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氧化锡氧化铌共掺杂二氧化钛氧气响应特性的稳定性  CNKI文献

研究了氧化锡(SnO2)、氧化铌(Nb2O3)共掺杂二氧化钛(TiO2)作为厚膜用氧传感器材料的响应特性。X射线衍射分析表明:适量掺杂使厚膜晶粒保持金红石结构,晶胞参数有所增大。扫描电子显微镜显示:厚膜在1280℃左右长时间(1...

袁战恒 张茂林... 《硅酸盐学报》 2007年09期 期刊

关键词: 氧传感器 / 二氧化钛 / 氧化锡氧化铌共掺杂 / 响应特性

下载(217)| 被引(4)

锂掺杂二氧化钛空/燃比厚膜材料的氧敏特性  CNKI文献

研究了锂(Li)掺杂二氧化钛(TiO2)作为空/燃比控制用厚膜敏感材料的响应特性。X射线衍射分析表明:适量掺杂能保持TiO2厚膜的金红石结构,但晶胞参数有所增大。扫描电子显微镜显示:在摩尔分数(下同)为2%~4%范围内,TiO2厚...

张茂林 袁战恒... 《硅酸盐学报》 2008年03期 期刊

关键词: 氧传感器 / 二氧化钛 / 锂掺杂 / 空穴浓度

下载(188)| 被引(4)

电解电容器的特性与应用  CNKI文献

电容器一般是由两个电极夹着一个绝缘体构成。绝缘体也叫介电材料,学术上叫电介质。当电容器的两个电极接上电源时,电介质被电源电压产生的电场所极化。由于电介质被极化而在介质表面产生极化电荷,也叫束缚电荷。为了...

徐友龙 《电子元器件应用》 2012年09期 期刊

关键词: 电解电容器 / 工作电压 / 有机薄膜电容器 / 液体电解质

下载(141)| 被引(3)

溶胶-凝胶法制备(Ti_(1-x)Nb_x)O_2氧化物的物相及厚膜氧敏...  CNKI文献

研究了不同方式形成的TiO2 施主掺杂复合氧化物的气敏特性。结果表明 :用Nb2 O5对TiO2 进行施主掺杂 ,在Nb摩尔分数较小时 ,复合氧化物中极易出现非金红石结构的物相。TiO2 金红石结构物相中施主掺杂浓度很难提高。以...

袁战恒 李晖... 《硅酸盐学报》 2003年04期 期刊

关键词: 二氧化钛 / 复合氧化物 / 氧敏特性 / 非金红石物相

下载(164)| 被引(7)

二氧化钛厚膜钯表面扩散状态对氧气响应特性影响  CNKI文献

利用二氯化钯(PdCl_2)溶液浸渍法,研究了二氧化钛(TiO_2)厚膜钯(Pd)原子表层扩散对氧气响应特性的影响。扫描电子显微镜显示:Pd扩散后厚膜表面均匀分布着纳米级Pd晶粒。利用Kroger-Vink方程分析了不同扩散时间下对应的...

吴向 袁战恒... 《硅酸盐学报》 2008年S1期 期刊

关键词: 二氧化钛 / 厚膜 / 钯表面扩散 / 氧气响应特性

下载(108)| 被引(2)

三氧化二铝衬底表面杂质对二氧化钛厚膜氧敏特性的影响  CNKI文献

以三氧化二铝(Al2O3)为衬底,二氧化钛(TiO2)为厚膜氧敏材料,研究衬底表面杂质对厚膜高温氧敏特性的影响。用X射线光电子能谱监测常用Al2O3基体在制备及表面抛光过程中引入的钙(Ca)、硅(Si)、钠(Na)、氮(N)等杂质及含量...

袁战恒 张茂林... 《硅酸盐学报》 2008年03期 期刊

关键词: 二氧化钛 / 衬底表面杂质 / 高温氧敏特性 / 深能级空穴

下载(145)| 被引(1)

32位浮点嵌入式MCU设计研究  CNKI文献

本文介绍了一个基于RISC体系结构的32位浮点嵌入式MCU的设计实现。该MCU内含128kbit的SRAM、采用哈佛结构、四级指令流水线、32位指令字长和内部43位数据字长。MCU内部设置多个快速寄存器及采用硬连线逻辑代替微程序控...

唐明哲 邵志标... 《微电子学与计算机》 2004年07期 期刊

关键词: 微控制器 / 浮点 / RISC / SRAM

下载(100)| 被引(4)

TiO_2系复合功能陶瓷的电性能研究  CNKI文献

本文从材料设计的角度出发,参考电容-压敏复合功能陶瓷的理想结构,通过 Sb_2O_5施主掺杂控制材料的晶粒电阻率,借助 MnO_2的掺杂,调节材料的晶界势垒高度,探讨了它们对压敏特性和电容特性的影响.文中还对非线性系数、...

武明堂 张卫... 《无机材料学报》 1993年03期 期刊

关键词: 二氧化钛 / 晶界势垒 / 复合功能 / 压敏电阻器

下载(60)| 被引(9)

丝网印刷碳纳米管阴极老炼特性研究  CNKI文献

影响碳纳米管阴极场发射稳定性和寿命的主要因素有真空度、场发射过程中的热效应以及场发射体对场发射电流的承载能力等。本文从外部特性的角度,对丝网印刷碳纳米管阴极老炼前后的场发射特性曲线进行了分析,得出了经过...

刘卫华 朱长纯 《真空电子技术》 2006年01期 期刊

关键词: 碳纳米管 / 场发射 / 丝网印刷

下载(85)| 被引(2)

丝网印刷碳纳米管阴极场发射点开启场强的分布统计  CNKI文献

由于碳纳米管阴极场发射点数量巨大,分布无规律,无法单独测量各个场发射点的开启阈值,所以一直没有效的实验方法获得碳纳米管阴极中场发射点开启阈值的分布规律。本文采用丝网印刷碳纳米管点阵作为阴极,通过不同电压下...

刘卫华 朱长纯... 《真空电子技术》 2006年01期 期刊

关键词: 碳纳米管 / 丝网印刷 / 场发射 / 开启场强

下载(94)| 被引(0)

Mn(NO_3)_2溶液热扩散的TiO_2压敏电阻-电容性能  CNKI文献

对于Nb_2O_5施主掺杂的TiO_2半导瓷,掺入BaCO_3,Bi_2O_3可形成晶界绝缘层并可降低烧结温度.采用Mn(NO_3)_2溶液热扩散的方法使Mn~(2+)进入晶界可提高晶界势垒,从而提高压敏电压及非线性系数,大幅度降低介电损耗.

方湘怡 肖华... 《传感技术学报》 1995年01期 期刊

关键词: 压敏电阻 / 电容

下载(55)| 被引(4)

陶瓷湿度传感器材料、特性及稳定性  CNKI文献

本文主要介绍了离子型、电子型和电容陶瓷湿度传感器材料、特性,以及提高陶瓷湿度传感器稳定性的途径和进展。

武明堂 孙鸿涛... 《仪表材料》 1989年06期 期刊

关键词: 陶瓷湿度传感器 / 电子型 / 湿度灵敏度

下载(72)| 被引(1)

微型真空力敏器件的研究  CNKI文献

本文首次用电荷模拟法计算了真空微电子力敏传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,同时计算了<100>晶向的方形硅薄膜受压形变与压力的关系,进而得出了这种传感器的电流-压力曲线.还做了水槽模拟电场分布的实...

朱长纯 王海笑 《传感技术学报》 1994年04期 期刊

关键词: 压力传感器 / 硅膜 / 电场分布

下载(29)| 被引(2)

GaAlAs/GaAs HBT的现状和应用展望  CNKI文献

本文评述了GaAlAs/GaAs HBT的研究现状,着重讨论了制造HBT的重要技术和应用前景;对HBT的进一步发展也进行了探讨。

徐士杰 《微电子学》 1991年02期 期刊

关键词: GaAs / 异质结 / 双极晶体管

下载(61)| 被引(0)

砷化镓 金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析  CNKI文献

本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分...

陈贵灿 K.L.Wang... 《西安交通大学学报》 1990年01期 期刊

关键词: 砷化镓 / 肖特基势垒栅场效应晶体管 / 数值分析

下载(46)| 被引(0)

超突变结变容管的模型研究  CNKI文献

在改进的超突变结变容管掺杂分布模型的基础上,对超突变结的雪崩击穿电压进行了理论研究,并用二分法得到了通常实用范围的V_b,N_o数据表:同时用牛顿迭代法进行了数值求解,得出了归一化的C-V和W-V数据表.

朱长纯 钱伟... 《微电子学与计算机》 1993年12期 期刊

关键词: 变容管 / 击穿电压 / 超突变结

下载(24)| 被引(1)

凹槽栅砷化镓金属-半导体场效应晶体管的二维稳态有限元分析  CNKI文献

本文叙述用有限元方法对凹槽栅GaAs MESFET’s器件进行稳态模拟的程序。半导体基本方程的离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;有限元网格采用非均匀剖分及局部加密细分,程序能对结点编序优化,缩小带...

陈贵灿 刘之行... 《西安交通大学学报》 1991年03期 期刊

关键词: 砷化镓 / 肖特基势垒栅场效应晶体管 / 数值分析

下载(29)| 被引(0)

ABO_3型厚膜酒敏器件的研制  CNKI文献

采用厚膜技术研制了一种带有加热器的La_(1-x)Sr_xCo_(1-y)Fe_yO_3酒敏器件。介绍了器件性能测试结果,讨论了材料的气敏机理。

武明堂 姚奎... 《电子元件与材料》 1992年06期 期刊

关键词: 钙钛矿结构 / 酒敏器件 / 厚膜电路

下载(23)| 被引(1)

一种简单的静电封接技术  CNKI文献

本文论述了静电封接技术的基本原理及其在半导体压力传感器生产中的应用.主要介绍一种简单而廉价的静电封接装置及操作工艺和一些实验结果.这种封接技术不用其它任何粘合剂,将硅与玻璃相接触进行静电封接,形成的硅-玻...

陈志刚 林奇星... 《半导体技术》 1989年03期 期刊

关键词: 静电封接 / 硅片 / 传感器 / 换能器

下载(24)| 被引(1)

硅锥阵列场发射微真空二极管研制  CNKI文献

本文使用阳极抛光盖板技术取代工艺上较为复杂的牺牲层技术制作了硅锥阵列场发射真空二极管,并从实验上和理论上研究了该二极管电流电压特性.

朱长纯 吴辉... 《云南大学学报(自然科学版)》 1992年S1期 期刊

关键词: 二极管 / 微真空 / 场发射冷阴极

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