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引用

郝跃

教授,博士生导师

西安电子科技大学 微电子学与固体电子学

发表文献 329|文献被引 1028| 指导论文 80

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印刷钙钛矿太阳能电池研究进展  CNKI文献

钙钛矿材料不仅具有载流子扩散长度长、可调节带隙宽、光吸收效率大等优点,并且其原料储量十分丰富,沉积过程所需的形成能较低,制备工艺可兼容大面积制造技术。总之,低生产成本、高转换效率和宽应用领域等优点使钙钛矿...

秦昱 林珍华... 《中国光学》 2019年05期 期刊

关键词: 钙钛矿 / 太阳能电池 / 印刷制备

下载(839)| 被引(0)

宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展  CNKI文献

宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点,概述了半导体材料的划代,综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展,并展望了未来的发展方向和前景。

郝跃 《科技导报》 2019年03期 期刊

关键词: 宽禁带半导体 / 超宽禁带半导体 / 金刚石 / 氧化镓

下载(1218)| 被引(5)

基于第一性原理的钙钛矿材料空位缺陷研究  CNKI文献

为了获得优异的钙钛矿材料,本文系统地研究有机-无机杂化钙钛矿材料(CH3NH3PbI3)的电子结构和光学特性,同时探究了空位缺陷对其光学性质的影响。首先,采用Materials Studio软件构建本征钙钛矿材料的电子结构,并基于广...

袁海东 周龙... 《中国光学》 2019年05期 期刊

关键词: 钙钛矿材料 / 空位缺陷 / 第一性原理 / 光电器件

下载(236)| 被引(0)

光电子器件与集成技术  CNKI文献

光电子器件与集成技术具有低功耗、高速率、高可靠、小体积等突出优势,是突破信息网络所面临的速率带宽、能耗体积、智能化与可重构等方面瓶颈的核心关键技术.本文围绕光电子器件与集成技术,综述了近年来光通信及信息...

祝宁华 李明... 《中国科学:信息科学》 2016年08期 期刊

关键词: 光电子器件 / 光子集成 / 宽禁带半导体 / 硅基光子学

下载(1331)| 被引(6)

非硅微电子学:锗与锗锡场效应晶体管  CNKI文献

本文讨论了非硅微电子学,即在硅衬底上利用非硅沟道材料实现互补型金属氧化物半导体(Complememaw Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路的微电子科学与技术.文章重点综述了高迁移率锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场...

韩根全 张春福... 《中国科学:物理学 力学 天文学》 2016年10期 期刊

关键词: / 锗锡 / 场效应晶体管 / 迁移率

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行业特色型高校建设世界一流大学与学科的思考  CNKI文献

《国家中长期教育改革和发展规划纲要(2010-2020年)》提出,"加快创建世界一流大学和高水平大学的步伐,培养一批拔尖创新人才,形成一批世界一流学科,产生一批国际领先的原创性成果,为提升我国综合国力贡献力量&qu...

陈治亚 郝跃 《中国高校科技》 2015年12期 期刊

关键词: 行业特色型高校 / 世界一流大学 / 学科

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中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响  CNKI文献

本文采用能量为1 MeV的中子对SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件进行了最高注量为1015cm-2的辐照.实验发现:当注量小于1014cm-2时,器件特性退化很小,其中栅电流有轻微变化(正向栅电流IF增加,反向栅电流...

谷文萍 张林... 《物理学报》 2014年04期 期刊

关键词: AlGaN/GaN / HEMT / 中子辐照 / 缺陷

下载(223)| 被引(6)

S波段六位高精度移相器设计  CNKI文献

采用0.25μm GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计了一款六位S波段数字移相器.移相器采用高低通和全通网络结构,运用了提高相位精度和抑制级联散射的方法.移相器在0°~360°相位范围内以5.625°步进,在...

杨小峰 史江义... 《西安电子科技大学学报》 2014年02期 期刊

关键词: 高电子迁移率晶体管 / 数字移相器 / 高低通 / 相位精度

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NMOS器件中单粒子瞬态电流收集机制的二维数值分析  CNKI文献

通过二维数值模拟,深入分析了NMOSFET在不同漏极偏置、不同栅长度和不同注入位置下的单粒子效应.研究结果表明:漏极偏置电压越高,栅长度越短,器件的单粒子瞬态电流越大,收集电荷越多.通过研究不同注入位置情况下的单粒...

卓青青 刘红侠... 《物理学报》 2012年21期 期刊

关键词: 单粒子瞬态脉冲 / 电荷收集机制 / 注入位置 / 漏极偏压

下载(188)| 被引(15)

3MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响  CNKI文献

研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应.在3 MeV质子辐照下,当辐照剂量达到1×10~(15)protons/cm~2时,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%.随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加...

吕玲 张进成... 《物理学报》 2012年05期 期刊

关键词: 质子辐照 / AlGaN/GaN / HEMT / SRIM

下载(347)| 被引(7)

场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究  CNKI文献

通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaNHEMTs和栅源双层场板GaNHEMTs电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,...

毛维 杨翠... 《物理学报》 2011年01期 期刊

关键词: 电流崩塌 / 钝化器件 / 场板器件 / 陷阱电离率

下载(316)| 被引(6)

锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型  CNKI文献

基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了...

戴显英 金国强... 《物理学报》 2011年06期 期刊

氮化物MOCVD反应室流场的仿真与分析  CNKI文献

在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关。通过分析...

李志明 郝跃... 《人工晶体学报》 2010年01期 期刊

关键词: GaN生长 / MOCVD / 数值仿真

下载(348)| 被引(12)

场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理  CNKI文献

在不同的漏偏压下,研究了钝化和不同场板尺寸AlGaN/GaNHEMT对电流崩塌的抑制能力.实验结果表明,钝化器件对电流崩塌的抑制能力随着漏偏压的升高而显著下降;在高漏偏压下,场板的尺寸对器件抑制崩塌的能力有较大影响,而...

魏巍 林若兵... 《物理学报》 2008年01期 期刊

关键词: AlGaN/GaNHEMT / 场板 / 电流崩塌

下载(490)| 被引(17)

高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展  CNKI文献

GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果。...

刘坚斌 李培咸... 《量子电子学报》 2005年05期 期刊

关键词: 光电子学 / 半导体材料 / GaN / 蓝光LED

下载(2219)| 被引(93)

超深亚微米集成电路的铜互连技术布线工艺与可靠性  CNKI文献

随着VLSI器件特征尺寸的缩小,对互连集成技术提出了新的要求.铜作为新的互连线材料,能够有效地减小互连延时,提高互连性能.论述了铜互连技术中低k介质材料、势垒层材料以及铜互连布线的大马士革工艺.提出当通孔倾斜角...

杜鸣 郝跃 《西安电子科技大学学报》 2005年01期 期刊

关键词: 铜互连技术 / 低k介质材料 / 工艺可靠性

下载(813)| 被引(33)

基于透射谱的GaN薄膜厚度测量  CNKI文献

通过对蓝宝石衬底异质外延GaN薄膜光学透射谱的分析 ,结合晶体薄膜的干涉效应原理并考虑折射率随光子波长变化的影响 ,从理论上推导出了实用的薄膜厚度计算方法 .实际应用表明 ,该方法是一种快速准确的GaN薄膜厚度测量...

张进城 郝跃... 《物理学报》 2004年04期 期刊

关键词: GaN / 透射谱 / 厚度测量

下载(714)| 被引(50)

GaN基微波半导体器件研究进展  CNKI文献

GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调...

杨燕 郝跃... 《西安电子科技大学学报》 2004年03期 期刊

关键词: GaN / 微波大功率 / 调制掺杂场效应晶体管

下载(647)| 被引(24)

GaN基蓝色LED的研究进展  CNKI文献

介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使Ga...

段猛 郝跃 《西安电子科技大学学报》 2003年01期 期刊

关键词: GaN / 蓝光LED / 发展进程

下载(1121)| 被引(35)

SiC新型半导体器件及其应用  CNKI文献

给出SiC半导体分立器件与集成电路的研究现状 ,分析了制约SiC半导体器件发展的主要问题 ,同时给出了SiC分立器件与集成电路的应用现状 ,并对其应用前景进行了展望 .

张进城 郝跃... 《西安电子科技大学学报》 2002年02期 期刊

关键词: SiC分立器件 / SiC集成电路 / 高温 / 大功率

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