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半导体家族(三)  CNKI文献

5.3晶圆制造晶圆制造是整个集成电路制造过程最核心的部分,也是制造成本最高的部分。它包括清洗、氧化、光刻、刻蚀、薄膜淀积、掺杂、金属化、平坦化、检测等工艺模块。5.3.1清洗洁净的晶圆是芯片生产全过程中的基本...

韩郑生 《现代物理知识》 2017年03期 期刊

关键词: 晶圆片 / 磷硅玻璃 / PSG / Si

下载(134)| 被引(1)

半导体家族(二)  CNKI文献

4.半导体器件家族半导体器件同样是种类繁多、神通广大、各显其能,其族谱如图15所示。在半导体器件中贡献最突出的当属双极晶体管(BJT)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。他们既可以以分立器件的形式单独成为...

韩郑生 《现代物理知识》 2017年02期 期刊

关键词: CMOS / 双极晶体管 / 光掩模版 / 图像传感器

下载(141)| 被引(0)

半导体家族(一)  CNKI文献

1.引言古代中国将泥土经过烧制制造了精美的瓷器,为帝国赢得了当时GDP的世界第一,名副其实地成了国家代名词-中国(China)。当今的美国将沙土经过烧制加工制成了各种电子产品,如现代人离不开的手机等,不仅为国家赢得了...

韩郑生 《现代物理知识》 2017年01期 期刊

关键词: 绝缘体 / 磁阻效应 / 光电导 / 半导体材料

下载(155)| 被引(0)

CMOS/SOI64Kb静态随机存储器  CNKI文献

对一种 CMOS/ SOI6 4Kb静态随机存储器进行了研究 ,其电路采用 8K× 8的并行结构体系 .为了提高电路的速度 ,采用地址转换监控 ( Address- Translate- Detector,ATD)、两级字线 ( Double- Word- L ine,DWL)和新型...

韩郑生 周小茵... 《半导体学报》 2001年01期 期刊

关键词: ATD电路 / DWL技术 / SOIESD电路 / 两级灵敏放大器

下载(225)| 被引(11)

半导体家族(四)  CNKI文献

5.4检测与测试前面讲述了半导体器件和集成电路的制造,但是制造过程中每个步骤是否满足设计加工、电性能、良率的要求,以及最终功能、性能和环境适应性要求?就要通过不同的检测、测试、试验加以评估和考核。晶圆测试必...

韩郑生 《现代物理知识》 2017年04期 期刊

关键词: 引线键合 / 引线框架 / 晶圆测试 / 陶瓷封装

下载(90)| 被引(0)

SOI发展面临技术和成本瓶颈  CNKI文献

“半导体”本身是指导电性能介于导体和绝缘体之间的那些材料。但是,半导体技术包括材料、器件和集成电路制造技术,已成为综合数学、物理、化学等学科知识和各种先进技术的非常庞大、复杂的体系。相类似,SOI(Silic...

韩郑生 中国电子报 2007-06-12 报纸

关键词: 集成电路制造 / 绝缘体上硅 / 浮体效应 / 总剂量

下载(53)| 被引(0)

MOSFET模型&参数提取  CNKI文献

器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口 ,对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型 ,并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。

李庆华 韩郑生... 《微电子技术》 2003年04期 期刊

关键词: MOSFEX / BSIM / 模型 / 参数提取

下载(1052)| 被引(20)

中医用高精度阵列脉搏传感器的设计(英文)  CNKI文献

提出了一种可以把脉搏压力信号直接转换为电流信号输出的高精度阵列脉搏传感器.采用牺牲层法加工晶体管的栅极与CMOS工艺具有良好的兼容性.对传感器栅电容和输出电流进行测试,在1.5~9.5kPa的动态范围,传感器电容的灵敏...

淮永进 韩郑生 《半导体学报》 2008年04期 期刊

关键词: 阵列传感器 / 压力传感器 / MOSFET栅 / 线性度

下载(230)| 被引(10)

一种抗辐照功率MOSFET器件  CNKI文献

报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量...

刘梦新 韩郑生... 《核电子学与探测技术》 2008年06期 期刊

关键词: 功率MOSFET / 单粒子烧毁 / 单粒子栅穿 / 总剂量辐照效应

下载(329)| 被引(5)

Hf/HfO_2基双极阻变存储器研究  CNKI文献

本文制备了纳米级的Hf/Hf O2基阻变存储器,阻变存储器上电极金属和下电极金属交叉,形成交叉点型的金属-氧化物-金属结构。系统地对其电学特性进行表征,包括forming过程、SET过程和RESET过程。详细研究了该阻变存储器S...

毕津顺 韩郑生 《功能材料与器件学报》 2014年05期 期刊

关键词: 二氧化铪 / 双极 / 阻变存储器 / 导电细丝

下载(174)| 被引(1)

超低压ESD保护器件设计与工艺研究  CNKI文献

介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8~5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器...

淮永进 韩郑生 《固体电子学研究与进展》 2008年03期 期刊

关键词: 超低压保护器件 / 静电放电 / 模拟 / 复合型穿通结构

下载(152)| 被引(9)

RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应(英文)  CNKI文献

研制了一种用于射频领域的叉指栅PDSOI LDMOS晶体管,并分析了总剂量辐照对其静态和小信号射频特性的影响.其静态工作模式下的辐照响应由前/背栅阈值、泄漏电流、跨导和输出特性表征,而其交流工作模式下的辐照响应由截...

刘梦新 韩郑生... 《半导体学报》 2008年11期 期刊

关键词: 部分耗尽SOI / LDMOS / 射频 / 电离总剂量辐照

下载(167)| 被引(3)

基于MPI的全局并行遗传算法的SOI MOS器件模型参数提取  CNKI文献

提出了将全局并行遗传算法应用于模型参数提取,并应用于标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOS-FET器件,一次性提取BSIMSOI3模型主要的42个直流参数.实验结果表明,该方法不依赖参数初始值、精度高、效率高,降低了SOI模型...

宋文斌 韩郑生 《微电子学与计算机》 2009年07期 期刊

关键词: 器件模型 / 参数提取 / 并行遗传算法 / BSIMSOI模型

下载(111)| 被引(4)

基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取  CNKI文献

提出了一种提取BSIMSOI模型参数的新方法,该方法基于遗传算法和局部优化法的结合,同时具有全局优化和局部优化的优点,提取的参数物理意义明确,并且容易得到全局最优解.该方法计算简单,不需要对模型进行深入了解和丰富...

李瑞贞 韩郑生 《半导体学报》 2005年08期 期刊

关键词: 遗传算法 / SOI / 参数提取

下载(152)| 被引(4)

Characteristics of HfO_2/Hf-based bipolar resistive me...  CNKI文献

Nano-scale Hf/Hf O2-based resistive random-access-memory(RRAM) devices were fabricated. The cross-over between top and bottom electrodes of RRAM forms the metal–insulator–metal sandwich structure. ...

毕津顺 韩郑生 《Journal of Semiconductors》 2015年06期 期刊

关键词: hafnium / dioxide / bipolar / resistive

下载(18)| 被引(2)

Effect of total ionizing dose radiation on the 0.25 μ...  CNKI文献

Thin gate oxide radio frequency (RF) PDSOI nMOSFETs that are suitable for integration with 0.1 μm SOI CMOS technology are fabricated, and the total ionizing dose radiation responses of the nMOSFETs ...

刘梦新 韩郑生... 《半导体学报》 2009年01期 期刊

关键词: PDSOI / total / ionizing / dose

下载(77)| 被引(3)

全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型(英文)  CNKI文献

提出了一种新的全耗尽SOIMOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层硅界面处的电势最小值用于监测SOIMOSFETs的阈值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道...

李瑞贞 韩郑生 《半导体学报》 2005年12期 期刊

关键词: 全耗尽SOI / MOSFETs / 表面势 / 阈值电压

下载(156)| 被引(2)

兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟  CNKI文献

在 Synopsys TCAD软件环境下 ,模拟实现了与 0 .5 μm标准 CMOS工艺兼容的高压 CMOS器件 ,其中NMOS耐压达到 10 8V,PMOS耐压达到 - 6 9V.在标准 CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压 CMOS器件 ...

刘奎伟 韩郑生... 《半导体学报》 2003年07期 期刊

关键词: 高压CMOS / 0.5μm / 兼容工艺 / 模拟

下载(137)| 被引(4)

LDD结构参数对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响  CNKI文献

基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响。计算结果表明当栅氧层厚度tox=0.07μm时,碰撞离化产生率和热电子注入电流峰值将达到最大,扩展区掺杂浓度增加,使沟道中横向电场和...

吕志娟 韩郑生... 《液晶与显示》 2008年06期 期刊

关键词: 多晶硅薄膜晶体管 / 热载流子退化 / Medici / Tsuprem4

下载(165)| 被引(1)

PDSOI静态随机存储器的总剂量辐照加固  CNKI文献

对PDSOI CMOS器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提...

郭天雷 韩郑生... 《电子器件》 2007年03期 期刊

关键词: 总剂量辐照 / 静态随机存储器 / 工艺集成 / 加固

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