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现代光刻技术  CNKI文献

作为当前集成电路制造的主流技术,光学光刻在趋近其分辨力极限的同时,面临着越来越大的挑战,即便在波前工程和分辨力增强技术的帮助下,光学光刻的分辨力也难以满足快速发展的半导体产业的技术需求。接近式 X 射线光刻...

陈大鹏 叶甜春 《核技术》 2004年02期 期刊

关键词: 光刻 / 分辨力 / X射线光刻技术 / 电子束直写

下载(1592)| 被引(45)

基于IP核复用技术的SoC设计  CNKI文献

摘要:概述了国内外IP产业的发展情况,论述了我国发展IP核复用技术SoC设计的可能性和必要性,IP核种类。

金湘亮 陈杰... 《半导体技术》 2002年04期 期刊

关键词: 集成电路 / IP核 / SoC

下载(752)| 被引(101)

MOSFET模型&参数提取  CNKI文献

器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口 ,对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型 ,并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。

李庆华 韩郑生... 《微电子技术》 2003年04期 期刊

关键词: MOSFEX / BSIM / 模型 / 参数提取

下载(1065)| 被引(20)

∑-△模数转换器研究进展  CNKI文献

扼要介绍了 Sigma- Delta (Σ-Δ)模数转换器 ( ADC)的工作原理 ,总结了国内外该类型模数转换器最新的研究进展 ,并讨论了目前主要的研究方向。

魏本富 袁国顺 《微电子学》 2002年05期 期刊

关键词: 过采样 / Σ-Δ调制器 / 模/数转换器 / 数/模转换器

下载(519)| 被引(32)

ULSI中铜互连线技术的关键工艺  CNKI文献

简述了 ULSI中采用以铜作为互连线技术的工艺过程及其研究发展状况 ,并着重对铜互连线技术中扩散阻挡层的选取、铜淀积工艺的研究及化学机械抛光技术的平整度问题等一系列关键工艺作了较系统的分析与探讨

张国海 夏洋... 《微电子学》 2001年02期 期刊

关键词: ULSI / 铜互连线 / 扩散阻挡层 / 化学机械抛光

下载(456)| 被引(40)

基于CMOS工艺的图像传感技术研究与进展  CNKI文献

比较了传统的CCD图像传感器和近几年发展起来的CMOS图像传感器的优缺点;讨论了CMOS图像传感器的关键技术;概述了国内外CMOS图像传感器发展的现状,预测了CMOS图像传感器的发展方向。

金湘亮 陈杰... 《半导体技术》 2002年08期 期刊

关键词: CCD / CMOS / 图像传感器

下载(288)| 被引(44)

电子束曝光技术发展动态  CNKI文献

电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术 ,主要应用于 0 .1~ 0 .5μm的超微细加工 ,甚至可以实现纳米线条的曝光。文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子束曝光技术的应用。

刘明 陈宝钦... 《微电子学》 2000年02期 期刊

关键词: 电子束曝光 / 微细加工 / 抗蚀剂

下载(589)| 被引(26)

磷掺杂纳米硅薄膜的研制  CNKI文献

用PECVD薄膜沉积方法 ,成功地制备了磷掺杂纳米硅 (nc Si:H(P) )薄膜 .用扫描隧道电镜 (STM )、Raman散射、傅里叶变换红外吸收 (FTIR)谱、电子自旋共振 (ESR)、共振核反应 (RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析 ,确认...

刘明 王子欧... 《物理学报》 2000年05期 期刊

关键词: 纳米硅薄膜 / 微结构 / 纳米相 / 土壤结构

下载(286)| 被引(31)

全耗尽CMOS/SOI工艺  CNKI文献

对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电...

刘新宇 孙海峰... 《半导体学报》 2003年01期 期刊

关键词: 全耗尽CMOS/SOI工艺 / 氮化H2-O2合成薄栅氧 / 双栅 / 注Ge硅化物

下载(425)| 被引(18)

互连线间容性串扰对延迟的影响  CNKI文献

集成电路的性能越来越受到互连线间寄生效应的影响,特别是耦合电容的容性串扰,容性串扰引起互连线跳变模式相关的延迟。文中从E lm ore de lay定义的角度推导了互连线受同时跳变的阶跃信号激励时开关因子的大小,分析了...

孙加兴 叶青... 《固体电子学研究与进展》 2005年03期 期刊

关键词: 容性串扰 / 容性串扰延迟 / 开关因子

下载(231)| 被引(18)

0.18μmCMOS工艺下的互连线延迟和信号完整性分析  CNKI文献

随着深亚微米工艺技术条件的应用和芯片工作频率的不断提高 ,芯片互连线越来越成为一个限制芯片性能提高和集成度提高的关键因素 :互连线延迟正逐渐超过器件延迟 ;互连线上信号传输时由于串扰引起的信号完整性问题已成...

孙加兴 叶青... 《固体电子学研究与进展》 2005年01期 期刊

关键词: 互连线延迟 / 串扰 / 信号完整性 / 噪声

下载(339)| 被引(16)

一种低功耗低噪声相关双取样电路的研究  CNKI文献

为了尽量在前级消除CMOS图像传感器读出电路中的主要噪声源,本文提出一种低功耗低噪声的相关双取样电路,开关晶体管采用PMOS晶体管代替传统的NMOS晶体管,避免了NMOS管的阈值损失,有效地降低功耗而不减小信号摆幅,降低...

金湘亮 陈杰... 《电路与系统学报》 2003年03期 期刊

关键词: 低功耗 / 低噪声 / 相关双取样 / CMOS图像传感器

下载(248)| 被引(22)

边界扫描测试技术  CNKI文献

边界扫描技术是一种标准化的可测试性设计方法,它提供了对电路板上元件的功能、互连及相互间影响进行测试的一种新方案,极大地方便了系统电路的测试。介绍了边界扫描技术的原理、结构,讨论了边界扫描技术的应用。

王孜 刘洪民... 《半导体技术》 2002年09期 期刊

关键词: 边界扫描 / 边界扫描测试技术 / 印刷电路板

下载(229)| 被引(21)

LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力  CNKI文献

报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析...

陈大鹏 叶甜春... 《半导体学报》 2001年12期 期刊

关键词: SiNx膜 / 硅镶嵌微结构 / 内应力 / LPCVD

下载(234)| 被引(22)

深亚微米隔离技术——浅沟槽隔离工艺  CNKI文献

研究了浅沟槽隔离 (STI)工艺的各主要工艺步骤 :沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化 .使用器件模拟软件 Medici和 Davinci分析了 STI结构的隔离性能以及沟槽隔离 MOSFET的 Kink效应和反窄宽...

王新柱 徐秋霞... 《半导体学报》 2002年03期 期刊

关键词: 浅沟槽隔离 / 化学机械平坦化 / Kink效应 / 反窄宽度效应

下载(532)| 被引(10)

软/硬件协同设计方法学研究的现状与分析  CNKI文献

通过简述集成电路工业的发展现状 ,引出软 /硬件协同设计方法学研究的重要性 ,并阐释了软 /硬件协同设计的主要概念。然后 ,着重介绍了目前各种有关国际成果和主流方向 ,并结合对相关领域问题的分析 ,深入分析了这些研...

汤磊 魏少军... 《固体电子学研究与进展》 2003年02期 期刊

关键词: 软/硬件协同设计 / 系统级综合 / 系统代价 / 约束条件

下载(302)| 被引(12)

ULSI铜互连线技术中的电镀工艺  CNKI文献

通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ 0 .6 μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充 .方阻测试表明 ,所镀铜膜的电阻率为2 .0 μΩ&#...

张国海 钱鹤... 《半导体学报》 2001年08期 期刊

关键词: 集成电路 / 铜互连 / 电镀

下载(218)| 被引(23)

深亚微米集成电路设计中的互连线延迟问题  CNKI文献

深亚微米集成电路的互连线延迟是设计中需十分重视并必须解决的问题。本文讨论了影响互连线延迟的因素并对深亚微米物理设计的关键步骤中如何考虑并解决互连线延迟问题进行叙述和讨论。

陈小桥 袁兴娟... 《电子与封装》 2005年03期 期刊

关键词: 深亚微米大规模集成电路 / 互连线 / 延迟 / 布局

下载(348)| 被引(10)

纳米硅/单晶硅异质结二极管的I-V特性  CNKI文献

用纳米硅 (nc_Si∶H)薄膜制成了纳米硅 单晶硅 (nc_Si∶H c_Si)异质结二极管 ,对nc_Si∶H c_Si异质结的特性进行了研究 ,它具有很好的温度稳定性 .温度从 2 0℃上升到 2 0 0℃ ,I_V曲线只有很小的漂移 .对nc_Si∶H c_...

刘明 刘宏... 《物理学报》 2003年11期 期刊

关键词: 异质结二极管 / 纳米硅薄膜 / 输运机理

下载(241)| 被引(13)

Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹  CNKI文献

建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型 ,利用 Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟 .低能电子弹性散射采用较严格的 Mott截面描述 ,为了节约机时 ,利用查表与线性插值方法获得 Mott截...

任黎明 陈宝钦 《半导体学报》 2001年12期 期刊

关键词: 电子束曝光 / Monte / Carlo方法 / 低能电子散射

下载(218)| 被引(13)

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