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电子束反应蒸发技术生长Mo掺杂In_2O_3薄膜  CNKI文献

利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200~350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3(IMO,In2O3:Mo)薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温度增加,原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)图像均证明IMO薄膜表面趋于粗糙...

韩东港 陈新亮... 《光电子.激光》 2010年05期 期刊

厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响  CNKI文献

通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,...

韩东港 陈新亮... 《河北工业大学学报》 2010年06期 期刊

关键词: 电子束蒸发技术 / In2O3 / Mo(IMO)薄膜 / 薄膜厚度

下载(86)| 被引(2)

电子束沉积生长高迁移率IMO透明导电薄膜的研究  CNKI文献

研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲...

陈新亮 韩东港... 《光电子.激光》 2009年12期 期刊

关键词: 电子束蒸发技术 / In2O3 / Mo(IMO)薄膜 / 高迁移率

下载(163)| 被引(10)

电子束反应蒸发制备高迁移率IMO薄膜及其性能研究  CNKI文献

研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟(In2O3:Mo,IMO)薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,...

陈新亮 韩东港... 《光电子.激光》 2011年07期 期刊

关键词: 电子束反应蒸发技术 / 掺钼氧化铟(In2O3 / Mo / IMO)薄膜

下载(160)| 被引(1)

n-i-p型非晶硅太阳电池中p/ITO界面特性研究  CNKI文献

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面...

倪牮 陈新亮... 《光电子.激光》 2010年01期 期刊

关键词: n-i-p太阳电池 / 不锈钢(SS)衬底 / p/ITO界面

下载(429)| 被引(6)

MOCVD技术生长薄膜电池用绒面结构IMO/ZnO薄膜  CNKI文献

本文利用MOCVD技术在缓冲层IMO薄膜上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜。相比于通常直接生长的ZnO薄膜,IMO缓冲层的应用可有效提高绒面ZnO薄膜晶体质量,薄膜方块电阻可从8Ω降低至6Ω,薄膜电子迁移率从20.1 cm~2/Vs提高至31.7...

林泉 陈新亮... 第十一届全国MOCVD学术会议论文集 2010-01-13 中国会议

关键词: MOCVD技术 / ZnO薄膜 / IMO薄膜 / 高迁移率

下载(38)| 被引(0)

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