采用溶剂热法合成具有高结晶性与单分散性的TiO2纳米棒.采用TEM、XRD、HRTEM等对样品的微观结构进行表征,并考察了TiO2纳米棒对亚甲基蓝的光催化性能.通过控制反应时间、反应温度,研究纳米棒的形貌演变规律.结果表明,...
安全、高效、经济的氢储存技术是氢能大规模应用的关键。相对于高压气态储氢和低温液化储氢,通过氢与材料间的相互作用形成固溶体或氢化物的固态氢储存由于其好的安全性和高的能量密度,被认为是最有发展前景的一种氢储...
过渡金属硫族化合物(TMD)因其原子层级的厚度和独特的光电性能而受到了广泛的关注和研究。大量文章报道了TMD的可控制备、奇特的光电性能及其在光探测、发光、自旋和能谷电子学等光电子领域的应用。从TMD的材料制备、...
高性能的二维层状材料硫化钨界面层的有机太阳能电池（英文... CNKI文献
化学剥离的硫化钨二维层状材料在经过紫外臭氧处理后用作有机太阳能电池的空穴传输层,可以显著提高电池器件的光电转化效率至8.37%;作为空穴传输层,硫化钨二维层状材料可以与经典的空穴传输材料PEDOT:PSS相媲美.利用X...
从含过量水的溶胶出发,在室温下得到了TiO2纳米晶。通过红外光谱,透射电子显微镜法和X射线粉末衍射法对含有过量水的溶胶体系中TiO2纳米晶的室温形成机理进行了研究。与传统的溶胶凝胶法相比,在改良的溶胶凝胶体系中,...
氧化铁和羟基氧化铁纳米结构的水热法制备及其表征 CNKI文献
利用乙二醇辅助水热法制备氧化铁的纳米结构,系统研究了Fe3+和OH-的比例、乙二醇的含量、溶液浓度以及后续热处理对氧化铁纳米结构的影响,同时研究了不用形貌的氧化铁纳米结构对其磁性的影响．研究表明:当Fe3+和OH-的...
以分析纯的FeSO4、H3PO4和LiOH为原料,用水热合成法得到纯度高、结晶好的纳米LiFePO4。X射线衍射和SEM分析结果表明,当实验温度为120~150℃,时间为5~15 h时,随反应温度的提高和反应时间的延长,LiFePO4从不规则的纳米颗...
ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料。详细介绍了ZnO薄膜在太阳能电池、表面声波器件、气敏元件、压敏器件等领域的应用以及在紫外探测器、LED、LD等潜在应用领域研究开发的最新进展。
Ag/SnO_2电接触材料的制备新方法(英文) CNKI文献
描述了一种制备Ag/Sn O2电接触材料(Sn O2的质量分数为12%)的新方法。首先采用共沉淀法制备Ag-Sn O2纳米复合粉体(Sn O2的质量分数为42%)并对该Ag-Sn O2纳米复合粉体进行了表征。XRD结果表明制备的复合粉体由纯立方相...
二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段。本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用。在100%O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的...
研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0～ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶...
采用PEG辅助水热法合成了ZnO纳米棒 ,XRD显示产物为结晶良好的六角结构晶体ZnO ,PL谱表明适当退火处理后产物有较好的光致发光性能 .利用TEM和SAED研究了纳米棒的形貌和生长机制 ,并研究了氢氧化钠浓度和反应时间对产...
ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件...
钽掺杂二氧化钛薄膜的溶胶-凝胶法制备及光电性能调控 CNKI文献
用溶胶凝胶法在石英基板上制备不同钽掺杂浓度的二氧化钛薄膜,并采取后续氢气退火的方法改善其光电性能以用于TCO薄膜。采取SEM、XRD等测试手段观察薄膜的微观形貌、结晶性能及组成态,并利用四探针测试、可见光透过率...
溶胶-凝胶法制备柱状TiO_2薄膜及其光催化性能研究 CNKI文献
采用溶胶-凝胶法,由硝酸取代有机络合剂来抑制钛酸四丁酯的水解,在石英基板衬底上采用多次旋涂成功制备了锐钛矿相柱状晶TiO2薄膜,并研究了退火温度对结晶性能的影响。当退火温度在400~550℃可以制备出锐钛矿相柱状晶...
石墨烯的独特结构和性能使其在纳米电子、半导体器件等领域中的研究成为热点课题。综述了石墨烯的结构特性及制备方法,重点评述了石墨烯带隙调控的方法及其原理,概括了各种方法可实现的带隙调节范围及研究现状,并介绍...
应用微波光电导衰减仪(μ-PCD)测得了铸造多晶硅硅锭沿生长方向少子寿命的分布图。结果显示:距离硅锭底部4~5cm以及顶部约2cm的范围内均存在一个少子寿命值过低的区域,而硅锭中间区域的少子寿命值较高且分布均匀。通过...
使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观...
无模板法制备多孔g-C_3N_4及其可见光催化性能 CNKI文献
采用超声工艺与硫酸水热改性相结合,在无模板剂条件下制备出多孔g-C3N4材料。通过粒径分析、X射线衍射仪、扫描电镜、比表面积测试和紫外-可见漫反射光谱等表征手段,系统研究了超声时间、水热条件等对其粒径大小、晶体...
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备,VO可能导致ZnO薄膜产生绿光;线缺陷可能成为...
