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    CNKI为你找到相关结果

    SiO_x(x=1.3)薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究  CNKI文献

    采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx(x=1.3)薄膜,研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现,在电极尺寸相同的条件下,随着退火温度的增加,该结构的高低阻态...

    任圣 马忠元... 《物理学报》 2014年16期 期刊

    关键词: SiOx薄膜 / 阻变特性 / 硅悬挂键 / 热处理

    下载(81)| 被引(3)

    一维深亚波长光栅的耦合波分析及偏振特性的研究  CNKI文献

    讨论了一种新的一维深亚波长光栅,其周期结构由等离子体增强化学气相淀积法(PECVD)制备的周期性多层膜构成。简单介绍了这种深亚波长光栅的制作方法。采用严格耦合波分析(RCWA)理论计算了这种一维深亚波长光栅的衍射效...

    袁惠 周进... 《中国激光》 2002年09期 期刊

    关键词: 一维深亚波长光栅 / 严格耦合波分析 / 偏振特性

    下载(479)| 被引(42)

    纳米银六角阵列在掺氧氮化硅中的局域表面等离激元共振特性...  CNKI文献

    通过COMSOL Multiphysics和Lumerical FDTD solution对不同尺寸纳米银六角阵列在非晶态掺氧氮化硅(a-SiN_x:O)介质中的局域表面等离激元共振(LSPR)特性进行仿真,计算结果表明半径为25 nm的纳米银六角阵列形成的局域表...

    张文平 马忠元... 《物理学报》 2015年17期 期刊

    关键词: 局域表面等离激元 / 纳米银六角阵列 / 极化模式 / 有效辐射空间

    下载(174)| 被引(0)

    纳米硅量子点/氮化硅三明治结构的电致发光  CNKI文献

    采用等离子体化学气相沉积技术制备了两种不同非晶硅层厚度的氮化硅/氢化非晶硅/氮化硅三明治结构,研究了不同能量激光退火对薄膜晶化的影响。通过拉曼分析,发现在激光能量为320mJ时,样品开始晶化,随着能量的提高晶化...

    徐伟 严敏逸... 《中国激光》 2012年07期 期刊

    关键词: 光电子学 / 硅量子点 / 激光晶化 / 电致发光

    下载(241)| 被引(3)

    二氧化硅人工蛋白石晶体(opal)的制备及其结构性质的研究  CNKI文献

    运用胶体化学法合成了尺寸可控的二氧化硅 (SiO2 )亚微米溶胶小球 .透射电子显微镜 (TEM)结果显示样品平均尺寸可从 2 0 0nm变化至 60 0nm ,单分散性较高、平均标准偏差小于 5 % .通过自然沉积法 ,由溶胶SiO2 小球自组...

    李明海 马懿... 《物理学报》 2003年05期 期刊

    关键词: 亚微米二氧化硅溶胶小球 / 人工蛋白石晶体 / 方向带隙

    下载(480)| 被引(31)

    基于直接胶体晶体刻蚀技术的高度有序纳米硅阵列的尺寸及形...  CNKI文献

    以自组装单层胶体小球阵列为掩模,采用直接胶体晶体刻蚀技术在硅表面制备二维有序尺寸可控的纳米结构.在样品制备过程中,首先通过自组装法在硅表面制备了直径200nm的单层聚苯乙烯(PS)胶体小球的二维有序阵列;然后对样...

    李卫 徐岭... 《物理学报》 2007年07期 期刊

    关键词: 胶体晶体刻蚀 / 纳米硅柱阵列

    下载(485)| 被引(12)

    纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研...  CNKI文献

    采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对...

    孙萍 徐岭... 《物理学报》 2008年03期 期刊

    关键词: 纳米球刻蚀 / 二维CdS纳米有序阵列

    下载(494)| 被引(10)

    发光纳米硅/二氧化硅多层膜的特性与氢气氛退火的影响  CNKI文献

    利用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶硅/二氧化硅多层膜,通过两步热退火的方法获得了尺寸可控的纳米硅/二氧化硅多层结构,晶粒尺寸约为4nm,在室温下观察到了较强的光致可见发光,其发光峰位于750nm.在此基础...

    夏正月 韩培高... 《物理学报》 2007年11期 期刊

    关键词: 纳米结构 / 光学性质 / 复合

    下载(228)| 被引(10)

    尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证  CNKI文献

    基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,...

    刘艳松 陈铠... 《物理学报》 2006年10期 期刊

    关键词: 非晶硅 / 纳米硅 / 激光辐照 / 结晶

    下载(128)| 被引(12)

    脉冲激光晶化超薄非晶硅膜的分子动力学研究  CNKI文献

    利用准分子脉冲激光晶化非晶硅薄膜是制备高密度尺寸可控的硅基纳米结构的有效方法之一.本文将脉冲激光对非晶硅超薄膜的影响处理为热传导问题,采用了基于Tersoff势函数的分子动力学方法模拟了在非晶氮化硅衬底上2.7n...

    陈谷然 宋超... 《物理学报》 2010年08期 期刊

    关键词: 非晶硅 / 分子动力学 / 脉冲激光晶化

    下载(245)| 被引(1)

    绝缘衬底上高密度均匀纳米硅量子点的形成与表面形貌  CNKI文献

    利用等离子体增强化学气相淀积技术 ,在绝缘氮化硅 (SiNx)衬底上制备超薄非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,通过超短脉冲激光辐照与准静态常规热退火技术处理 ,制备出高密度、均匀纳米硅 (nc Si)量子点 .使用原子力显微镜对处理前...

    李鑫 王晓伟... 《物理学报》 2004年12期 期刊

    关键词: 纳米硅 / 激光诱导 / 尺寸分布

    下载(229)| 被引(7)

    有序可控纳米银球阵列对a-SiN_x∶O薄膜光致发光增强的研究  CNKI文献

    采用聚苯乙烯(PS)纳米小球自组装技术结合激光退火方法制备了三种不同尺寸纳米银球阵列,研究不同尺寸纳米银球阵列对非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜的光致发光的影响.首先,在p型硅衬底上铺有三种不同尺寸的聚苯乙烯(...

    徐奇峰 张鑫鑫... 《南京大学学报(自然科学)》 2017年03期 期刊

    关键词: 非晶掺氧氮化硅薄膜 / 局域表面等离激元 / 光致发光 / 激光退火

    下载(65)| 被引(0)

    氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储  CNKI文献

    研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si...

    王久敏 陈坤基... 《物理学报》 2006年11期 期刊

    关键词: 纳米硅 / 氮化硅 / 电容电压法 / 电流电压法

    下载(118)| 被引(7)

    CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)晶粒的光学性质和电子结...  CNKI文献

    以CdSe纳米晶体为核 ,用胶体化学的方法 ,通过化学替代反应 ,获得了不同阱层或不同垒层的CdSe HgSe CdSe量子点量子阱 (QDQW)晶体 .紫外 可见光吸收谱研究表明 ,通过调节QDQW中间HgSe阱层的厚度从 0 .9nm至 0 ,可以调...

    徐岭 马懿... 《物理学报》 2002年04期 期刊

    关键词: 量子点量子阱晶体 / 能带剪裁 / 加强的带边荧光峰

    下载(216)| 被引(7)

    非晶碳化硅材料与光学微腔的制备与发光  CNKI文献

    利用等离子体化学气相沉积技术在100℃的衬底温度下,制备了具有不同组分比的系列非晶碳化硅薄膜。结合傅里叶变换红外光谱与喇曼光谱对所制备的薄膜微结构进行了表征与分析,同时,对具有不同组分比的非晶碳化硅薄膜室温...

    陈德媛 钱波... 《发光学报》 2007年01期 期刊

    关键词: 非晶碳化硅 / 光致发光 / 微结构 / 光学微腔

    下载(293)| 被引(3)

    nc-Si/SiO_2多层膜的制备及蓝光发射  CNKI文献

    在等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)系统中 ,采用a Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a Si∶H SiO2 多层膜 (ML) ;利用限制性结晶原理通过两步退火处理使a Si∶H层晶化获得尺寸可控的n...

    隋妍萍 马忠元... 《物理学报》 2003年04期 期刊

    关键词: 纳米硅多层膜 / 等离子体氧化 / 蓝光发射 / 热退火

    下载(98)| 被引(13)

    Scaling dependence of memory windows and different car...  CNKI文献

    Based on the charge storage mode,it is important to investigate the scaling dependence of memory performance in silicon nanocrystal(Si-NC) nonvolatile memory(NVM) devices for its scaling down limit.I...

    于杰 陈坤基... 《Chinese Physics B》 2016年09期 期刊

    关键词: silicon / nanocrystals / nonvolatile / memory

    下载(11)| 被引(1)

    二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应...  CNKI文献

    从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束...

    严敏逸 王旦清... 《物理学报》 2010年05期 期刊

    关键词: 纳米硅 / 激光干涉晶化 / 移相光栅 / 菲涅耳衍射

    下载(102)| 被引(1)

    控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响  CNKI文献

    在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质...

    丁宏林 刘奎... 《物理学报》 2008年07期 期刊

    关键词: 等离子体氧化 / 二氧化硅 / 纳米硅 / 控制氧化层

    下载(82)| 被引(4)

    激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列  CNKI文献

    利用激光干涉结晶方法,采用周期为400nm的一维(1D)移相光栅掩模调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在不同厚度的超薄氢化非晶硅(a-Si:H)膜内直接制备1D有序纳米硅(nc-Si)阵列.拉曼散射谱表明,样品上呈条状...

    姚尧 方忠慧... 《物理学报》 2008年08期 期刊

    关键词: 纳米硅 / 激光干涉结晶 / 移相光栅 / 定域晶化

    下载(94)| 被引(3)

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