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非晶太阳电池用绒面FTO透明导电膜的研究  CNKI文献

本文报道了用CVD法沉积非晶硅太阳电池用绒面FTO(SnO_2掺F)透明导电膜的工艺研究,较深入地讨论了FTO膜的导电机理、光学性质和薄膜生长中各参数对表面织构度的影响,总结出最佳工艺条件。在此条件下,在较大的玻璃衬底上...

詹福寿 庞大文... 《太阳能学报》 1990年02期 期刊

关键词: 透明导电膜 / 透过率 / 透过系数 / FTO

下载(210)| 被引(6)

n-Si低剂量B~+、P~+离子注入产生的缺陷及其退火特性  CNKI文献

对n-Si低剂量(10~(11)cm~(-2))B~+和P~+离子注入产生的电子和空穴陷阱及其热退火行为.用DLTS方法作了迄今最完整的研究.首次报道了空穴陷阱.注B~+引入五种空穴陷阱:高浓度的H_2(0.62)和H_3(0.43)两种可能与B有关的受主...

陈建新 李名复... 《半导体学报》 1986年04期 期刊

关键词: 空穴陷阱 / 能级 / 热退火 / 退火特性

下载(54)| 被引(3)

非晶硅薄膜应力研究  CNKI文献

应用x射线衍射技术,发展了一种自动测定晶体曲率半径的方法,通过测量两种不同工艺制备的非晶硅膜,比较其内应力。单晶硅衬底的曲率半径反比于膜厚,单位膜厚所产生的应力只依赖于膜的沉积工艺,而与膜厚无关。

庞大文 李悦... 《太阳能学报》 1989年04期 期刊

关键词: 透明导电膜 / 硅衬底 / 自动测定 / 膜厚

下载(114)| 被引(0)

非晶硅太阳电池用织构透明导电膜的研究  CNKI文献

利用化学气相沉积法,成功地制备了掺Sb的SnO_2织构膜,并对其电学、光学和结构特性,以及它们与工艺参数的关系进行了分析研究。在最佳工艺条件下,这种膜的方块电阻达10Ω/,直射透过率约为80%(波长800nm)。在这种织构膜...

崔松 庞大文 《太阳能学报》 1989年03期 期刊

关键词: 透明导电膜 / 开路电压 / 短路电流 / 衬底温度

下载(44)| 被引(2)

海森伯铁磁体的热力学微扰理论——Ⅰ.基本理论 Ⅱ.双时格林...  CNKI文献

本文建立了海森伯铁磁体的热力学微扰理论,它在自旋算符的运动方程中分出了微扰部分,格林函数的微扰展式在经过适当的“重整化”以后与费密子体系的形式相同,从而可以把Feynman图解方法应用于自旋体系。这个微扰理论的...

王以铭 《北京工业大学学报》 1983年02期 期刊

关键词: 微扰理论 / 运动方程 / 海森伯 / 铁磁体

下载(56)| 被引(0)

以笔画结构分析为基础的一种限制性手写汉字识别方法  CNKI文献

本文介绍的限制性手写汉字识别方法,着眼于提取和分析汉字的笔画及相互间的结构关系,并以一种简单的形式对汉字进行描述和识别。对500个汉字所作的模拟实验,得到了满意的效果。

汪庆宝 张征 《电子学报》 1987年03期 期刊

关键词: 笔画数 / 基元 / 手写汉字识别 / 重码

下载(55)| 被引(1)

氢敏钯栅MOSFET的设计理论与性能分析  CNKI文献

一、前言 半导体器件对周围环境具有高度灵敏性,过去大多数工作致力于降低这种敏感性以提高半导体器件的可靠性。近些年来,也开始研究利用这种敏感性。其中一个重要成果是用钯作栅金属的N沟金属——氧化物——半导体场...

亢宝位 邹德恕... 《传感器技术》 1984年S1期 期刊

关键词: MOSFET / 设计理论 / 氢浓度 / 开启电压

下载(26)| 被引(1)

日本正在研制的第五代计算机  CNKI文献

This article introduces the fifth generation computer system which is being developed in Japan.The functions of the fifth generation computer system may be roughly classied as follows:Probpem-solving...

李慧文 《北京工业大学学报》 1984年01期 期刊

关键词: 第五代计算机系统 / 硬件系统 / 机器 / 生产率

下载(14)| 被引(0)

MOS型CO气体传感器  CNKI文献

SnO_3栅MOS气体传感器是一种新型的MOS传感器,以金属氧化物SnO_2作为MOS晶体管的栅材料,当SnO_2层的厚度小于德拜长度时,吸附CO分子后与栅材料表面进行氧原子交换,致使栅材料中的电子浓度发生变化,由

邹德恕 王东风 《传感器技术》 1987年Z1期 期刊

关键词: MOS / SnO / 气体传感器 / CO

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导膜法生长硅薄壁大直径多面空心柱——介绍EFG法的最近发展  CNKI文献

本文简要介绍了导模法(即 EFG 法)的一般原理及其在生长片状及空心多面柱等异形晶体方面的应用和最新发展动向。例举了美国从六十年代以来成功地采用这种方法生长了兰宝石薄片晶体、空心管状兰宝石晶体、薄片状硅单晶...

庞大文 《人工晶体》 1982年Z1期 期刊

关键词: EFG / 兰宝石

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用蒸发法制备非晶硅  CNKI文献

用蒸发方法制备非晶硅薄膜,具有制备方法简单,淀积速率快,实验周期短,成本低等特点.但也存在一些问题,主要是用蒸发方法制备的非晶硅薄膜含有大量的宏观缺陷,如孔洞等.这样使非晶硅薄膜具有高密度的局域态,给掺杂带来...

张忠和 苗景广 《贵金属》 1981年04期 期刊

关键词: 非晶硅 / 晶硅薄膜 / 蒸发法

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TP86系列单板计算机介绍  CNKI文献

北京工业大学无线电电子学系数字技术研究室1982年参照美国Intel SDK-86单板计算机研制成功了TP86A十六位单板计算机,于1983年通过产品鉴定,获北京市科技成果二等奖并由北京工业大学电子厂批量投入生产。TP86A单板机采...

张印春 《微计算机应用》 1988年06期 期刊

关键词: 单板计算机 / 单板机 / 数字技术 / TP86

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B~+、P~+离子注入p-Si中产生的缺陷及其退火特性的DLTS研究  CNKI文献

用电容及电流DLTS方法测量了B~+、P~+离子注入掺硼p-Si中引进的空穴缺陷能级及其退火行为.在两种离子注入样品中都测到的空穴陷阱有七个,除了常见的辐照缺陷V.O.C受主H_4(0.35)、V.O.B复合团H_5(0.29)及V_2~+双空位单...

孙璟兰 李名复... 《半导体学报》 1991年02期 期刊

关键词: 离子注入 / 空穴陷阱 / 电容、电流DLTS / p-Si

下载(60)| 被引(0)

Si中Au受主能级的流体静压力移动  CNKI文献

用恒温的瞬态电容法测量了各向同性流体静压力P下,Si中Au受主能级E_T的压力系数。在0—8kbar压力范围内,(E_c-E_T)/P=-1.9meV/kbar。该能级对电子俘获截面在实验误差范围内与压力无关。以上数据与文献[13]报道的Si中A...

李名复 陈建新... 《物理学报》 1985年08期 期刊

关键词: 深能级 / 单轴应力 / 电子能态 / 受主能级

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Si中S深能级的进一步研究  CNKI文献

用电流DLTS方法测量了N型Si中S形成的E_1—E_5 5个深能级。除E_1,E_2能级对应过去报争的S双施主外,E_3=E_c-0.31ev,E_4=E_c-0.16ev,E_5=E_c-0.15ev,可能是S对或S团形成的深能级。E_3,E_4能级的电子俘获截面约为10~(-1...

刘磁辉 陈建新... 《中国科学院研究生院学报》 1989年02期 期刊

关键词: DLTS / 电流 / 电容 / 峰高

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