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    飞秒激光制备掺杂黑硅及其应用进展  CNKI文献

    综述了飞秒激光制备掺杂黑硅及其在光电子领域应用中的研究进展。介绍了硅表面微纳结构及黑硅中杂质能带的形成机制,分析了飞秒激光制备黑硅过程中的影响因素,重点阐述了在含硫系元素(硫、硒、碲)的气体、液体、固体膜...

    杜玲艳 吴志明... 《激光与光电子学进展》 2015年10期 期刊

    关键词: 材料 / 黑硅 / 飞秒激光 / 硫系元素

    下载(363)| 被引(7)

    革命性的新材料——黑硅  CNKI文献

    黑硅是一种新型的硅材料,具有优异的光电性质。概括了Eric Mazur以及其他研究者近年来关于黑硅的研究工作,详细介绍了黑硅的制备与产生机理以及黑硅的吸收、发光、场发射与光谱响应等性质,并指出了黑硅在红外探测器、...

    姜晶 吴志明... 《材料导报》 2010年07期 期刊

    关键词: 黑硅 / 飞秒激光器 / 微构造 / 光电性质

    下载(1378)| 被引(32)

    考虑资源约束及预防性维修的混合流水车间调度问题研究  CNKI文献

    本论文的研究基于四川省青年基金项目“面向迂回生产流程的多目标生产规划研究”(批准号:09ZQ026-054)。混合流水车间调度(Hybrid Flow Shop Scheduling,HFSS)问题是两类经典调度问题Flow Shop和并Parallel Shop的...

    吴志明 导师:李波 电子科技大学 2012-04-01 硕士论文

    关键词: 混合流水车间调度 / 资源约束 / 预防性维修 / NEH启发式算法

    下载(454)| 被引(6)

    二氧化硅的干法刻蚀工艺研究  CNKI文献

    主要研究了二氧化硅的干法刻蚀工艺。运用反应离子刻蚀设备(R IE150×4)进行了一系列的刻蚀实验,采用不同的工艺条件对二氧化硅进行选择刻蚀工艺研究,得出了不同工艺条件对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数...

    严剑飞 袁凯... 《微处理机》 2010年02期 期刊

    关键词: 反应离子刻蚀 / 二氧化硅 / 最佳工艺条件

    下载(1529)| 被引(24)

    平面磁控溅射薄膜厚度均匀性的研究概述  CNKI文献

    在平面磁控溅射镀膜系统中,薄膜厚度均匀性作为衡量薄膜质量和成膜系统性能的一项重要指标,得到了国内外学者们的广泛研究。本文以膜厚分布的理论模型为出发点,从工艺条件及模型参数两个方面,对靶与基片的位置关系、基...

    于贺 吴志明... 《真空》 2010年03期 期刊

    关键词: 厚度均匀性 / 磁控溅射 / 工艺条件 / 理论模型

    下载(689)| 被引(14)

    气体压强对非晶硅薄膜光学特性的影响  CNKI文献

    采用RF-PECVD工艺在20~100 Pa范围内改变a-Si:H薄膜沉积工作气体压强。傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随工作气体压强的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随工作气体压强变化...

    李世彬 吴志明... 《光电子.激光》 2008年03期 期刊

    关键词: 非晶硅 / 工作压强 / 沉积速率 / 光学禁带宽度

    下载(524)| 被引(18)

    势垒层对黑硅光电探测器性能影响的研究  CNKI文献

    讨论势垒层Si3N4的引入对黑硅光电探测器光电性能的影响。探测器采用金属-半导体-金属(MSM)器件结构在黑硅层和电极间增加一层势垒层以提高肖特基势垒,从而减低器件的暗电流。实验表明,在相同的光照情况下,有势垒层的...

    苏元捷 蒋亚东... 《光电子.激光》 2011年10期 期刊

    关键词: 势垒层 / 暗电流 / 光电流 / 金属-半导体-金属(MSM)

    下载(381)| 被引(6)

    氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展  CNKI文献

    氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应...

    廖乃镘 李伟... 《材料导报》 2007年05期 期刊

    关键词: 氢化非晶硅 / 稳定性 / 光致衰退效应 / 物理模型

    下载(737)| 被引(23)

    椭偏透射法测量氢化非晶硅薄膜厚度和光学参数  CNKI文献

    针对多角度椭偏测量透明基片上薄膜厚度和光学参数时基片背面非相干反射光的影响问题,报道了利用椭偏透射谱测量等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备的a-Si:H薄膜厚度和光学参数的方法,分析了基片温度Ts和辉光放电前...

    廖乃镘 李伟... 《物理学报》 2008年03期 期刊

    关键词: 椭偏测量 / 透射法 / 光学参数 / 氢化非晶硅薄膜

    下载(578)| 被引(14)

    太赫兹波段二氧化钒薄膜的研究进展  CNKI文献

    在68℃附近,二氧化钒薄膜就能实现低温半导体相和高温金属相之间的一级可逆相变,相变时二氧化钒薄膜的太赫兹透过率和反射率等都会发生急剧的变化。更为重要的是,除了加热之外,其他激励方式,如光照、电场、太赫兹场等...

    张化福 沙浩... 《材料导报》 2019年15期 期刊

    关键词: 太赫兹波 / 二氧化钒薄膜 / 相变 / 脉冲激光沉积法

    下载(128)| 被引(0)

    图形反转工艺用于金属层剥离的研究  CNKI文献

    研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀...

    陈德鹅 吴志明... 《半导体技术》 2009年06期 期刊

    关键词: 光刻 / AZ-5214 / 剥离工艺 / 图形反转

    下载(501)| 被引(20)

    氮化硅的反应离子刻蚀研究  CNKI文献

    采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。通过优化气体配比,比较刻蚀结果,最终获得了刻蚀速率为...

    苟君 吴志明... 《电子器件》 2009年05期 期刊

    关键词: 反应离子刻蚀 / 氮化硅 / 刻蚀气体 / 优化

    下载(810)| 被引(17)

    公-自转磁控溅射镀膜系统薄膜沉积均匀性的研究  CNKI文献

    研究了公-自转磁控溅射镀膜系统的机理。通过物理建模,使用交点采集和时间步长划分两种模型,分别计算模拟了矩形靶沉积时间的三维分布图,并讨论自转与公转转速比对沉积时间均匀性的影响。模拟结果表明:两种模型仿真结...

    于贺 王涛... 《真空科学与技术学报》 2010年02期 期刊

    关键词: 磁控溅射 / 矩形靶 / 转速比 / 膜厚均匀性

    下载(376)| 被引(13)

    基于ADN8831的高性能温度控制系统设计  CNKI文献

    在光电领域中,有许多无源光器件对温度稳定性的要求很高,基于这一点设计了一个高性能、高精度的温度控制系统。介绍了温度控制原理,讨论了基于ADN8831的温度控制电路的设计,通过试验对所设计的温度控系统进行了测试,测...

    郭经纬 吴志明... 《传感器与微系统》 2008年02期 期刊

    关键词: 热电制冷器 / 温度控制 / 温度稳定性

    下载(530)| 被引(26)

    高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源  CNKI文献

    介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立...

    吴志明 黄颖... 《电子科技大学学报》 2008年03期 期刊

    关键词: 带隙基准电压源 / 互补型金属氧化物半导体 / 电源抑制比 / 温度系数

    下载(648)| 被引(12)

    玻璃衬底二氧化钒薄膜的宽频带太赫兹波调制特性  CNKI文献

    针对二氧化钒(VO_2)薄膜在可调谐太赫兹功能器件中的应用,采用磁控溅射法在K9玻璃衬底上制备了VO_2薄膜,并用X射线衍射(XRD)对薄膜的晶相进行表征。利用配备加热装置的太赫兹时域光谱系统(THz-TDS)研究了薄膜样品在变...

    陈晨 罗振飞... 《强激光与粒子束》 2016年02期 期刊

    关键词: 二氧化钒 / 太赫兹 / THz时域光谱系统 / 调制

    下载(210)| 被引(1)

    非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计  CNKI文献

    设计了一种基于电流模式的具有非线性补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源,在传统电路的基础上增加一个三极管和两个电阻达到对双极型晶体管的发射结电压VBE中与温度相关的非线性项的补偿。电路采用CSMC0.5μmDPTMCMOS工...

    吴志明 杨鹏... 《电子科技大学学报》 2009年01期 期刊

    关键词: 带隙基准源 / CMOS / 低功耗 / 低温漂

    下载(434)| 被引(12)

    氢化非晶硅薄膜的热导率研究  CNKI文献

    采用铂电极为加热电阻,研究了厚度为300—370nm等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的热导率随衬底温度的变化规律.用光谱式椭偏仪拟合测量薄膜的厚度,得到了沉积速率随衬底温度变化规律,傅...

    李世彬 吴志明... 《物理学报》 2008年05期 期刊

    关键词: 非晶硅 / 热导率 / 薄膜 / 热能

    下载(413)| 被引(8)

    一种二阶补偿的低压CMOS带隙基准电压源  CNKI文献

    设计了一种利用不同材料电阻的比值随温度变化的特性进行二阶补偿的低压带隙基准电压源。通过温度补偿电阻进行电平平移,提高运放的共模输入范围,以降低运放对电源电压的限制。仿真结果表明,该电路输出电压为1.165 V,...

    杨鹏 吴志明... 《微电子学》 2007年06期 期刊

    关键词: CMOS / 带隙基准源 / 二阶补偿 / 温度补偿

    下载(375)| 被引(13)

    基于Tracepro的太赫兹探测阵列光学镜头设计  CNKI文献

    太赫兹探测成像技术是一种新兴的、极具发展前景的探测技术。为了满足太赫兹探测阵列的成像要求,设计了一种结构紧凑的折射型光学镜头,并采用Tracepro软件对该光学镜头轴上及离轴无穷远点在焦平面的成像情况进行了模拟...

    闫淼 王军... 《激光与红外》 2014年04期 期刊

    关键词: 太赫兹 / 探测阵列 / Tracepro / 光学镜头

    下载(206)| 被引(1)

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