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功率半导体应用专栏(连载) (五)快恢复外延型二极管(FRED)...  CNKI文献

1 引言过去10年,电源拓扑发生了翻天覆地的改变。现在的电源都不再需要笨重的50/60Hz的变压器。在传统电源中,这些变压器占体积和重量的主要部分。现在取而代之的是轻巧的变压器,其磁芯是烧结铁氧体,而不是硅钢片,因此...

《电源世界》 2004年06期 期刊

关键词: 二极管 / 反向恢复 / 超快 / 电压尖峰

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功率半导体应用专栏(连载) (四)将模块和分离器件的特点组...  CNKI文献

1 引言新的功率半导体封装技术已经发展为:功率半导体芯片焊接在DCB陶瓷基板上,同时多达5个引脚的框架与基板是一体的。这种封装方法将模块与分离器件的装配技术结合,因此这种器件具有两种器件的特性。新的器件与散热...

《电源世界》 2004年05期 期刊

关键词: 半导体封装 / 散热器 / 换热器 / 采暖设备

下载(34)| 被引(0)

功率半导体应用专栏(连载) (二)miniBLOC~(TM)功率封装  CNKI文献

1 引言miniBLOC是一种隔离的功率半导体封装,特别适合功率等级在1kV·A到50kV·A的功率变换装置。在该功率范围内,高功率密度、高开关速度、器件选择的多样性、应用的简单性和长期的可靠性都可以达到最优。IX...

《电源世界》 2004年03期 期刊

关键词: MOSFET / 变换器 / 转换器 / 集电极电流

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第一章总括 (一)通过器件手册选择合适的器件  CNKI文献

为了更好的让电源世界的企业在新产品开发中与世界同步,本刊广泛与企业合作开辟专栏,以介绍世界上最新的电力电子器件技术;从本期开始将以连载的形式介绍IXYS公司(出版)功率半导体应用的内容,专辑中的相关内容题目、刊...

《电源世界》 2004年02期 期刊

关键词: 器件 / 漏电流 / 阻断电压 / 关断损耗

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(三)新一代ISOPLUS247TM功率封装简介  CNKI文献

IXYS公司发明了一种新的、可用于所有分立型功率半导体器件的绝缘塑料壳封装,这将改变功率器件安装到散热器上的方式。新的ISOPLUS247~(TM)内部绝缘的装配片可以达到2500V(有效值)的绝缘等级。这种封装的尺寸与标准的...

《电源世界》 2004年04期 期刊

关键词: 超快恢复二极管 / 新一代 / ISOPLUS247TM / 电气绝缘

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压装IGBT可靠性试验  CNKI文献

本文提供了一类全新型无焊压装IGBTs的机械和电气可靠性的大量试验结果。实验内容包括:振动、冲击、热循环,也包括集电结和发射结和门的电疲劳使用期限。实验证明该类器件可用于可靠性要求高和寿命要求长的应用场合。

《变频器世界》 2005年02期 期刊

关键词: 发射极 / 集电极 / 芯片 / 金属层

下载(159)| 被引(0)

基于新型1200V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究  CNKI文献

研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通...

刘学超 黄建立... 《电源学报》 2016年04期 期刊

关键词: 碳化硅 / 宽禁带 / 双向逆变器 / 反并联二极管

下载(463)| 被引(4)

新一代SiC MOSFET脉冲MIG逆变焊接电源研制  CNKI文献

采用SiC MOSFET和Si基肖特基二极管作为功率换流器件,研制了一台以ARM(advanced RISC machines)为主控芯片的400 A级脉冲MIG逆变焊接电源。针对SiC MOSFET功率器件特性以及逆变焊接电源的工作特点,设计了一种带保护机...

吴健文 范文艳... 《电焊机》 2018年11期 期刊

关键词: SiC / MOSFET / 脉冲MIG逆变 / 焊接电源

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基于SiC MOSFET的谐振软开关等离子体电源  CNKI文献

利用SiC MOSFET能简化电路拓扑、提高电源的功率密度和效率.为推动大功率等离子体电源的升级换代,提出了一种采用新型SiC功率器件的全桥谐振变换器.该谐振变换器的主电路采用LLC Zero Voltage Switching(ZVS)拓扑结构...

王振民 吴健文... 《华南理工大学学报(自然科学版)》 2019年01期 期刊

关键词: 等离子体电源 / 谐振变换器 / SiC / MOSFET

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