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半导体异质结界面能带排列的实验研究  CNKI文献

本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种...

卢学坤 王迅 《物理学进展》 1991年04期 期刊

关键词: 异质结 / 量子阱 / 超晶格 / 子能带

下载(411)| 被引(7)

Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的X射线小角衍射分析  CNKI文献

用分子束外延生长了23周期的Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(Cu K_α辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光...

周国良 沈孝良... 《物理学报》 1991年01期 期刊

关键词: 超晶格结构 / 归一化 / 小角衍射 / 反射理论

下载(207)| 被引(15)

反射式高能电子衍射图样分析  CNKI文献

本文简要介绍了反射式高能电子衍射(RHEED)的原理及其衍射图样的详细特征。并对常见的正方和六角二维晶格的各种再构,绘编了RHEED的图集。实验工作者可以方便地对照此图集来确定他们所观察到的衍射图样所对应的表面结...

陈可明 张翔九... 《真空科学与技术》 1987年06期 期刊

关键词: 图样 / RHEED / 反射式高能电子衍射 / 表面再构

下载(351)| 被引(7)

Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观...  CNKI文献

本文观察了在Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Si,Ge时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象。其振荡特性表明,外延一定厚度的缓冲层可以改善表面的平整性,较慢的生长速率或中断生长一段时间有利于外延膜晶体质量...

陈可明 金高龙... 《物理学报》 1990年02期 期刊

关键词: 分子束外延 / RHEED / Ge / Si

下载(88)| 被引(6)

电子衍射条件对Si(111)外延时反射式高能电子衍射强度振荡的...  CNKI文献

本文研究了不同电子衍射条件对Si(111)外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的影响,在保持生长条件不变的情况下,沿[112]方位观测时,不同入射角下其强度振荡的相位和初始瞬态响应变化很大,甚至会发生180°相...

陈可明 周铁城... 《物理学报》 1990年12期 期刊

关键词: RHEED / 射角 / 摇摆曲线 / 反射式高能电子衍射

下载(77)| 被引(6)

Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察  CNKI文献

本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。

金高龙 陈可明... 《物理学报》 1989年03期 期刊

关键词: RHEED / 振荡模式 / 反射式高能电子衍射 / 分子束外延生长

下载(118)| 被引(4)

金属超晶格  CNKI文献

金属超晶格是将两种金属以薄膜的形式交替地在石英、云母、蓝宝石或NaCl晶体等衬底上淀积而成的一种人工多层结构,有时又称为层状超薄共格结构(layered ultra-thin coherentstructure,缩写为LUCS)或成分调制结构(comp...

王迅 《物理》 1987年10期 期刊

关键词: 超晶格 / 超导特性 / 调制波长 / 平均自由程

下载(234)| 被引(1)

用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构  CNKI文献

用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子束外延在多孔Si上生长了1-2μm的单晶Si膜,...

周国良 盛篪... 《半导体学报》 1991年05期 期刊

关键词: 分子束外延 / 单晶硅 / 多孔 / RHEED

下载(38)| 被引(6)

用角分辨紫外光电子能谱研究GaP的能带结构  CNKI文献

本文利用Hel紫外线作为激发源,测量了GaP(Ⅲ)面的角分辨紫外光电子能谱,通过详细的数据分析,解释了谱中观察到的各光电子峰。实验测得的体电子能带结构特征与理论符合较好。

卢学坤 侯晓远... 《物理学报》 1990年08期 期刊

关键词: 角分辨紫外光电子能谱 / 能带结构 / 电子能态 / 光电子

下载(171)| 被引(0)

Si(111)分子束外延的生长动力学过程研究  CNKI文献

本文用反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡研究了不同生长温度下Si(111)分子束外延的生长动力学过程,生长温度高于520℃(生长速率约0.15A/S)时,Si(111)外延为“台阶流”生长模式,生长温度低于475℃时,外延为“二维成核...

陈可明 金高龙... 《物理学报》 1990年12期 期刊

关键词: 单原子层 / 动力学过程 / 台阶流 / 分子束外延

下载(103)| 被引(1)

Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究  CNKI文献

本文利用RHEED和AES对Ge/Si(111)和Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构进行了研究。由此提出了其生长模式,并讨论了应力对生长特性、界面特性和表面再构的作用。

陈可明 周国良... 《物理学报》 1990年04期 期刊

关键词: 表面再构 / 界面特性 / Si/Ge / RHEED

下载(115)| 被引(1)

Si(100)和Si(111)衬底上的同质分子束外延  CNKI文献

用超高真空电子束蒸发系统进行了硅的同质分子束外延.发现采用适当的表面化学处理方法,然后在超高真空中加热,可以在较低温度下(800—814℃)获得清洁和平整的有序表面.Si(100)和Si(111)的外延分别在520℃和714℃进行,...

陈可明 蒋维栋... 《半导体学报》 1988年04期 期刊

关键词: 分子束外延 /

下载(52)| 被引(3)

极性/非极性半导体异质结构  CNKI文献

由极性半导体GaAs,GaP 等和非极性半导体Ge,Si等构成的异质结构,为高速集成和光电子集成技术的发展提供了新的机会,同时也为基础物理研究提出了新的课题.本文简要介绍极性/非极性半导体异质结构的制...

蒋维栋 张翔九... 《物理》 1989年04期 期刊

关键词: GaAs / 衬底 / 电荷 / 偶极矩

下载(122)| 被引(1)

生长在Si(001)衬底上的应变合金Ge_xSi_(1-x)的价带电...  CNKI文献

采用经验的紧束缚方法,对生长在Si(001)衬底上的应变合金GexSi1-x。的价带结构进行了计算.并与相应组分的体合金的价带结构进行了比较.当考虑应变对电子能带的影响时,采用了经验的标度定则.这里的...

徐至中 《半导体学报》 1994年03期 期刊

关键词: 价带 / 色散关系 / 实线 / 能带结构

下载(60)| 被引(1)

生长在Si(001)衬底上的Ge_xSi_(1-x)合金的电子能带结...  CNKI文献

采用紧束缚方法对生长在Si(001)衬底上的GexSi1-x合金形变层的电子能带结构进行了计算,并与GexSi1-x合金的能带结构进行了比较.计算结果表明,对大部分合金组分x(0≤x≤0.9),形变层...

徐至中 《半导体学报》 1994年01期 期刊

关键词: 导带底 / 能带图 / 直接能隙 / 晶格常数

下载(49)| 被引(1)

硅分子束外延及其应用的新进展  CNKI文献

以Si为基底的分子束外延是Si能带工程的基础.本文简要地介绍了Si分子束外延的技术以及它在新型器件结构应用方面的一些基本问题和发展现状.

周国良 王迅 《物理》 1990年09期 期刊

关键词: 超晶格 / 能隙 / 衬底 / 基极

下载(41)| 被引(2)

在Si衬底上用分子束外延低温生长Ge薄膜  CNKI文献

本文报道了室温下淀积的薄层Ge在Si衬底表面上通过加热形成结晶的Ge岛,然后在此“带结构”的衬底表面上用分子束外延(MBE)方法生长Ge薄膜的反射式高能电子衍射(RHEED),俄歇电子能谱(AES)研究结果。X射线双晶衍射的测试...

周国良 陈可明... 《物理学报》 1988年10期 期刊

关键词: 衬底 / 超高真空 / 基片 / RHEED

下载(51)| 被引(1)

Ge_xSi_(1-x)/Si和Ge/Si应变层超晶格  CNKI文献

GexSi1-x/Si和Ge/Si应变层超晶格是半导体超晶格中新发展起来的一种类型.本文简要地介绍了这类超晶格在生长和物理特性方面的一些基本问题,列举了它在器件应用方面的例子.给出了共度生长时超晶格的...

陈可明 张翔九... 《物理》 1989年01期 期刊

关键词: 应变层超晶格 / 共度生长 / 临界厚度 / 合金层

下载(27)| 被引(3)

铝和氧化铝表面的电子能量损失谱研究  CNKI文献

用俄歇电子能谱仪测量在低的入射电子能量下二次电子弹性峰附近的损失结构,得到了电子能量损失谱。对于铝、三氧化二铝、铝表面吸附氧以及铝表面复盖薄氧化层的样品,其能量损失谱有明显的差别,主要是等离子损失峰的位...

王迅 庄承群... 《真空科学与技术》 1982年06期 期刊

关键词: 纯铝 / 氧化层 / 表面层 / 等离子激元

下载(79)| 被引(0)

超高真空下测量固体表面功函数连续变化的电子束阻挡势技术  CNKI文献

用自制的钨丝直热式阴极电子枪,在全无油金属超高真空系统中实现了用电子束阻挡势技术测量金属和半导体的接触电势差,以及在样品表面吸附气体过程中功函数的连续变化。讨论了实验条件对测量结果可靠性的影响。

倪庆霄 程士宁... 《真空科学与技术》 1983年01期 期刊

关键词: 功函数 / 连续变化 / 一次微商 / 逸出功

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