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TFT-LCD中的液晶扩散研究  CNKI文献

为了对液晶滴注工艺和相关不良进行优化改善,本文研究了真空对合之后液晶屏内液晶扩散时间与位移的关系。在牛顿流体假设前提下提出了液晶屏倾斜放置下液晶扩散的模型。数学推导证明,前人研究的平放状态下的方程是倾斜...

刘栋宏 张琦... 《液晶与显示》 2014年02期 期刊

关键词: 液晶扩散 / 液晶滴注工艺 / 牛顿流体 / 纳维-斯托克斯方程

下载(320)| 被引(6)

TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究  CNKI文献

对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退...

张家祥 卢凯... 《液晶与显示》 2014年01期 期刊

关键词: 无退火工艺 / 透过率 / 氧化铟锡层 / TFT特性

下载(333)| 被引(5)

有源层刻蚀工艺优化对TFT-LCD品质的影响  CNKI文献

TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的过孔发黑(黑点)问题尤为突出,严重影响了产品的良率,降低了产品的品质,文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的...

李田生 谢振宇... 《液晶与显示》 2013年05期 期刊

关键词: 有源层 / 刻蚀 / 黑点

下载(250)| 被引(3)

栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究  CNKI文献

通过对低速沉积的栅极绝缘层(GL层)和低速沉积的有源层(AL层)的薄膜沉积条件进行了优化,分析了沉积AL层的功率,间距等条件的变更对薄膜的沉积速率和均匀性的影响,解释这些工艺条件对I on的影响的本质,确定最佳的沉积A...

田宗民 陈旭... 《真空科学与技术学报》 2014年01期 期刊

关键词: 栅极绝缘层 / 有源层 / 沉积条件优化 / TFT特性

下载(347)| 被引(5)

过孔刻蚀工艺优化对过孔尺寸减小的研究  CNKI文献

为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,之前做过钝化层沉积工艺优化来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔尺寸的研究。本文在此基础...

李田生 陈旭... 《液晶与显示》 2014年05期 期刊

关键词: 钝化层 / 刻蚀 / 过孔

下载(163)| 被引(2)

HR新角色——业务合作伙伴(HRBP)  CNKI文献

人力资源要成为业务的驱动力,真正实现战略人力资源管理的目标,关键是人力资源自身的运营模式从职能导向转变为业务导向。本文从战略性人力资源转型的目标与方向、运营模式导入,从战略性人力资源组织设计角度入手,着重...

陈岩 陈雷川 《人力资源管理》 2013年08期 期刊

关键词: 战略性人力资源管理 / 人力资源转型 / 业务合作伙伴 / 能力素质

下载(1888)| 被引(32)

TFT-LCD高温光照漏电流改善研究  CNKI文献

造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种:一是沟道内半导体材料内部的缺陷,另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱。TFT-LCD在长期运行时由于高温及光照的影响会导致漏电流增加,进而对TFT造成破坏。分...

蒋会刚 肖红玺... 《液晶与显示》 2016年03期 期刊

关键词: 高温光照漏电流 / TFT沟道 / TFT特性 / 沟道厚度

下载(281)| 被引(2)

湿法刻蚀FI CD均一性的影响因素及提高刻蚀均一性的研究  CNKI文献

随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目...

范学丽 靖瑞宽... 《液晶与显示》 2016年01期 期刊

关键词: TFT-LCD / 湿法刻蚀 / FI / CD

下载(252)| 被引(2)

栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT电学特性的改善  CNKI文献

对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(Ion)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二...

田宗民 陈旭... 《液晶与显示》 2013年06期 期刊

关键词: 栅极绝缘层 / 有源层 / 沉积条件优化 / 电学特性

下载(187)| 被引(1)

栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善  CNKI文献

在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性。本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化非晶硅开态电流特性的方法,包括提高单位面积栅绝缘层电容和改善载流子迁移率。实验结果...

张金中 张文余... 《真空科学与技术学报》 2012年11期 期刊

关键词: 栅极绝缘层 / 氢化非晶硅 / 界面处理 / TFT特性

下载(293)| 被引(6)

一种TFT-LCD Vertical Block Mura的研究与改善  CNKI文献

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)以及其他显示器件产品中,Mura是一种比较常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。文章结合生产工艺的实际情况,采用MM,CD,EPM,SEM,FIB等检测设备,对...

吴洪江 王威... 《液晶与显示》 2007年04期 期刊

关键词: TFT-LCD / Mura / 抖动 / 耦合电容

下载(489)| 被引(24)

基于TRIZ理论的LED背光源散热研究  CNKI文献

介绍了TRIZ理论的基本原理和方法,运用矛盾冲突矩阵对液晶显示器LED背光源的散热问题进行了分析。由于LED背光源散热问题属于物理矛盾,在结合TRIZ理论科学效应和现象知识库的基础上,提出了基于条件分离的LED背光源散热...

雷嗣军 马青... 《液晶与显示》 2012年01期 期刊

关键词: 发明问题解决理论 / LED背光源 / 散热 / 半导体制冷

下载(324)| 被引(8)

TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究  CNKI文献

本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减...

张家祥 王彦强... 《液晶与显示》 2017年06期 期刊

关键词: 沟道界面 / 漏电流 / Al电极 / TFT特性

下载(232)| 被引(1)

(Al,Zr)共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构以及光电性能研究  CNKI文献

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶...

薛建设 林炜... 《液晶与显示》 2007年05期 期刊

关键词: 氧化锌 / 透明导电薄膜 / 电阻率 / 透光率

下载(399)| 被引(20)

SiN_x:H薄膜沉积条件变更对TFT特性的影响  CNKI文献

利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx:H和a-Si:H薄膜。通过电学、光学、力学测试研究了SiNx:H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性。当SiH4和...

李婧 张金中... 《液晶与显示》 2013年04期 期刊

关键词: SiNx / H界面态 / Si/N / 开关比

下载(181)| 被引(0)

RIE模式干法刻蚀ADS产品铝腐蚀改善研究  CNKI文献

Full-in-cell(FIC)产品信号线SD层结构为Mo-Al-Mo结构,使用Reactive Ion Etching(RIE)模式干法刻蚀设备进行N+Etch时,氯的化合物会吸附在信号线中的Al线侧壁及光刻胶的表面,当玻璃基板离开刻蚀腔体接触到空气,遇到水分...

蒋会刚 高建剑... 《液晶与显示》 2017年07期 期刊

关键词: 铝腐蚀 / TFT沟道 / TFT特性 / 沟道厚度

下载(133)| 被引(1)

TFT-LCD制造工艺中金属或金属复合膜层坡度角的研究  CNKI文献

在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板制程中,Gate层(栅极)电路和SD层(源极)电路根据产品电阻等要求可以使用纯金属膜层,如钼、铜等金属膜层,也可以使用金属复合膜层,如铝钼、铝钕钼、钼铝钼等金属复合膜层。当使用不...

范学丽 靖瑞宽... 《液晶与显示》 2018年03期 期刊

关键词: 坡度角 / Etch / Rate / 膜层

下载(202)| 被引(0)

工业机器人故障诊断技术的发展趋势  CNKI文献

对国内外工业机器人及其故障诊断技术的发展现状进行了简要的总结,明确了国内外存在的差距,并对工业机器人故障诊断技术未来的发展趋势进行了分析和展望。

曾祥丹 《科技风》 2017年08期 期刊

关键词: 工业机器人 / 故障诊断 / 发展现状 / 发展趋势

下载(425)| 被引(3)

非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究  CNKI文献

采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明:提高...

谢振宇 龙春平... 《真空科学与技术学报》 2007年04期 期刊

关键词: 栅界面层 / 氮化硅 / 光禁带宽度 / 介电常数

下载(408)| 被引(16)

栅绝缘层过孔的反应离子刻蚀研究  CNKI文献

为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻...

姜晓辉 田宗民... 《真空科学与技术学报》 2014年03期 期刊

关键词: 栅绝缘层过孔 / 反应离子刻蚀 / 过刻量 / 气体比例

下载(104)| 被引(3)

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