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无源超高频射频识别标签中嵌入式温度传感器设计  CNKI文献

提出了一种集成在无源超高频射频识别(UHF RFID)标签中的嵌入式温度传感器的设计方法。采用双振荡器结构,利用标准时钟对受温度影响的时钟形成的信号进行采样并计数,根据计数值与温度的线性关系获得温度的测量值。振荡...

刘伟峰 庄奕琪... 《电子测量与仪器学报》 2011年05期 期刊

关键词: 超高频 / 射频识别 / 温度传感器 / 设计

下载(358)| 被引(17)

AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管  CNKI文献

理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异质结材料,结合F注入工艺成功地研制出了...

王冲 赵梦荻... 《物理学报》 2016年03期 期刊

关键词: 双异质结 / 增强型器件 / F等离子体 / 漏致势垒降低效应

下载(253)| 被引(5)

应变ZnO光学和电学特性的第一性原理计算  CNKI文献

基于应变张量理论,建立未应变ZnO与不同Mg组分表征的应变ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO超胞模型,进而采用密度泛函理论框架的第一性原理平面波规范-守恒赝势方法,研究应变ZnO的电学和光学特性。计算结果表明,导带电子有效质量随应...

乔丽萍 柴常春... 《硅酸盐学报》 2015年04期 期刊

关键词: 氧化锌 / 第一性原理 / 应变 / 分裂能

下载(337)| 被引(5)

白光LED用Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)~(3+),Li_(0.25)~+,Sm)...  CNKI文献

采用固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca_(0.71)WO_4:Sm_(0.04)~(3+)Li_(0.250)~+和Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)~(3+),Li_(0.25)~+,Sm_y~(3+)(y=0.00,0.02,0.04,0.06),通过X射线衍射(XRD)、荧光分光光度计以及稳态/瞬态荧...

郝敏如 胡辉勇... 《硅酸盐学报》 2015年04期 期刊

关键词: 钨酸钙 / 白光发光二极管 / 钐离子 / 固相法

下载(156)| 被引(5)

Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管固态等离子体解析模型  CNKI文献

采用横向表面PiN(SPiN)二极管构造的硅基可重构天线具有众多优于传统天线的独特优势,是实现天线小型化和提升雷达与微波通信系统性能的有效技术途径.本文提出一种Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管,并基于双极扩散模型与Fle...

康海燕 胡辉勇... 《物理学报》 2015年23期 期刊

关键词: SPiN / 固态等离子体 / 大注入 / 异质结

下载(101)| 被引(4)

应变Si/(001)Si_(1-x)Ge_x电子迁移率  CNKI文献

依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几...

王晓艳 张鹤鸣... 《物理学报》 2011年07期 期刊

关键词: 电子谷间占有率 / 散射模型 / 锗组分 / 电子迁移率

下载(153)| 被引(13)

SOI部分耗尽SiGe HBT集电结空间电荷区模型  CNKI文献

SOI上的薄膜异质SiGe晶体管通过采用"折叠"集电极,已成功实现SOI上CMOS与HBT的兼容.本文结合SOI薄膜上的纵向SiGeHBT结构模型,提出了包含纵向、横向欧姆电阻和耗尽电容的"部分耗尽(partially depleted...

徐小波 张鹤鸣... 《物理学报》 2011年07期 期刊

关键词: SOI / SiGe / HBT / 集电区

下载(189)| 被引(10)

高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的...  CNKI文献

研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性.在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压...

倪金玉 郝跃... 《物理学报》 2009年07期 期刊

关键词: 高温AlN插入层 / AlGaN/GaN异质结 / 二维电子气 / 应力

下载(416)| 被引(17)

漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管...  CNKI文献

结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、...

王晓艳 张鹤鸣... 《物理学报》 2011年02期 期刊

双极型晶体管高功率微波的损伤机理  CNKI文献

在模拟集成电路的抗高功率微波加固研究中,对电路中的单个晶体管进行高功率微波损伤机理研究。对晶体管进行洲入微波损伤效应实验和失效分析,得到了双极型晶体管损伤的基本规律。损伤效应实验采用注入法,分别从晶体管...

范菊平 张玲... 《强激光与粒子束》 2010年06期 期刊

关键词: 高功率微波 / 晶体管 / 损伤 / 失效分析

下载(182)| 被引(36)

非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型  CNKI文献

为抑制短沟道效应和热载流子效应,提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构.通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程,推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型.结果表明,...

李聪 庄奕琪... 《物理学报》 2012年07期 期刊

关键词: 非对称HALO掺杂 / 栅交叠轻掺杂漏 / 围栅MOSFET / 解析模型

下载(150)| 被引(5)

γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效...  CNKI文献

基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMO...

郝敏如 胡辉勇... 《物理学报》 2017年07期 期刊

应用混合游程编码的SOC测试数据压缩方法  CNKI文献

本文提出了一种有效的基于游程编码的测试数据压缩/解压缩的算法:混合游程编码,它具有压缩率高和相应解码电路硬件开销小的突出特点.另外,由于编码算法的压缩率和测试数据中不确定位的填充策略有很大的关系,所以为了进...

方建平 郝跃... 《电子学报》 2005年11期 期刊

关键词: 测试数据压缩 / 不确定位填充 / system-on-achip(SOC)测试 / 混合游程编码

下载(272)| 被引(34)

单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性...  CNKI文献

本文在建立单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率模型和阈值电压模型的基础上,基于器件不同的工作区域,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了单轴应变Si NMOSFET源漏电流模型.其中将应力的影响显式地体现...

吕懿 张鹤鸣... 《物理学报》 2015年19期 期刊

关键词: 单轴应变Si / n型金属氧化物半导体场效应晶体管 / 迁移率 / 阈值电压

下载(56)| 被引(3)

亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型  CNKI文献

本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化效应等.通过将模型的计算结果与二维器件模拟...

王冠宇 张鹤鸣... 《物理学报》 2011年07期 期刊

关键词: 亚100nm / 应变Si/SiGe / nMOSFET / 二维表面势

下载(93)| 被引(9)

单轴、双轴应变Si拉曼谱应力模型  CNKI文献

本文依据拉曼光谱原理,基于Secular方程及拉曼选择定则分别获得了单轴、双轴(001),(101),(111)应变Si材料应变张量与拉曼谱线移动的定量关系,并在此基础上,基于广义胡克定律最终建立了单轴、双轴(001),(101),(111)应变...

王程 王冠宇... 《物理学报》 2012年04期 期刊

关键词: 应变Si / 拉曼 / 应力

下载(236)| 被引(3)

氮化硅膜致小尺寸金属氧化物半导体晶体管沟道单轴应变物理...  CNKI文献

应力作用下MOS性能可显著提升,小尺寸MOS沟道中单轴应力的引入可通过在MOS表面覆盖淀积SiN膜实现.虽然该工艺已广泛应用于MOS性能的提升,但有关SiN膜致MOS沟道应力的产生机理、作用机理,以及SiN膜结构与MOS沟道应力类...

杨旻昱 宋建军... 《物理学报》 2015年23期 期刊

关键词: 单轴应变 / 金属氧化物半导体晶体管 / 氮化硅 / 物理机理

下载(83)| 被引(1)

应变Si/(001)Si_(1-x)Ge_x本征载流子浓度模型  CNKI文献

利用应变SiCMOS技术提高载流子迁移率是当前研究发展的重点,本征载流子浓度是应变Si材料的重要物理参数,也是决定应变Si器件电学特性的重要参量.本文基于K.P理论框架,从分析应变Si/(001)Si1-xGex材料能带结构出发,详细...

宋建军 张鹤鸣... 《物理学报》 2010年03期 期刊

关键词: 应变Si / 有效态密度 / 本征载流子浓度

下载(146)| 被引(13)

含有本征SiGe层的SiGe异质结双极晶体管集电结耗尽层宽度模...  CNKI文献

本文分别建立了含有本征SiGe层的SiGeHBT(异质结双极晶体管)集电结耗尽层各区域的电势、电场分布模型,并在此基础上,建立了集电结耗尽层宽度和延迟时间模型,对该模型进行了模拟仿真,定量地分析了SiGeHBT物理、电学参数...

胡辉勇 舒钰... 《物理学报》 2011年01期 期刊

关键词: SiGeHBT / 集电结耗尽层 / 延迟时间

下载(160)| 被引(6)

光器件应用改性Ge的能带结构模型  CNKI文献

Ge为间接带隙半导体,通过改性技术可以转换为准直接或者直接带隙半导体.准/直接带隙改性Ge半导体载流子辐射复合效率高,应用于光器件发光效率高;同时,准/直接带隙改性Ge半导体载流子迁移率显著高于Si半导体载流子迁移...

杨雯 宋建军... 《物理学报》 2018年19期 期刊

关键词: 改性Ge / 能带结构 / 带隙调制 / 光电集成

下载(62)| 被引(0)

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