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社区小儿手足口病的防治措施  CNKI文献

目的对社区小儿手足口病的相关防治措施进行全面分析。方法采用回顾性的方式对该社区2013年4月—2015年4月期间接触到的86例手足口病患儿的临床资料,对患儿病情以及开展防治工作的情况进行全面分析,并制定相关的预防控...

黄启圣 《中国卫生产业》 2015年26期 期刊

关键词: 社区 / 小儿手足口病 / 预防 / 控制

下载(47)| 被引(4)

80—500°K间InSb的电导率、霍尔效应及磁阻效应  CNKI文献

文中报导了80—500°K间n型及p型InSb的电导率、霍尔系数及磁阻效应的测量,所用样品的杂质含量(补偿后)为4×10~(13)—7×10~(17)cm~(-3)。 由结果的分析得出InSb的本征载流子浓度、禁带宽度及电子迁移率...

黄启圣 吴自强 ... 《物理学报》 1964年05期 期刊

关键词: 霍尔系数 / InSb / 电子迁移率 / 磁阻效应

下载(196)| 被引(4)

锑化铟中载流子的复合过程  CNKI文献

用定态光电导及光磁电的方法测量了p型n型InSb在85—290°K之间的电子及空穴的寿命。在室温附近,所有样品的截流子寿命都趋于同一值,在290°K时为3×10~(-8)秒。从寿命的绝对值及温度依赖关系,以及掺杂对...

黄启圣 汤定元 《物理学报》 1965年05期 期刊

关键词: 载流子浓度 / 空穴 / 电子 / 载流子密度

下载(80)| 被引(3)

用瞬态电容谱方法研究GaAsP、GaAlAs发光二极管中的深能级  CNKI文献

对GaAsP、GaAIAs发光二极管中的深能级,用瞬态电容谱(DLTS)方法研究得知,二极管在退化前后存在着几个深能级,并测得其能级深度、浓度和俘获截面等主要参数。讨论了这些深能级的物理成因及其对发光效率与退化特性的作用...

黄启圣 《厦门大学学报(自然科学版)》 1981年02期 期刊

关键词: 深能级 / 器件 / 物理成因 / 电子能态

下载(49)| 被引(2)

Ⅲ—Ⅴ族化合物发光材料中杂质与缺陷的测量方法  CNKI文献

微量的杂质、缺陷或其复合体对半导体的物理性质有明显的影响,它们在禁带中形成浅杂质能级或深能级。本文综述关于浅能级的发光分析方法以及关于深能级杂质态的测量方法。

黄启圣 陈金富 《发光与显示》 1980年02期 期刊

关键词: 深能级陷阱 / 复合发光 / GaP / 热激电流

下载(83)| 被引(0)

半导体中的深中心  CNKI文献

一、杂质缺陷形成的深中心 半导体中含有外来杂质或本身的缺陷.所有半导体材料及器件都要求对杂质缺陷有良好的控制.晶体的各种化学杂质,晶体中的原子空仕,间隙原子,半导体化合物中组成元素之间的反位缺陷以及它们之间...

黄启圣 《物理》 1988年06期 期刊

关键词: 杂质缺陷 / GaAs / 电子 / 空穴

下载(31)| 被引(1)

GaP及GaAs中Fe深受主中心的反键态及有关性质  CNKI文献

本文通过计算得到GaP及GaA_3中Fe能级基态空穴跃迁时引起的晶格振动熵变,证明Fe受主形成反键中心,得到空穴—→价带跃迁时的焓变与自由能变的温度关系,并与实验结果作了比较,说明Fe中心空穴热离化能比光离化能高是合理...

黄启圣 《物理学报》 1987年11期 期刊

关键词: Fe / 空穴 / 载流子(半导体) / GaAs

下载(21)| 被引(1)

GaAsP混晶中Fe深受主中心的性质  CNKI文献

一、引言 通过深能级瞬态方法、光吸收、光致发光及电子顺磁共振等研究,已经证明,在化合物GaP及GaAs中,Fe作为孤立替位杂质占据Ga位,形成深受主中心,具有Td晶场对称性,在中性状态时为Fe~(3+)(3d~5),从价带接受电子(即...

黄启圣 洪蘋 《科学通报》 1987年15期 期刊

关键词: Fe / GaAsP / 跃迁 / 空穴

下载(11)| 被引(1)

PROPERTIES OF Fe ACCEPTOR IN GaAsP  CNKI文献

Ⅰ. INTRODUCTION From the measurements of the junction-space-charge techniques, electron spin resonance, optical absorption, photoluminescence and others, it has been proved that Fe atom in GaP and G...

黄启圣 洪蘋 《Science Bulletin》 1988年22期 期刊

关键词: deep / impurity / alloy / semiconductor

下载(3)| 被引(0)

GaAsP混晶中Fe杂质能级的无序分裂  CNKI文献

GaAsP混晶中Fe杂质基态与激发态的光离化截面的幅度比S(x)随组分x有规律地变化,本文提出一种理论估算,认为它是Fe能级无序分裂的结果.

黄启圣 《半导体学报》 1989年07期 期刊

关键词: 深杂质中心 / 混晶半导体 / 混晶无序

下载(5)| 被引(0)

GaN外延层中的缺陷研究  CNKI文献

采用阴极射线致发光法观察金属有机物汽相外延法生长的具有不同表面形貌的GaN外延层中黄色发光带的强度分布.结果表明六角金字塔形表面形貌对发光强度分布的测量有很大影响.测量和比较表面镜面加工样品的黄色发光...

康俊勇 黄启圣... 《物理学报》 1999年07期 期刊

关键词: 阴极射线致发光 / 电子束效应 / 衬度 / GaN

下载(229)| 被引(6)

半导体光电子材料中的缺陷  CNKI文献

介绍近年来在 族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对 族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中心能级精细结构等研究的结果 .

康俊勇 黄启圣 《厦门大学学报(自然科学版)》 2001年02期 期刊

关键词: 缺陷 / Ⅲ氮化物 / Ⅲ-V化合物

下载(309)| 被引(1)

GaAs_(1-x)P_x中混晶无序与Fe深中心的性质  CNKI文献

对不同组分的掺FeⅢ-Ⅴ族混晶GaAs_(1-x)P_x,测量了Fe深受主中心空穴热发射的非指数恒温暗电容瞬态及DLTS谱。用混晶无序使Fe深能级展宽的模型理论拟合实验结果,得到Fe能级Gauss型展宽的半宽和中心能级的热发射率,并确...

洪蘋 黄启圣 《发光学报》 1987年03期 期刊

关键词: Fe / 不同组分 / x)P_x / 热发射率

下载(7)| 被引(3)

掺碲InSb单晶的垂直温度梯度凝固生长法研究  CNKI文献

本工作成功地建立一套垂直温度梯度凝固晶体生长设备,并在无氢气的气氛下生长了掺碲InSb体单晶。通过霍尔效应、原子吸收谱和腐蚀等方法对掺碲InSb晶体中的缺陷在宏观、微尺度上的分布进行分析。研究结果表明...

康俊勇 黄启圣 《人工晶体学报》 1996年02期 期刊

关键词: 晶体生长 / 垂直梯度凝固法 / 掺碲InSb / Ⅲ-Ⅴ族半导体

下载(95)| 被引(4)

GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响  CNKI文献

用金属有机化合物气相外延(MOVEP)方法生长具有不同表面形貌的非掺杂GaN,并对部分样品的外延层表面进行镜面加工.用阴极射线发光、光散射和拉曼散射方法观察GaN中深能级发光、缺陷散射光分布和拉曼散射...

康俊勇 黄启圣... 《发光学报》 1999年01期 期刊

关键词: GaN / 缺陷 / 光学性质

下载(194)| 被引(1)

HgCdTe晶片研磨和抛光表面的扫描电镜观察  CNKI文献

采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴-乙醇腐蚀的HgCdTe体单晶片的表面二次电子衬度像.观察表明,研磨造成的晶片表面可见损伤,经机械和溴-乙醇化学抛光后将减少和去除。然而,化学抛...

康俊勇 黄启圣... 《红外技术》 1999年06期 期刊

关键词: HgCdTe晶片 / 表面损伤 / 扫描电镜

下载(69)| 被引(3)

液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究  CNKI文献

用液封坩埚下降(LE-VB)法沿〈100〉晶向成功地生长了非掺杂InP单晶.LE-VB晶体的4.2K光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光、与Zn受主相关的施主-受主(DA)对发光及其声子伴线、以...

康俊勇 黄启圣... 《发光学报》 1997年03期 期刊

关键词: 化合物半导体 / 光致发光 / 晶体生长

下载(66)| 被引(0)

低磁场中掺锗GaAs晶体的生长  CNKI文献

在4000Gs的磁场和无磁场下用液体封止直拉法(LEC)生长各种不同高掺锗浓度的GaAs体单晶。用AB液和KOH液腐蚀所生长的晶体,分别观察磁场中生长晶体的腐蚀条纹和腐蚀坑变化。通过电子探针微区分析和...

康俊勇 黄启圣 《人工晶体学报》 1994年04期 期刊

关键词: Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 / 砷化镓 / 引上法晶体生长 / 磁场

下载(82)| 被引(0)

GaP中电子辐照产生的深能级  CNKI文献

用DLTS与缺陷退火的方法研究了室温下1MeV电子辐照后n-GaP中的深能级,发现辐照后n-GaP中出现六个电子能级E_1-E_6和三个空穴能级H_1-H_2。等时和等温退火实验表明,除E_6、H_2、H_3能级外,其余能级在实验到达的退火温度...

俞书彬 黄启圣 《厦门大学学报(自然科学版)》 1983年01期 期刊

关键词: 深能级 / 电子能态 / 点缺陷 / 晶体缺陷

下载(18)| 被引(4)

Hg_(1-x)Cd_xTe近红外光伏探测器的深能级  CNKI文献

用深能级瞬态谱及光电容谱方法,研究了1.55μm近红外波段的Hg1-xCdxTe光伏探测器的深能级缺陷.结果表明,探测器中存在位于禁带中央附近的两个施主深能级.它们可能来源于HgCdTe材料中的本征缺...

康俊勇 黄启圣... 《厦门大学学报(自然科学版)》 1996年03期 期刊

关键词: 深能级 / HgCdTe半导体 / 红外探测器

下载(36)| 被引(1)

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