集成电路发展至0.25微米工艺之后，唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)已成为IC制程的关键工艺之一。更小特征尺寸工艺时代的发展对抛光液及抛光工艺应用技术提出苛刻的要求。本文针对IC衬底及GST薄膜的CMP需...
混合动力汽车作为一种绿色高效的交通工具,在世界范围内已经初步形成新兴的产业,节能、环保,在我国也已经步入规模产业化的初期阶段,具有良好的发展前景。镍氢电池组作为辅助能量源,是混合动力汽车驱动系统的重要组成...
朱玲 导师:宋志棠 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 2008-05-01 硕士论文
关键词： 镍氢电池组 / 电池管理系统 / TMS320LF2407
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本论文主要开展了相变存储器存储单元设计与关键制备工艺方面的研究，包括相变材料制备与性能表征，电极材料制备与表征、电路模拟及器件结构优化三个方面。 首先，本文简单论述了半导体存储器及非挥发...
硫系化合物随机存储器关键相变材料与器件单元工艺研究 CNKI文献
本文的主要内容包括以下几个方面的研究工作：Ge_2Sb_2Te_5相变材料的制备与性能表征；掺杂N、O、B对Ge_2Sb_2Te_5薄膜结构和电学性能的影响；C—RAM器件单元制备工艺与电学性能表征等。 首先，本文全...
刘波 导师:宋志棠 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 2004-11-01 博士论文
关键词： 硫系化合物随机存储器 / 相变材料 / 器件单元 / 电学性能
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相变存储器是一种低压、低功耗、高速、高集成度的新型非易失存储器，发展前景广阔，是学术界和工业界研究开发的热点。 相变材料是相变存储器的核心功能材料，其广泛的应用前景和诸方面的微妙性质引发了各国学...
相变存储器是一种新型的非易失性半导体存储器,具有高速、高集成度、低压、低功耗、与CMOS工艺兼容等优点,被国际半导体工业协会认为是最有可能取代SRAM、DRAM和FLASH等当今主流产品而成为未来存储器主流和最先成为商...
相变存储器由于具有低功耗、读写速度快、抗疲劳、制作工艺与CMOS工艺兼容等特点,倍受业界青睐,是一种很有发展前景的非易失性新型存储器。本论文针对相变存储器,在国家重点基础研究发展计划、国家863计划、中国科学院...
现代检测技术要求传感器微型化、单元化、集成化；对于生物传感器，微量、高灵敏和特异性检测是其发展方向。传统的石英晶体微天平受本身厚度和面积的限制，难以获得高谐振频率和高灵敏度。由此，探索新型压电薄膜谐振...
用于相变存储器的SnTe-Ge_2Sb_2Te_5和Bi_2Te_3基相变材料研... CNKI文献
相变存储器被认为最有潜力的下一代非挥发存储器,具有很多优势,例如非挥发性,高稳定性,与CMOS工艺兼容,读写速度快,低功耗,低成本等。相变存储器中最核心的部分是相变材料,相变材料的基础研究和实际应用也变得越来越重...
相变存储器是硫系化合物随机存储器,因其具有非易失性、速度快、功耗低、寿命长、与CMOS工艺兼容等优点成为最有可能替代传统存储器的下一代存储器之一。为了推动相变存储器的研究进程,其器件单元的电学和存储性能的表...
SnO_2纳米结构与BaZr_xTi_（1-x）O_3铁电移相器 CNKI文献
纳米材料的制备和性能研究是近几十年来国际上各领域的学者关注的焦点，材料有一个维度在纳米尺度就可以称为纳米材料，本文以一维SnO_2纳米结构为代表，着重研究了半导体纳米结构制备、性能研究；二维Ba_xSr_(1-x)Ti...
二维光子晶体带隙计算及一维紫外、可见光波段光子晶体制备... CNKI文献
光子晶体是光电子技术领域的基础研究课题之一，用光子晶体可以制备光子晶体光纤、高性能反射镜、光子晶体波导、光子晶体微腔等等，在将来有着重要的应用前景。但是，至今人们对于光子晶体的物理机制还不完全清楚，光...
日益增长的信息技术对更高集成度、高速、低功耗集成电路的需求，驱使晶体管的尺寸越来越小，随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM电容介质的SiO_2迅速减薄，直逼其物理极限。另一方面，随着移动型电子消费类产品在...
本报告中运用理论计算和计算机模拟的手段对光子晶体的相关应用进行了研究，其中用到的方法有传输矩阵法，平面波展开法，和时域有限差分法等。主要研究结果如下： 1．运用平面波展开法计算了二维光子...
SOI技术和高κ介质材料的研究是微电子领域发展的前沿课题，本文根据国家973项目，国家自然科学基金等国家任务的需要，开展了体Si和SOI上高κκ介质材料的制备、性能及其应用的研究，获得的主要结果如下： ...
传统的体硅芯片的特征尺寸缩小到了几十个纳米级，已受到传统体硅工艺制程以及硅材料本身电学性质的限制，以体硅为基础的半导体技术的发展将面临严峻的挑战。而新的硅基半导体薄膜技术，包括绝缘层上的硅、绝缘层上的...
詹达 导师:刘卫丽 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 2006-12-29 硕士论文
关键词： 绝缘层上的硅(SOI) / 绝缘层上的锗(GOI) / 担酸锂(LiTaO_3) / 智能剥离(Smart-cut)
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