导  师

不  限

  • 不  限
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 作  者
  • 导  师
  • 第一导师
  • 学位授予单位
  • 关键词
  • 摘  要
  • 目  录
  • 参考文献
  • 学科专业
  • 发表时间

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 作  者
  • 导  师
  • 第一导师
  • 学位授予单位
  • 关键词
  • 摘  要
  • 目  录
  • 参考文献
  • 学科专业
  • 发表时间
手机远见搜索 |设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
学科分类 | 院校 | 专业 | 年度 | 导师 | 基金 | 研究层次 | 优秀级别
已选:
相关度 学位年度 被引 下载 发表时间 CNKI为你找到相关结果

基于In-Ga-Zn-O沟道薄膜晶体管存储器的研究  CNKI文献

随着薄膜晶体管(TFT)和系统面板(SoP)技术的不断发展,将来像素存储和存储块可望被直接集成在显示板上,既能实现数据存储,也能降低功耗。因此,基于TFT结构的非挥发存储器正逐渐成为国内外科研人员的研究热点。本论文研...

崔兴美 导师:丁士进 复旦大学 2014-04-29 硕士论文

关键词: TFT存储器 / IGZO / SoP / Pt纳米晶

下载(158)| 被引(1)

金属纳米晶存储器材料和性能研究  CNKI文献

非易失性快闪存储器在智能手机以及其它移动数码产品等方面具有广泛的应用,在最近几年得到了快速的发展。然而,传统的多晶硅浮栅存储器由于其固有的缺点,而无法满足业界对超高密度存储的需求。因此,开发下一代新型非易...

蓝澜 导师:丁士进 复旦大学 2013-05-14 硕士论文

关键词: 非易失性存储器 / 原子层淀积 / 高介电常数 / 金属纳米晶

下载(84)| 被引(2)

面向45纳米CMOS工艺的硅化镍薄膜工艺研究  CNKI文献

在当今国际半导体制造行业中,45nm芯片工艺已经成为半导体生产商的主要产品工艺技术,而45nm NiSi工艺作为最重要的前道生产工艺之一,已成为影响半导体芯片最终能否正常工作的关键所在。因此,研究45nm NiSi工艺,对提高...

王国浩 导师:丁士进 复旦大学 2013-09-01 硕士论文

关键词: 硅化镍工艺 / 金属掺杂 / 预清洗 / 快速热退火

下载(134)| 被引(0)

超低介电常数多孔SiCOH薄膜的制备与研究  CNKI文献

高性能、高集成度、低功耗和高可靠性一直以来是集成电路发展的主要技术指标和方向。随着器件的特征尺寸不断缩小,其功耗不断降低,集成度不断增大,而互连导线-介质之间的电阻-电容(RC)延迟却快速增加,已经成为制约集成...

蒋涛 导师:丁士进 复旦大学 2014-04-29 硕士论文

关键词: 超低介电常数 / 多孔SiCOH薄膜 / 紫外照射 / 旋涂技术

下载(81)| 被引(0)

基于单晶硅纳米沟槽的超级电容研究  CNKI文献

随着可再生清洁能源的出现以及在便携式电子设备中的应用,用来储存电能的能量缓冲器件变得越来越重要。通常的能量缓冲器件包括电池和电化学超级电容两种,前者充放电速度慢,后者充放电速度快,但功率密度无法进一步提高...

朱宝 导师:丁士进 复旦大学 2012-05-22 硕士论文

关键词: Pt纳米颗粒 / 掺杂 / 单晶硅 / 硅纳米沟槽

下载(274)| 被引(0)

基于HfO_2-SiO_2介质高密度MIM电容研究  CNKI文献

射频和模拟/混合-信号技术(RF and AMS)的高速发展,使得金属-绝缘体-金属(MIM)电容正逐渐取代传统的多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)或金属-氧化物-硅衬底(MOs)结构电容。为了提高电容密度,高K材料正逐渐取代传统SiO2/Si3N...

许辉 导师:丁士进 复旦大学 2012-05-30 硕士论文

关键词: HfO_2 / SiO_2 / 高密度MIM电容 / 电容的电压系数

下载(255)| 被引(0)

基于硅上阳极氧化铝模板的固态纳米电容研究  CNKI文献

随着煤、石油、天然气等传统能源的广泛使用与日益减少,全球能源问题与环境问题变得日益突出。如何有效地转化利用新能源、储存新能源成为产业界关注的重点,也成为科学研究的热点。和传统电池、电化学超级电容器相比,...

李连杰 导师:丁士进 复旦大学 2013-05-20 硕士论文

关键词: 硅上AAO模板 / 原子层淀积 / 固态纳米电容

下载(95)| 被引(0)

多孔超低k材料薄膜的制备和性能表征  CNKI文献

随着集成电路规模不断扩大,特征尺寸不断减小,集成电路内部的互连线的电阻和互连线之间的电容都在变大,这就会导致集成电路性能的退化,如RC延迟,串扰,功耗增大等等。用铜代替铝成为新一代的互连线,这一举措使集成电路...

孟庆伟 导师:丁士进 复旦大学 2012-05-22 硕士论文

关键词: BTEE / P_(123)成孔剂 / 旋涂方法 / 热稳定性

下载(195)| 被引(0)

先进的3D叠层芯片封装工艺及可靠性研究  CNKI文献

上个世纪九十年代,棚球阵列(BGA)封装替代了外引脚封装,焊料球凸点面阵使封装尺寸减小,输入和输出端口数增加,功能和性能增强。然而,随着封装技术的发展,在平面方向上的封装已经达到了极限。为了克服平面封装技术的瓶...

王爱秀 导师:丁士进 复旦大学 2010-08-20 硕士论文

关键词: 3D叠层 / 封装 / 可靠性

下载(1119)| 被引(1)

低成本倒装芯片封装策略  CNKI文献

本论文基于寻找低成本倒装封装方案,首先分析了引线键合(Wire bonding)和凸点制作(Bumping)技术、固定资产投入和不同的工艺,发现如果采用现有设备和现有工艺将是一条捷径。利用Wire bonding技术形成凸点(Bump)将是低...

左卫松 导师:丁士进 复旦大学 2008-04-20 硕士论文

关键词: 低成本倒装封装 / POC / 引线键合 / 凸点

下载(510)| 被引(3)

分栅快闪存储器的失效机理及性能提升方法研究  CNKI文献

作为非易失性半导体储器的类型之一,分栅快闪存储器具有高编程效率、低擦除电压和无过擦除效应的优点,因此外围控制电路简单。自发明以来,它已在低密度代码存储和嵌入式闪存领域得到了广泛的应用。由于分栅闪存产品的...

何礼鹏 导师:丁士进 复旦大学 2012-03-15 硕士论文

关键词: 分栅快闪存储器 / 擦除 / 编程 / 编程串扰

下载(187)| 被引(0)

基于电性测试的SRAM单元失效工程分析  CNKI文献

SRAM广泛地被大部分晶圆代工厂主要使用,用来作为全新引入工艺的工艺调试以及已经投入实际使用的工艺的工艺监控。利用SRAM的可寻址性,可以比较容易地对失效点进行定位,并通过原子力显微镜探针(AFP)、扫描电镜(SEM)等...

柯遥 导师:丁士进 复旦大学 2013-08-01 硕士论文

关键词: SRAM / 电性失效分析 / DBT / 失效模式

下载(62)| 被引(0)

氧化锌和氧化钴的原子层淀积与材料性能表征  CNKI文献

随着半导体工艺技术的向前发展.集成电路特征尺寸逐渐减小,因此纳米量级的材料制备技术变得越来越重要:近几年来,原子层淀积技术作为未来集成电路的关键技术而受到越来越多的关注,被认为是45纳米技术节点及以下工艺的...

钱可嘉 导师:丁士进 复旦大学 2011-05-23 硕士论文

关键词: 原子层淀积 / 氧化锌 / 氧化钴 / 薄膜

下载(217)| 被引(2)

原子层淀积铂纳米晶及其存储效应研究  CNKI文献

随着半导体工艺技术的不断发展,芯片的特征尺寸不断减小,传统的基于多晶硅浮栅快闪存储器正面临着严峻的挑战。而基于分离节点存储的金属纳米晶存储器,可以实现在较薄的隧穿层下具有良好的数据保持能力,以及低工作电压...

陈红兵 导师:丁士进 复旦大学 2012-05-20 硕士论文

关键词: 非挥发性存储器 / 原子层淀积 / 铂纳米晶 / 氧化铝

下载(101)| 被引(0)

集成电路互连介质SiCON薄膜的制备和性能表征  CNKI文献

随着超大规模集成电路的高速发展,电子元器件也逐渐变得更加小型化、高性能、低功耗和高集成度。然而,RC延迟、互连结构的串扰噪声和功耗成为限制超大规模集成电路性能的重要因素。为了降低集成电路的互连延迟,对互连...

胡龙龙 导师:丁士进 复旦大学 2012-05-20 硕士论文

关键词: SiCON薄膜 / 介电常数 / 旋涂 / 退火

下载(104)| 被引(0)

0.14微米工艺铝互连的电迁移可靠性改善研究  CNKI文献

半导体芯片的可靠性是学术界和芯片制造业的重要课题,而互连线的电迁移问题又是其中最重要的挑战之一。虽然超深亚微米铝互连是目前很重要的芯片制造技术,但是随着集成电路特征尺寸的持续缩小,由此而引起的铝互连的电...

朱一鸣 导师:丁士进 复旦大学 2010-10-10 硕士论文

关键词: 铝互连 / 电迁移 / Ti/TiN薄膜 / 中值失效时间

下载(271)| 被引(1)

金属纳米晶MOS电容的存储效应研究  CNKI文献

随着半导体工艺技术的不断按比例缩小,非挥发闪存存储器的特征尺寸越来越小,集成度越来越高。因而,传统的多晶硅浮栅为基础的闪存面临严峻的挑战,主要表现在隧穿层厚度的减薄导致数据保持能力的退化。基于分立电荷存储...

黄玥 导师:丁士进 复旦大学 2011-04-15 博士论文

关键词: 非挥发存储器 / 金属纳米晶 / 高介电常数 / MOS电容

下载(324)| 被引(0)

基于分离电荷存储的MOS结构存储效应及机理研究  CNKI文献

随着半导体工艺技术的不断发展,存储单元特征尺寸不断减小,传统的多晶硅浮栅快闪存储器正面临着严峻的挑战。而基于分离电荷存储的非易失性存储器,由于具有分散的电荷存储陷阱,因此可以实现在较薄的隧穿层下良好的数据...

廖忠伟 导师:丁士进 复旦大学 2009-04-22 硕士论文

关键词: 分离电荷存储 / 原子层淀积 / 高介电常数 / 金属纳米晶

下载(141)| 被引(2)

基于Ru-RuO_x纳米晶及高K介质的MOS结构存储效应及机理研究  CNKI文献

随着半导体工艺技术的不断发展,非挥发性快闪存储器集成密度要求越来越高,存储单元特征尺寸需要不断减小,因而传统的多晶硅浮栅快闪存储器正面临着严峻的挑战,如隧穿氧化层的减薄导致数据保存能力退化等。而基于分离...

苟鸿雁 导师:丁士进 复旦大学 2010-05-10 硕士论文

关键词: 非挥发性存储器 / 分离电荷存储 / 原子层淀积 / 高介电常数

下载(111)| 被引(2)

原子层淀积高k介质MIM电容性能研究  CNKI文献

金属-绝缘体-金属(MIM)电容在射频(RF)集成电路中具有广泛的应用,并且随着RF集成电路的高速发展,对MIM电容的电容密度也提出了更高的要求,传统SiO_2和Si_3N_4绝缘介质MIM电容已面临严峻的挑战。为了应付这种挑战,本文...

许军 导师:丁士进 复旦大学 2009-04-18 硕士论文

关键词: 高密度MIM电容 / 原子层淀积 / 五氧化二铌 / 电极

下载(329)| 被引(0)

热门学科

轻松读懂《孙子兵法》