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14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模  CNKI文献

随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管(Fin FET)源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据Fin FET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分:...

陈寿面 石艳玲 《半导体技术》 2018年02期 期刊

关键词: 鳍型场效应晶体管(FinFET) / 非本征寄生 / 源漏寄生电阻 / 建模

下载(206)| 被引(2)

SiGe HBT单粒子瞬态TCAD仿真研究  CNKI文献

借助于TACD数值仿真,对具有交叉指状结构的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)中由重离子辐射诱导的单粒子瞬态(SET)效应展开了详细的研究。首先分析了重离子辐射诱导的电势和场强的变化,阐明了SiGe HBT中单粒子瞬态机...

陈寿面 孙亚宾 《半导体技术》 2018年03期 期刊

关键词: 锗硅异质结双极型晶体管(SiGe / HBT) / 空间辐射 / 单粒子瞬态(SET)

下载(128)| 被引(0)

NBTI效应对时钟树门控时钟偏移的影响  CNKI文献

负偏压不稳定性(NBTI)会造成PMOS器件退化,导致电路性能下降。时钟树网络是同步时序电路的关键,随着电路工作时间推移,NBTI会造成时钟树时钟偏移改变,降低时序电路的整体性能,严重造成电路失效。依据40 nm CMOS工艺NB...

陈寿面 李小进 《集成电路应用》 2017年12期 期刊

关键词: NBTI / 时钟偏移 / 门控时钟 / 反应/扩散(RD)

下载(27)| 被引(1)

同位素择尤溅射角分布研究  CNKI文献

本文从理论和实验两个方面探讨了同位素溅射角分布问题。从实验上得到的同位素溅射角分布曲线表明,在垂直靶面方向轻同位素择尤溅射,而在倾斜方向,则重同位素择尤溅射。在理论上考虑了原子级联碰撞过程中的能量和动量...

陈寿面 王震遐... 《物理学报》 1989年11期 期刊

关键词: 溅射 / 垂直靶 / 级联碰撞 / 出射角

下载(11)| 被引(3)

基于40nm CMOS工艺电路的NBTI退化表征方法  CNKI文献

负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究。首先对不同应力条件下PMOS晶体管NBTI退化特性进行测试、建模及模型参数...

卿健 王燕玲... 《半导体技术》 2019年04期 期刊

关键词: 负偏压温度不稳定性(NBTI) / 模型提参 / 可靠性仿真 / VerilogA

下载(62)| 被引(1)

金属线宽及线间距渐变的射频螺旋电感(英文)  CNKI文献

为减少射频螺旋电感的金属导体损耗,提出了一种电感金属线宽及金属间距从外到内逐渐变小的新颖结构.与传统的固定金属线宽和间距的电感相比,该渐变结构电感涡流效应的影响较小,金属导体损耗减小,从而降低其串联电阻,品...

王勇 石艳玲... 《半导体学报》 2005年09期 期刊

关键词: 射频螺旋电感 / 品质因子 / 涡流效应 / 金属损耗

下载(142)| 被引(14)

精确高效的渐变结构片上螺旋电感的电感值分析技术  CNKI文献

与传统的金属线宽和间距固定不变的无源片上螺旋电感相比,线宽和间距由外圈到内圈渐变的新型结构电感能有效提高电感品质因子.这种新结构电感的出现使得Jenei等人提出的闭合电感公式已不再适用于其电感值的计算,而改进...

罗天星 石艳玲... 《半导体学报》 2006年09期 期刊

关键词: 平面螺旋电感 / 分圈迭代算法 / 渐变结构电感

下载(202)| 被引(2)

MeV质子和~+He离子产生的~(60)Nd、~(62)Sm、~(63)Eu和~(70...  CNKI文献

过去几年中,MeV的质子和+He离子等轻离子轰击中、高Z元素产生L次壳层电离截面的测量研究仍然吸引了国际上许多实验室的注意。这是由于L次壳层电离截面的知识不仅对于发展托克马克、等离子体物理、离子注入和PIXE技术等...

徐洪杰 陈寿面... 《原子与分子物理学报》 1990年S1期 期刊

关键词: 壳层 / YbL / L / 电离截面

下载(19)| 被引(0)

高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进  CNKI文献

针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其...

任铮 石艳玲... 《半导体学报》 2006年06期 期刊

关键词: BSIM3模型 / SPICE / HVMOS晶体管 / 参数提取

下载(184)| 被引(1)

质子弹性散射测量材料中的轻元素  CNKI文献

质子弹性散射(PES)不仅保留了常规 He 离子卢瑟夫背散射(RBS)的特点,而且还克服了常规 RBS 对轻元素不灵敏的缺点。由于质子散射截面与散射角度有强烈的依赣关系,本工作首先铡量了1.0—3.8NeV P 在散射角为170°...

杨国华 朱德彰... 第八届全国核物理会议文摘集(下册) 1991-12-01 中国会议

关键词: 弹性散射 / 弹性碰撞 / 质子 / 核子

下载(34)| 被引(0)

离子束分析Mylar薄膜引起的损伤研究  CNKI文献

离子束分析(IBA)技术已广泛应用于半导体、金属材料的分析研究中。但是 IBA 技术用于分析聚合物材料可能会引起材料本身性质和成分的变化。本文用卢瑟夫背散射(RBS)和质子前向反冲(PFR)测量了由分析束引起的1.5um My...

杨国华 朱德彰... 第八届全国核物理会议文摘集(下册) 1991-12-01 中国会议

关键词: 分析束 / 质子 / 入射 / 核子

下载(19)| 被引(0)

超高真空离子束分析靶室系统  CNKI文献

我所已建成我国自行设计制造的第一台超高真空(UHV)离子束分析靶室系统。靶室主体是Φ500×500mm 的圆柱体,基础真空度为2.7×10~(-8)Pa。靶室顶部装有可三维转动,三维平动的定角器,靶子可加热到1200℃。一耐...

朱德彰 潘浩昌... 第八届全国核物理会议文摘集(下册) 1991-12-01 中国会议

关键词: 靶室 / 静电加速器 / 范德格喇夫加速器 / 高压加速器

下载(15)| 被引(0)

用于表面科学研究的低能原子和分子离子源系统  CNKI文献

低能原子和分子离子束在固体表面的散射是表面物理和表面化学研究的重要手段。低能离子散射(LEIS)已成为表面成分和表面晶格结构的分析工具。分子表面散射还是近几年才发展起来的,它已在表面科学领域开拓了很多令人感...

潘浩昌 朱德彰... 第八届全国核物理会议文摘集(下册) 1991-12-01 中国会议

关键词: 原子 / 固体表面 / 离子源 / 晶格结构

下载(16)| 被引(0)

He离子激发Ce、Nd、Sm、Gd和DyL次壳层电离截面  CNKI文献

在过去十年中,许多研究工作都涉及了 He 离子激发稀土元素原子 L 次壳层电离截面稠量。为了满足进一步研究的需要,在本工作中我们测量了0.5MeV—3.3MeV He 离子激发 Ce,Nd,Sm,Gd 和 Dy L 次壳层电离子截面。实验中探...

徐洪杰 杨国华... 第八届全国核物理会议文摘集(下册) 1991-12-01 中国会议

关键词: 电离截面 / 壳层 / 棱柱层 / DyL

下载(6)| 被引(0)

一种图像传感器结构及其制作方法  CNKI文献

本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法,通过在CMOS图像传感器结构中环绕接触下电极设置导电屏蔽环,形成电场隔离,可利用施加在其上的电压限制光敏量子点薄膜中光生载流子的流动方向,将连续的薄膜分成不同的区域...

耿阳 胡少坚... 《传感器世界》 2017年08期 期刊

关键词: 图像传感器 / 制作方法

下载(28)| 被引(0)

金属沾污对超薄栅氧(2 .5nm)特性的影响(英文)  CNKI文献

采用可控的金属沾污程序 ,最大金属表面浓度控制在 10 1 2 cm- 2数量级 ,来模拟清洗工艺最大可能金属沾污表面浓度 .利用斜坡电流应力和栅注入方式测量本征电荷击穿来评估超薄栅氧特性和金属沾污效应 .研究了金属锆和...

王刘坤 Twan Bearda... 《半导体学报》 2004年05期 期刊

关键词: 栅氧完整性 / 金属沾污 / 本征电荷击穿 / 斜坡电流应力

下载(57)| 被引(1)

用RBS和RNR研究表面涂覆CeO_2对Fe-25Cr合金高温氧化的影响  CNKI文献

一、引言许多研究结果表明,将微量 Ce、Y、Hf 和 Th 或其氧化物添加于形成 Cr_2O_3保护层的 Fe~Cr 系合金中可以大大提高抗氧化性能。一些结果还表明,把这些活性元素的氧化物用涂覆方法或溅射方法作用合金表面,合金的...

俞方华 潘浩昌... 《中国腐蚀与防护学报》 1991年01期 期刊

关键词: Fe-25Cr / CeO_2 / RNR / Cr

下载(22)| 被引(1)

新技术 高效率 低排放:IC产业关键词  CNKI文献

编者按:技术创新推动着集成电路产业的快速发展,集成电路企业在注重把握市场需求脉动、注重提高生产效率的同时,也加大了对环保和节能的关注。在第10届中国半导体行业协会集成电路分会年会上,众多业内资深专家、学...

王新潮 丁辉文... 中国电子报 2007-12-11 报纸

关键词: 长电科技 / 封装测试 / 新型元器件 / 生产效率

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双通道穆斯堡尔谱仪控制及数据获取智能接口MSC-85A  CNKI文献

本文给出了一种新颖的双通道穆斯堡尔谱仪控制及数据获取智能接口的原理、功能、电路和程序设计、软件框图及在PC机上开发的软件包,从而构成了一套高级谱获取和管理系统。

孙继英 刘其盛... 《核电子学与探测技术》 1988年02期 期刊

关键词: 双通道 / 穆斯堡尔谱仪 / 智能接口

下载(16)| 被引(2)

NiPd合金在升温过程中择尤溅射的研究  CNKI文献

用卢瑟福背散射技术,测定了NiPd(48.2wt%Pd)合金在不同温度时的溅射原子角分布,从而确定了Ni和Pd原子的部分产额随样品温度的变化关系。结果发现:Ni和Pd的部分溅射产额在居里温度附近均有较大变化,而且Pd 的产额变化幅...

王震遐 潘冀生... 《物理学报》 1990年03期 期刊

关键词: 溅射 / Pd / 居里温度 / 真空沉积

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