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GaAs/Ge的MOCVD生长研究  CNKI文献

用常压MOCVD在Ge衬底上外延生长了GaAs单晶层,研究了GaAs和6e的极性与非极性材料异质外延生长,获得了质量优良的GaAs/Ge外延片,GaAs外延层X射线双晶衍射回摆曲线半高宽达16弧秒。1...

高鸿楷 赵星... 《光子学报》 1996年06期 期刊

关键词: MOCVD / GaAs/Ge异质外延

下载(131)| 被引(6)

透射式GaAs光电阴极材料的MOCVD生长  CNKI文献

用常压MOCVD装置,制备了透射式GaAs光电阴极材料。发射层P-型GaAs掺杂浓度到10~(18)-10~(19)cm~(-3),少子扩散长度到4.02μm。AlGaAs层的Al组分含量到0.83,其吸收光谱长波限与设计值基本符合。利用此材料进行了阴极激...

高鸿楷 张济康... 《光子学报》 1992年02期 期刊

关键词: MOCVD / GaAs / 光电阴极材料

下载(28)| 被引(2)

优质GaAs/Si和AlGaAs/Si材料的MOCVD生长研究  CNKI文献

用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试Ga...

高鸿楷 龚平... 《光子学报》 1993年02期 期刊

关键词: MOCVD / 异质结 / 砷化镓 / 铝镓砷

下载(57)| 被引(0)

高组份Al值的Al_xGa_(1-x) As和Al_xGa_(1-x) As/GaAs/Al_x...  CNKI文献

用自制常压MOCVD系统,在半绝缘GaAs衬底上生长高Al组份Al_xGa_(1-x)As(其x值达0.83),和Al_xGa_(1-x)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层结构,表面镜面光亮。生长层厚度从几十到十几μm可控,测试表明外延层晶格结构完整,...

高鸿楷 云峰... 《高速摄影与光子学》 1991年02期 期刊

关键词: MOCVD / AlGaAs—GaAs / 多层结构

下载(40)| 被引(0)

磷化镓单晶外延工艺及其自支撑薄膜的制作  CNKI文献

采用Ga—PCI_3—H_2系统开管式汽相外延的方法,在GaAs衬底上生长掺Zn的GaP单晶。经化学腐蚀去掉GaAs衬底得到自支撑GaP单晶薄膜。 研究了在P型GaAs衬底上外延P—型GaP的生长条件,生长速度与温度的关系,生长速度与输运...

高鸿楷 《光机技术》 1977年Z1期 期刊

关键词: 自支撑薄膜 / OC / PCI / 生长速度

下载(46)| 被引(0)

实用化微机全自动控制XG60-1型MOCVD装置的研制  CNKI文献

本文介绍的是自行设计与制造的高度自动化MOCVD装置。该装置设有9路流量控制管路,6路源,1路HCl气源及氯气旁路,装置气密性好,8 kg/cm~2正压时,用Snoop溶液检测无泄露。配有真空机组,反应室可抽至10~(-5)乇。反应室为高...

高鸿楷 张济康... 《高速摄影与光子学》 1990年04期 期刊

关键词: 半导体设备 / MOCVD

下载(28)| 被引(0)

细颗粒荧光粉的制备  CNKI文献

引言 荧光屏是真空成象器件的重要组成部分之一,荧光屏的质量好坏,直接关系到整个器件的性能,而影响荧光屏好坏的关键问题,除了制屏工艺外就是荧光粉的质量如何。因此,真空成象器件的质量与荧光粉的性能有着密切联系。...

高鸿楷 《高速摄影与光子学》 1984年03期 期刊

关键词: 荧光粉 / 颗粒尺寸 / 尺寸分布 / 夜光粉

下载(45)| 被引(0)

MOCVD法透射式GaAs光阴极材料生长及性能研究  CNKI文献

应用常压 MOCVD 装置制备了透射式 GaAs 光电阴极材料。p 型 GaAs 发射层掺杂浓度为10(?)~10~(19)cm~(-3),少子扩散长度为4.02μm。Al_xGa_(1-x)As 层的铝组份含量达0.83光谱吸收波长范围与设计值基本符合。用此方法...

高鸿楷 张济康... 《稀有金属》 1993年05期 期刊

关键词: 负电子亲和势光阴极 / 阴极材料 / GaAs / 材料生长

下载(33)| 被引(0)

多晶磷化镓次级发射体──GaP:Cs  CNKI文献

一、引 言在无油超高真空中,用钯激活P型重掺杂的磷化镓(GaP)晶体,形成的负电子亲和势发射体GaP:Cs是一种优良的次级电子发射体它的次级电子发射系数高,而且随一次电子能量的增加而上升.当一次电子能量为600eV时,多晶...

高鸿楷 陈国夫 《物理》 1981年08期 期刊

关键词: 多晶 / GaP / 晶体 / 磷化镓

下载(37)| 被引(0)

光电成象器件的荧光屏特性及耐高场强屏的制备  CNKI文献

一引 言 荧光屏是光电成象器件的重要组成部分之一,荧光屏的质量好坏直接影响到器件的性能,而荧光屏本身的特性与制屏工艺有很大关系。所以在制备荧光屏时,必须对制屏工艺中影响屏质量的各种因素的变化规律有所了解,才...

高鸿楷 朱功夫... 《高速摄影与光子学》 1987年04期 期刊

关键词: 荧光屏 / 光电成象 / 高场强 / 载量

下载(8)| 被引(0)

在曲面钼片上汽相沉积多晶GaP  CNKI文献

引言 在超高真空中,用铯激活Gap形成的负电子亲和势发射体Gap—Cs,这是一种优良的新型电子倍增材料。它的二次电子发射系数高,且二次电子的发射系数随一次电子能量的增加而增高。当一次电子能量为600V时,单晶Gap—Cs的...

高鸿楷 《光机技术》 1979年01期 期刊

关键词: 多晶 / 晶体 / 片上 / 衬底材料

下载(7)| 被引(0)

荧光粉对照相底片的感光特性  CNKI文献

引言 不同类型的荧光粉在电子束激发下,将发射出不同波长的光,不同型号的照相底片其感光灵敏的光谱值也不相同,这是大家所熟知的。因此在使用荧光粉时,就要根据我们的目的不同而选用不同的荧光粉,再配合以相应的照相底...

高鸿楷 张小秋 ... 《高速摄影与光子学》 1984年04期 期刊

关键词: 荧光粉 / 荧光屏 / 象管 / 发光亮度

下载(6)| 被引(1)

MOCVD过程中回流现象的数值模拟  CNKI文献

在金属有机物化学汽相淀积过程中,反应器中的回流现象严重影响生长层的界面陡峭性.本文从关于MOCVD的流体力学基本方程出发,用二维有限差分和流函数涡量法求解方程,取得了不同条件下气流场的流谱.计算结果表...

张佳文 高鸿楷... 《半导体学报》 1994年04期 期刊

关键词: 化学汽相淀积 / 流谱 / 气流场 / 化学气相沉积

下载(165)| 被引(14)

高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用  CNKI文献

用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一.不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同.本文以GaAS/AlGaAs为例,展示了如何利用X射线的二维衍射空...

朱李安 高鸿楷... 《光子学报》 1997年11期 期刊

关键词: X射线 / 衍射 / 倒易空间 / GaGs

下载(241)| 被引(2)

用于光伏系统新型菲涅耳线聚焦聚光透镜设计  CNKI文献

根据边缘光线原理 ,优化设计太阳电池及光伏系统的菲涅耳线聚焦聚光透镜 .设计光学聚光率为 1 8× ,可用于空间、地面光伏系统的聚光系统 .分析了其集光角特性 ,表明该菲涅耳线聚焦棱镜具有大的集光角 (± 7&...

汪韬 李辉... 《光子学报》 2002年02期 期刊

关键词: 太阳电池 / 菲涅耳透镜 / 集光角

下载(413)| 被引(23)

新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究  CNKI文献

以聚甲基丙烯酸甲脂为材料 ,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜 (8× ) ,可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统 ,并对在其聚光条件下 ,太阳电池的电流电压特性进行测试 ,结果表明 ,该菲涅...

汪韬 赛小锋... 《光子学报》 2003年05期 期刊

关键词: 菲涅尔透镜 / 太阳聚光器 / 聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)

下载(463)| 被引(19)

MOCVD技术在中国  CNKI文献

MOCVD设备的发展MOCVD设备在80年代外国对中国禁运,中国真正有自己制造的MOCVD设备应该是1986年算起,1986年,当时的中国科学院上海冶金所,在彭瑞伍先生的组织下,制造了中国第一台真正的MOCVD设备。随后几年间中科院长

高鸿楷 第十一届全国MOCVD学术会议论文集 2010-01-13 中国会议

关键词: MOCVD / 中华人民共和国 / 材料生长

下载(193)| 被引(2)

新型菲涅尔线聚光太阳电池组件特性分析  CNKI文献

以PMMA为材料 ,采用热压成型工艺加工线聚焦菲涅尔聚光棱镜 ,对在其聚光条件下不同入射角度情况下太阳电池的电流电压特性进行测试 ,结果表明 :该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率 ,而且具有比较宽泛...

汪韬 李晓婷... 《光子学报》 2003年09期 期刊

关键词: 菲涅尔棱镜 / 太阳聚光器 / PMMA / 太阳电池

下载(303)| 被引(12)

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线半...  CNKI文献

本文研究了晶体 X射线摇摆曲线半峰宽同其晶格完整性之间的关系 ,外延层之间 X射线衍射的非相干叠加以及热应力引起的晶格应变和晶面弯曲对摇摆曲线半峰宽宽窄的影响

李晓峰 张景文... 《光子学报》 2002年01期 期刊

关键词: AlGaAs/GaAs / X射线衍射 / 应力 / 应变

下载(228)| 被引(11)

GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究  CNKI文献

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡...

李晓婷 王一丁... 《光子学报》 2005年09期 期刊

关键词: LP-MOCVD / GaSb / InAsSb / 生长温度

下载(113)| 被引(7)

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