)| 被引(4)

    nc-Si:H/c-Si硅异质结太阳电池中本征硅薄膜钝化层的优化  CNKI文献

    采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄膜,研究了硅烷浓度(CS)对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响.将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢化纳米晶硅/晶硅(nc-...

    乔治 解新建... 《物理化学学报》 2015年06期 期刊

    关键词: 本征硅薄膜 / 射频等离子体增强化学气相沉积 / 界面钝化 / 少子寿命

    下载(151)| 被引(5)

    纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性  CNKI文献

    在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀性.用该外延...

    陈贵锋 谭小动... 《物理学报》 2011年07期 期刊

    关键词: 纳米柱LED / 光致发光 / 电致发光

    下载(250)| 被引(6)

    快速热处理工艺下金属杂质对铸造多晶硅少子寿命的影响  CNKI文献

    利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响。研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃...

    陈玉武 郝秋艳... 《太阳能学报》 2009年05期 期刊

    关键词: 铸造多晶硅 / RTP / 少子寿命 / 杂质

    下载(384)| 被引(12)

    多晶硅太阳电池酸腐表面织构的研究  CNKI文献

    采用酸腐多晶Si片的方法,获得了各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液,并用H3PO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统,分析了腐蚀后多晶Si片的表面形貌和反射率。结果表明,酸腐多晶Si表面分布...

    王立建 刘彩池... 《光电子.激光》 2007年03期 期刊

    关键词: 表面织构 / 多晶Si / 太阳电池

    下载(488)| 被引(16)

    溶液法制备氧化锌晶体的微结构及发光特性研究(英文)  CNKI文献

    以醋酸锌和六次甲基四胺为原料在不同的溶液环境中,采用水热法或热溶液法合成了不同形貌的微纳氧化锌。氧化锌形貌和尺寸的控制对合成环境有强烈的依赖。通过化学吸附将乙二胺四乙酸二钠和柠檬酸吸附在氧化锌的极性面...

    张辉 陈贵锋... 《发光学报》 2015年06期 期刊

    关键词: 氧化锌 / 微结构 / 拉曼光谱

    下载(114)| 被引(3)

    大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟  CNKI文献

    为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入 ,对常规的 4 0 6mm(16英寸 )热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统 ,使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数值模拟计算 ,分析了热场的温度分...

    任丙彦 刘彩池... 《人工晶体学报》 2000年04期 期刊

    关键词: 直拉硅单晶 / 热场 / 加热器 / 热对流

    下载(478)| 被引(24)

    快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响  CNKI文献

    利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品...

    陈玉武 郝秋艳... 《光电子.激光》 2008年10期 期刊

    关键词: PFCVD / 氮化硅 / RTP / 太阳电池

    下载(425)| 被引(7)

    选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展  CNKI文献

    Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一,具有宽禁带、高温下物理、化学性质稳定等特点,在光电子、微电子等领域有广泛的应用。降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关...

    张帷 刘彩池... 《半导体技术》 2007年02期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 外延 / 横向过生长 / 悬挂式外延生长

    下载(411)| 被引(14)

    Si衬底GaN基材料及器件的研究  CNKI文献

    GaN具有禁带宽、热导率高等特点,广泛应用于光电子和微电子器件领域。Si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成,因而具有很高的研究价值。介绍了Si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现...

    滕晓云 刘彩池... 《半导体技术》 2006年02期 期刊

    关键词: GaN / Si衬底 / 外延生长

    下载(466)| 被引(12)

    快速热处理对铸造多晶硅性能的影响  CNKI文献

    采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响。结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中...

    陈玉武 郝秋艳... 《材料热处理学报》 2008年05期 期刊

    关键词: 铸造多晶硅 / 少子寿命 / 快速热处理(RTP) / 缺陷

    下载(384)| 被引(9)

    VHF-PECVD法制备μc-SiGe薄膜的研究  CNKI文献

    分别以Si2H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜,用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究。结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列...

    敦亚琳 张建军... 《光电子.激光》 2011年03期 期刊

    退火方式及PCBM阴极修饰层对聚合物太阳电池的影响  CNKI文献

    研究了不同退火方式及PCBM阴极修饰层对聚合物太阳电池性能的影响。与前退火相比,后退火的器件性能显著提高,电池的开路电压Voc由0.36V增加到0.60V,能量转换效率η从0.85%提高到1.93%,短路电流密度Jsc和填充因子FF也有...

    李文杰 张建军... 《光电子.激光》 2010年11期 期刊

    关键词: P3HT / PCBM / 聚合物太阳电池 / 退火

    下载(187)| 被引(6)

    退火对电子辐照氮化镓光电性能的影响  CNKI文献

    本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理。用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化。实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化。在200~600℃退火范围内...

    梁李敏 解新建... 《人工晶体学报》 2012年06期 期刊

    关键词: GaN / 辐照缺陷 / 黄光带 / 电子浓度

    下载(94)| 被引(5)

    Ni离子注入和热退火对GaN形貌和磁性的影响  CNKI文献

    利用离子注入法将Ni离子注入到金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备的p-GaN薄膜中,制备出了GaN基稀磁半导体材料。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)研究了离子注入剂量和热退火对GaN样品的...

    梁李敏 解新建... 《微纳电子技术》 2018年10期 期刊

    关键词: 氮化镓 / 稀磁半导体 / 离子注入 / 铁磁性

    下载(80)| 被引(1)

    硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响  CNKI文献

    采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明:由于"硼掺杂效应",随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,...

    乔治 解新建... 《人工晶体学报》 2015年04期 期刊

    关键词: RF-PECVD / nc-Si∶H薄膜 / 硼掺杂 / SHJ太阳能电池

    下载(81)| 被引(1)

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