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HEMT直流特性、微波和噪声参量的计算  CNKI文献

本文全面分析计算了HEMT器件的直流特性、微波和噪声参量。考虑了二维电子气密度与费米能级关系,得出修正后的电荷控制模型,并结合饱和速度特性计算了HEMT直流特性,同时讨论了负迁移率特性影响。本文第一次得出了HEMT...

魏策军 《电子学报》 1987年04期 期刊

关键词: HEMT / 直流特性 / 电子气 / MESFET

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用简并双模腔测量微波霍耳迁移率  CNKI文献

本文描述用微波技术无接触测量半导体霍耳系数的方法.利用简并双模圆柱腔(TE_(112)模),把样品置于电场极大处并加一直流磁场,可以很容易观察法拉第旋转效应并加以测量.利用腔的等效电路和微扰理论进行了理论分析,确立...

魏策军 Dr... 《半导体学报》 1980年01期 期刊

关键词: 藕合 / 圆柱腔 / 迁移率 / 简并

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一种非破坏性地同时测定FET材料中载流子和迁移率分布的方法  CNKI文献

本文叙述了一种新的C-G-V法,用来测量FET薄层材料中的杂质和迁移率分布。该法的一个附加优点是对材料的非破坏性。进行了一些初步实验,结果与霍尔测量的数据符合良好。

魏策军 陈振荣... 《固体电子学研究与进展》 1984年04期 期刊

关键词: 薄层材料 / 载流子浓度 / 载流子密度 / 非破坏性

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晶体管延迟注入渡越时间器件的原理与分析  CNKI文献

本文分析了晶体管延迟注入渡越时间器件的工作原理。除在收集结与基区之间插入了一个v型或π型渡越区外,器件的结构与通常晶体管的很相似,但它是作为两端器件运用的。本文用小信号理论计算了其负阻和噪声性能,并进行了...

魏策军 《电子学报》 1981年01期 期刊

关键词: 基区 / 器件 / 发射极 / 杂质浓度

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N~+-p-N~+GaAs弹道结构的Ⅰ-Ⅴ特性计算  CNKI文献

求解电子动量与能量平衡方程和Poisson方程对具有半微米长的N~+-p-N~+GaAs弹道结构进行了计算,并考虑了弛豫时间和有效质量与能量的关系。计算结果与已报导的实验数据相符。

魏策军 王颜铸 《电子学报》 1983年06期 期刊

关键词: p-N / 能量平衡方程 / 稳态值 / 弛豫时间

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选择性掺杂异质结晶体管  CNKI文献

利用国产MBE系统外延生长的调制掺杂材料,试制出选择性掺杂晶体管或高电子迁移率晶体管(HEMT)。准增强型器件的跨导为60~90mS/mm。有些器件发现有负阻,跨导达190mS/mm。

魏策军 尹晓明... 《电子学报》 1985年06期 期刊

关键词: 异质结晶体管 / 增强型 / 跨导 / 器件

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化合物微波半导体器件  CNKI文献

本文评述化合物微波半导体器件的现状和未来发展。对几种主要的微波器件的原理和结构作了描述。虽然,GaAs基器件无疑占据微波器件的主导地位,但InP基器件也有了重大进展。最近几年化合物微波器件主要沿着如下五个方向...

梁春广 魏策军 《半导体情报》 1989年01期 期刊

关键词: 微波半导体器件 / HBT / FET / HEMT

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