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巨磁阻抗效应及其应用  CNKI文献

近年来在FeCoSiB等非晶和纳米晶丝带中发现了巨磁阻抗效应,由于其灵敏度高,因而在磁传感器技术中有巨大的应用前景,受到国内外专家的广泛关注 本文简单介绍了巨磁阻抗效应的原理,并结合近年来具有巨磁阻抗效应的非晶和...

董延峰 王治... 《天津理工学院学报》 2002年04期 期刊

关键词: 非晶 / 纳米晶 / 铁磁合金 / 巨磁阻抗效应

下载(509)| 被引(18)

溅射技术在制备SiC薄膜中的应用  CNKI文献

近20年以来,薄膜科学得到迅速发展,不仅得益于薄膜材料可能具有力、热、光、电、磁、仿生或化学等各种特性,可以使器件小型化,而且也得益于各种薄膜制备手段的进步.其中,溅射技术已成为几种重要的制备薄膜的手段之一....

李娟 刘技文... 《天津理工学院学报》 2004年03期 期刊

关键词: 溅射技术 / SiC薄膜 / 制备

下载(443)| 被引(10)

N~+离子束注入庆大霉素产生菌诱变效应研究  CNKI文献

用 30kV ,剂量 1 .0× 1 0 1 5ions/cm2 ~ 5.0× 1 0 1 6ions/cm2 的N+离子注入庆大霉素产生菌成熟孢子后 ,作出菌种的存活率曲线 ,为典型的“马鞍型”剂量 -效应曲线 .围绕存活率曲线的峰值区域选取最佳注入...

赵洪英 李彦... 《天津理工学院学报》 2001年01期 期刊

关键词: 离子注入 / 质量沉积 / 诱变育种 / 存活率曲线

下载(124)| 被引(50)

溅射法生长高度取向ZnO的实验研究  CNKI文献

采用直流磁控反应溅射法,在3种衬底上获得c轴(002)定向生长的ZnO薄膜,并利用X射线衍射、PL谱对上述薄膜进行了实验研究。结果表明N型(100)Si衬底上,ZnO(002)取向度最高,分析认为是由于N型(100)Si与ZnO(002)晶格匹配度...

李燕 陈希明... 《液晶与显示》 2004年03期 期刊

关键词: 溅射 / ZnO / X衍射 / PL谱

下载(133)| 被引(11)

八羟基喹啉金属配合物的发光特性的研究  CNKI文献

合成了八羟基喹啉铝和八羟基喹啉锌,测量了粉末和薄膜的荧光光谱,并分析了从粉末到薄膜发射峰红移的原因。制备了单层和双层的器件,从载流子注入平衡的角度分析了器件的效率变化的原因。

杨晓辉 滕枫... 《光电子技术》 1997年02期 期刊

关键词: 有机薄膜电致发光 / 八羟基喹啉螯合物

下载(322)| 被引(7)

Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9纳米晶合金的软磁特性  CNKI文献

自1988年,Yoshizawa等人首先发现并命名为Finemet的铁基纳米晶合金后,该材料以其优异的软磁性能引起人们广泛的研究兴趣.本文对国内外研究文献进行综述,主要包括Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶合金的制备及合成技术,微观...

丁燕红 王治... 《天津理工学院学报》 2004年01期 期刊

关键词: 非晶合金 / 晶化 / 磁性 / 磁晶各向异性

下载(169)| 被引(5)

无机晶体材料中色心的形成及其存储机理的研究  CNKI文献

BaFBr:Eu2 +作为一种优良的光激励发光材料 ,广泛使用于诸多方面 .本论文研究了在BaFBr:Eu2 +中掺杂金属离子 ,促使其激励波长红移 ,以适应小巧、价廉的半导体激光器 .并且研究了掺杂不同的金属离子对BaFBr :Eu2 +激励...

余华 熊光楠... 《天津理工学院学报》 2001年01期 期刊

关键词: 色心 / 光激励发光 / Eu2+ / 缺陷

下载(122)| 被引(4)

无机聚合絮凝剂的结构研究  CNKI文献

本文用广角度X射线散射(WAXS)和径向分布函数(RDF)方法对聚合硅硫酸铝钾TX203絮凝剂的结构进行了分析。WAXS和 RDF分析指出:该絮凝剂是一种有序尺寸(D)约为 22-25A非晶固体。它是由...

陈济舟 于海斌... 《无机化学学报》 2000年05期 期刊

关键词: 无机聚合絮凝剂 / 非晶体结构 / 原子密度径向分布函数

下载(92)| 被引(7)

影响 YAGG : Tb 荧光粉发光亮度因素的研究  CNKI文献

粉末荧光粉的发光亮度与合成条件、处理方法密切相关,本文通过长期研究确定了投影电视用绿色荧光粉YAGG:Tb的最佳灼烧温度在1500℃左右,当用弱酸和有机溶剂先后处理之后,可以将发光亮度提高35%,荧光...

李岚 熊光楠... 《天津理工学院学报》 1997年04期 期刊

关键词: 荧光粉 / 发光亮度 / 后处理

下载(144)| 被引(5)

铜硅取代的酞青材料LB膜气敏传感器的研究  CNKI文献

采用LB膜技术对沉积在石英晶振的铜硅取代的酞青材料的气体敏感性进行了系统研究,结果表明,该方法所获得的敏感膜敏感度高,反应迅速,稳定性较好。

李岚 许琳... 《功能材料》 1998年02期 期刊

关键词: LB膜 / 有机气敏材料

下载(70)| 被引(12)

偏岭石结构研究  CNKI文献

用广角度X射线散射 (WAXS)和由它得到的径向分布函数 (RDF)研究了偏岭石的结构。偏岭石是一种以非晶组份为主的部分有序的中间序性物质。构成偏岭石的结构单元是四面体 [MO4 ](M =Si,Al)和八面体 [AlO6](O =O ,OH)。偏...

陈济舟 刘长龄... 《沉积学报》 2001年02期 期刊

关键词: 偏岭石 / 结构 / 径向分布函数

下载(96)| 被引(3)

热处理对单层聚合物电致发光器件性能的影响  CNKI文献

本文分别对以 MEH- PPV为发光层的橙色及以 L PPP为发光层的兰色单层聚合物有机发光二极管 (OL ED)器件在不同的温度和时间条件下进行低真空热处理 ,分别确定了最佳热处理条件。经最佳条件热处理后器件的启亮电压降低...

李娟 华玉林... 《光电子·激光》 2001年12期 期刊

关键词: 单层OLED器件 / 热处理 / 界面 / 电子注入

下载(60)| 被引(6)

FEDs用荧光粉亮度和效率研究  CNKI文献

对目前国内外FED荧光粉的研究现状进行了综合的描述,特别对涉及的关键问题给予评论,介绍了两种新的荧光粉的主要指标。

李岚 卫常红... 《电子与信息学报》 2001年07期 期刊

关键词: FED / 发光亮度 / 发光效率 / 电流饱和

下载(94)| 被引(3)

CdS半导体非线性吸收中的电场作用  CNKI文献

在CdS的室温光学非线性吸收过程中,再外加直流电场,观察到光学非线性吸收随外场增大而增大,非线性出现的光强阈值随外场增大而减小.通过实验判断这一现象来源于电子激子散射.

熊光楠 徐叙溶... 《半导体学报》 1991年03期 期刊

关键词: CdS / 光学非线性 / 电子-激子散射 / 发光光谱

下载(52)| 被引(5)

阴极射线荧光粉经高激发密度灼伤后发光效率的研究  CNKI文献

近年来发光材料在应用中所处激发密度越来越高 ,在使用中往往造成荧光粉的饱和和灼伤。本文研究高清晰投影电视管用绿色荧光粉ZnSiO4 :Mn和YAGG :Tb在高激发密度阴极射线束灼伤后影响发光效率的主要环节 ,发现ZnSiO4 ...

熊光楠 李炳生... 《应用光学》 2000年S1期 期刊

关键词: 阴极射线荧光粉 / 发光效率 / 荧光粉灼伤

下载(84)| 被引(2)

蓝色薄膜电致发光的新材料ZnO(S):Ce~(3+)的发光特性  CNKI文献

介绍了新制备的TFEL发光材料ZnO(S):Ce2+,测量了它的PL和EL特性,结果显示:这种材料的TFEL为Ce3+的发光,有较好的颜色组成(446nm,493nm),可望用于监色TFEL。

于磊 娄志东... 《光电子技术》 1997年02期 期刊

关键词: 薄膜电致发光 / 分层优化

下载(74)| 被引(2)

薄膜的场致发光  CNKI文献

估计进导带的具体结构,计算了碰撞激发截面,从其六个主要特征中看出过热电子能量的重要性,提出了分层优化方案,对预热,加速、发光层分别优化以提高过热电子能量,并以谱线丰富的Er3+离子作为发光材料的激活剂...

《天津理工学院学报》 1997年02期 期刊

关键词: 分层优化 / 能带断错 / 发光的二次跃升 / 陷阱的空间分布

下载(48)| 被引(2)

紫外线辐照下BaFCl:Eu~(2+)的电子转移过程  CNKI文献

本文研究了BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)荧光材料在紫外线辐照下的光激励发光。在小于Eu~(2+)离化能而大于Eu~(2+)最低激发态的不同能量紫外线辐照后(Eex.<E<Eion.),均能产生光激励发光。同时我们研究了光激励发光材料...

王永生 熊光楠... 《功能材料》 1993年03期 期刊

关键词: 紫外线辐照 / 色心 / 隧穿过程

下载(23)| 被引(7)

BaFX : Eu~(2+)(X=Cl,Br) 的 X 光影像存储机理研究  CNKI文献

报道了一种新的BaFX:Eu2+(X=Cl,Br)的X光影像存储机理.在X光辐照后,Eu2+并不变价为Eu3+,因而不是空穴陷阱.O-F是一种重要的空穴陷阱.存在电子隧穿过程.

熊光楠 《天津理工学院学报》 1997年03期 期刊

关键词: 光激励发光 / F心 / X光像存储

下载(15)| 被引(7)

溅射过程中氧分压对SiO_2薄膜程膜的影响  CNKI文献

该工作采用光电子能谱、扫描电镜等方法研究了溅射镀膜条件对成膜质量的影响,说明溅射制膜时氧化压不能超过13%,同时氧分压过低也对电子加速不利。

陈立春 王向军... 《天津理工学院学报》 1994年04期 期刊

关键词: 薄膜 / 光电子能谱 / 扫描电镜

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