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光电器件薄膜附着力评价方法的研究进展  CNKI文献

薄膜与衬底的结合性能一直备受关注。在各种情况下,薄膜的性能都依赖于其与衬底的附着力大小。为了提高附着强度,需要深刻理解附着力的机理和开发合适的附着力测试技术。从基准附着力、热力学附着能和实际附着力三个不...

钱大憨 贾嘉... 《红外》 2011年01期 期刊

关键词: 薄膜 / 附着力 / 粘接法 / 光电器件

下载(289)| 被引(2)

空间遥感用InGaAs短波红外探测器  CNKI文献

简要比较了短波HgCdTe与InGaAs探测器的性能,介绍了PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用InGaAs的研究进展,并说明了研制空间遥感用InGaAs/InP光电探测器的意义。

唐恒敬 吕衍秋... 《激光与光电子学进展》 2007年05期 期刊

关键词: 光电探测器 / InGaAs/InP / 空间遥感

下载(642)| 被引(24)

光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价  CNKI文献

制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面...

钱大憨 贾嘉... 《红外技术》 2011年06期 期刊

基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器  CNKI文献

在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2...

朱耀明 李永富... 《红外与毫米波学报》 2012年01期 期刊

关键词: ICP刻蚀 / N-on-P结构 / 线列探测器 / 光电性能

下载(116)| 被引(11)

利用红外焦平面调制传递函数曲线计算串音值  CNKI文献

串音使得焦平面输出信号的对比度降低,进而影响系统的调制传递函数(MTF)。随着器件的发展,用MTF来评价器件越来越受到重视;从民用领域的趋势看,MTF将逐步取代传统的串音、极限分辨率等参数。这就使得现阶段搭建串音专...

许中华 方家熊 《激光与光电子学进展》 2011年04期 期刊

关键词: 探测器 / 红外焦平面阵列 / 串音 / 调制传递函数

下载(162)| 被引(16)

基于弛豫铁电单晶的红外热释电探测器研究  CNKI文献

研究了新型热释电材料驰豫铁电单晶(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMNT)的低损伤减薄工艺、电极成型和耦合封装等关键技术,研制了基于PMNT的单元热释电探测器。对减薄后约30μm晶片材料性能的测试分析表明,部分样品的...

马学亮 邵秀梅... 《光电子.激光》 2012年03期 期刊

关键词: 红外 / 热释电探测器 / 弛豫铁电单晶 / 非制冷

下载(158)| 被引(4)

128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究  CNKI文献

报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列...

吕衍秋 徐运华... 《红外与毫米波学报》 2006年05期 期刊

关键词: 探测器 / 焦平面 / InGaAs / 钝化

下载(246)| 被引(16)

短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究  CNKI文献

对所研制的短波光伏碲镉汞器件进行了变温电流 电压特性和低频噪声研究 ,测试温度范围 2 5 5— 2 93K .实验结果表明随着温度的下降 ,器件的优值因子R0 A从 4 5× 10 3Ωcm2 增加到 7× 10 4 Ωcm2 .器件在...

黄杨程 刘大福... 《物理学报》 2005年05期 期刊

关键词: 碲镉汞 / 优值因子 / 低频噪声 / 深能级

下载(208)| 被引(19)

台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触  CNKI文献

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au...

魏鹏 朱耀明... 《红外与激光工程》 2011年12期 期刊

关键词: 传输线模型(TLM) / p-InP / 欧姆接触 / 比接触电阻

下载(203)| 被引(4)

退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用  CNKI文献

采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制...

邓洪海 魏鹏... 《红外与激光工程》 2012年02期 期刊

关键词: 快速热退火 / Zn扩散 / 结深 / InGaAs

下载(171)| 被引(3)

离子束刻蚀碲镉汞的沟槽深宽比改进  CNKI文献

高深宽比离子束刻蚀技术是实现碲镉汞红外焦平面探测器的关键工艺技术.国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大,沟槽深宽比较低.针对Ar离子束刻蚀机,尝试了三种提高深宽比的方法:选择不同的光刻胶做掩模、改变刻...

贾嘉 刘诗嘉... 《红外与毫米波学报》 2015年03期 期刊

关键词: 碲镉汞 / 离子束刻蚀 / 深宽比

下载(89)| 被引(2)

感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性  CNKI文献

利用光刻胶作刻蚀掩模对半导体样品进行感应耦合等离子体干法刻蚀时发现光刻胶掩模在刻蚀后表面出现凸起和孔洞等异常现象,等离子体会透过部分孔洞对样品表面产生刻蚀损伤。利用探针式表面轮廓仪和激光共聚焦显微镜对...

乔辉 刘诗嘉... 《半导体光电》 2016年01期 期刊

关键词: 刻蚀 / 干法刻蚀 / 刻蚀掩模 / 光刻胶

下载(223)| 被引(1)

近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响  CNKI文献

采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能...

朱耀明 李永富... 《激光与红外》 2010年02期 期刊

关键词: 近红外InGaAs探测器 / 台面结构 / 器件性能

下载(228)| 被引(5)

平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究  CNKI文献

采用闭管扩散方式,利用SiO2及Si3N4扩散掩膜在NIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料上制备了两种不同的平面型InGaAs红外探测器,研究了室温下不同扩散区面积的两种器件的正向I-V特性及反向暗电流密度与器件周长面积比...

李永富 唐恒敬... 《光电子.激光》 2009年12期 期刊

关键词: 平面InGaAs红外探测器 / 扩散电流 / 产生-复合电流 / 电流密度

下载(253)| 被引(4)

利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性  CNKI文献

使用感应耦合等离子体化学气相沉积(Inductively coupled plasma chemical vapor deposition,ICPCVD)方法在GaN上沉积SiOx薄膜,生长参数中采用不同RF功率,研究RF功率对薄膜物理性能和电学性能的影响.结果发现,随着RF功...

刘秀娟 张燕... 《红外与毫米波学报》 2015年01期 期刊

关键词: ICP-CVD / SiOx / 薄膜应力 / 表面粗糙度

下载(129)| 被引(0)

AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的...  CNKI文献

为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距...

李永富 唐恒敬... 《红外与毫米波学报》 2010年06期 期刊

平面型2.6μm InGaAs红外探测器变温特性研究  CNKI文献

通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件...

李永富 唐恒敬... 《激光与红外》 2009年06期 期刊

关键词: InGaAs红外探测器 / 产生-复合电流 / 隧穿电流 / 暗电流

下载(193)| 被引(4)

日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性  CNKI文献

对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA...

包西昌 李超... 《红外与激光工程》 2010年05期 期刊

关键词: 日盲型紫外探测器 / AlGaN / 响应率 / 电容特性

下载(175)| 被引(3)

256×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究  CNKI文献

利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、硫化后覆盖聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制作了台面构造的256×1正照射InGaAs探测器阵列。测试了器件的I-V特...

韩冰 吕衍秋... 《激光与红外》 2006年11期 期刊

关键词: InGaAs / 焦平面阵列 / 硫化 / 聚酰亚胺

下载(187)| 被引(7)

InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究  CNKI文献

采用Cl2/BCl3/Ar感应耦合等离子体对InP/In0.55Ga0.45As/InP进行了刻蚀。讨论了不同的气体组分、ICP功率、直流自偏压下对刻蚀速率、表面粗糙度的影响。初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性好...

宁锦华 唐恒敬... 《激光与红外》 2009年04期 期刊

关键词: 感应耦合等离子体 / Cl2/BCl3/Ar / InGaAs / PIN

下载(260)| 被引(3)

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