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新课标下探究性学习方式的实践与探索  CNKI文献

在新《语文课程标准》下,倡导自主、合作、探究的学习方式显得越来越重要了。本文以“探究性学习方式”的研究理论为依据,探讨了在语文课堂教学中实施“探究性”教学的重要性,并设计了进行“探究性”课堂教学的过程。...

陈登元 《西昌学院学报(人文社会科学版)》 2005年02期 期刊

关键词: 新课程标准 / 探究性学习 / 学生主体 / 探讨

下载(228)| 被引(4)

短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型  CNKI文献

利用二维泊松方程的解析解,得到了短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型.在弱反型区,解析模型的结果与数值模拟的结果符合较好.

陈登元 汤庭鳌... 《半导体学报》 1989年07期 期刊

关键词: 阈值电压 / 亚阈值电流 / 表面势

下载(162)| 被引(2)

浅谈新课标下语感能力的培养  CNKI文献

新课标的实施使课堂教学方法有了创新,但过分强调教学方法和模式,却忽略了语文教学之本——语言教学。文章着重从语感的培养角度探讨了语言教学的方法,拟从加强朗读、创设语境、注重形象感受三方面进行探讨。

陈登元 《宁波大学学报(教育科学版)》 2005年03期 期刊

关键词: 新课标 / 语感 / 回归 / 语境

下载(45)| 被引(2)

新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现  CNKI文献

提出了一种利用与 CMOS工艺相容的铁电薄膜来实现使一般逻辑电路成为非挥发性的新技术 .通过电路模拟及对锁存器和触发器实验电路进行测试 ,表明逻辑集成电路的铁电锁存新技术是切实可行的

汤庭鳌 陈登元... 《半导体学报》 2002年11期 期刊

关键词: 逻辑电路 / 不挥发性 / 铁电薄膜

下载(40)| 被引(1)

双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型  CNKI文献

本文对短沟道MOSFET沟道区的硼、砷离子注入分布采用二次函数及指数函数的分段函数分布近似,并利用格林函数法求解二维泊松方程,从而导出非均匀分布短沟道MOS FET的表面势和阈值电压的解析模型.它计及注入能量、剂量、...

汤庭鳌 陈登元... 《半导体学报》 1989年11期 期刊

关键词: 泊松方程 / 离子注入 / 解析解 / 表面势

下载(41)| 被引(0)

适用于亚微米沟道MO SFET的阈值电压解析模型  CNKI文献

本文利用本征函数方法,采取一定的边界条件,得到了二维泊松方程的解析解.并由此导得适用于亚微米沟道MOS场效应管阈值电压的解析表达式.本解析模型未引进复杂的几何结构参数及经验参数,适用于不同的衬底反偏电压、漏极...

汤庭鳌 Carlos Araujo... 《半导体学报》 1988年05期 期刊

关键词: 泊松方程 / 解析解 / 表面势 / 边界条件

下载(44)| 被引(2)

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