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GaN基激光器电子阻挡层的优化分析  CNKI文献

从载流子输运机制的角度,分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素,对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化.结果表明,当p型掺杂水平增高时,所需要的势垒高度减小,即Al组分减小.

李倜 潘华璞... 《半导体学报》 2006年08期 期刊

关键词: 半导体激光器 / GaN / AlGaN / 电子阻挡层

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三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究  CNKI文献

GaN 基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。我们的实验表明,采用 InGaN/GaN 三元和 AlInGaN/GaN 四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,就此本文研究了这两种不同量...

廖辉 陈伟华... 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集 2007-09-01 中国会议

关键词: AlInGaN/GaN / 量子阱 / InGaN/GaN / 量子阱

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Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响  CNKI文献

本文通过优化 Mg 流量提高了 p 型 GaN 的电学性能。Hall 测量结果表明 Mg 流量从1.4umol/min 降到0.28umol/min时,p 型 GaN 的电阻率降低了一个数量级,在室温下达到了1ohmcm。这种高掺杂情况下空穴浓度随 Mg 流量的增...

张晓敏 王彦杰... 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集 2007-09-01 中国会议

关键词: p / / GaN / 自补偿

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