作  者

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
手机远见搜索 |设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性  CNKI文献

影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有...

郑玉展 陆妩... 《物理学报》 2009年08期 期刊

关键词: 发射极面积 / 国产npn晶体管 / 剂量率 / 辐射损伤

下载(226)| 被引(40)

甲基苯基乙烯基硅橡胶电离总剂量效应  CNKI文献

甲基苯基乙烯硅橡胶具有耐高低温、防震等独特优势,在航天器的减震、密封等领域具有广泛应用前景。研究了甲基苯基乙烯基硅橡胶的电离总剂量效应。结果表明,随着辐射剂量的增加,甲基苯基乙烯基硅橡胶的力学性能出现了...

郑玉展 蔡震波 《强激光与粒子束》 2015年12期 期刊

关键词: 甲基苯基乙烯基硅橡胶 / 力学性能 / 总剂量效应 / 辐射交联

下载(77)| 被引(4)

卫星电子系统抗总剂量性能评估及验证  CNKI文献

提出了一种基于功能分解的卫星电子系统抗总剂量性能评估方法,并基于卫星典型的数据处理系统中所用元器件的总剂量试验测试数据,利用本文方法评估得到了该系统的数据处理控制模块的平均失效吸收剂量为56.9 krad(Si)。...

郑玉展 《现代应用物理》 2019年03期 期刊

关键词: 电子系统 / 抗电离总剂量 / 性能评估 / 试验验证

下载(17)| 被引(0)

双极运算放大器辐射损伤效应研究  CNKI文献

本文研究了不同制造商的同型号双极运算放大器的辐射效应和室温退火行为,发现同型号产品的辐射效应有很大差异。我们分析了此类辐射效应差异的主要原因,对双极运算放大器高低剂量率下的辐射效应作了解释。计算了它们的...

郑玉展 陆妩... 《核技术》 2008年04期 期刊

关键词: 双极运算放大器 / 60Coγ辐射 / 辐射效应 / 增强因子

下载(157)| 被引(7)

Impact of doped boron concentration in emitter on high...  CNKI文献

The characteristics of radiation damage under a high or low dose rate in lateral PNP transistors with a heavily or lightly doped emitter is investigated.Experimental results show that as the total do...

郑玉展 陆妩... 《半导体学报》 2010年03期 期刊

关键词: doping / concentration / lateral / PNP

下载(62)| 被引(7)

正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤  CNKI文献

对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验。结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤。正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有...

郑玉展 陆妩... 《核技术》 2010年05期 期刊

关键词: JFET输入运算放大器 / 正常工作状态 / 零偏置状态 / 辐射损伤

下载(118)| 被引(3)

Annealing behavior of radiation damage in JFET-input o...  CNKI文献

The elevated and room temperature annealing behavior of radiation damage in JFET-input operational amplifiers(op-amps)were investigated.High-and low-dose-rate irradiation results show that one of the...

郑玉展 陆妩... 《半导体学报》 2009年05期 期刊

关键词: JFET-input / operational / amplifiers / dose

下载(72)| 被引(2)

ELDRS and dose-rate dependence of vertical NPN transis...  CNKI文献

The enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) and dose-rate dependence of vertical NPN transis- tors are investigated in this article. The results show that the vertical NPN transistors exhibit more...

郑玉展 陆妩... 《中国物理C》 2009年01期 期刊

关键词: bipolar / junction / transistor / ELDRS

下载(54)| 被引(2)

工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响  CNKI文献

对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同以及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下进行辐射效应和退火特性研究。结果表明:晶体管类型不同,对高低剂量率的辐照响应也相异;不同...

陆妩 郑玉展... 《原子能科学技术》 2010年01期 期刊

关键词: 双极晶体管 / 60Coγ辐照 / 剂量率效应 / 发射极面积

下载(252)| 被引(22)

Effects of orientation of substrate on the enhanced lo...  CNKI文献

The radiation effects and annealing characteristics of two types of domestic NPN bipolar junction transistors, fabricated with different orientations, were investigated under different dose-rate irra...

陆妩 郑玉展... 《中国物理C》 2011年02期 期刊

关键词: NPN / bipolar / junction / transistors

下载(73)| 被引(4)

木星辐射环境不确定性对总剂量风险的影响  CNKI文献

以木星探测任务为背景,针对木星辐射带粒子能量高、通量大的强辐射特点,基于器件总剂量辐照试验数据、木星辐射带模型、太阳质子通量模型,将器件失效点剂量不确定性与辐射环境不确定性应用到总剂量设计中,可定量评估特...

王建昭 张庆祥... 《宇航学报》 2019年01期 期刊

关键词: 木星 / 总剂量 / 不确定性

下载(44)| 被引(1)

双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方...  CNKI文献

介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损...

陆妩 任迪远... 《原子能科学技术》 2009年09期 期刊

空间重粒子入射屏蔽材料的蒙特卡罗模拟  CNKI文献

针对空间辐射环境中银河宇宙射线重离子的屏蔽防护问题,使用基于蒙特卡罗方法的Geant4软件模拟330 MeV/n ~(12)C粒子入射铝、聚乙烯、水、液态氢4种屏蔽材料,分析了~(12)C粒子在4种屏蔽材料内的深度剂量分布;在Geant4...

荀明珠 何承发... 《载人航天》 2019年02期 期刊

关键词: Geant4 / 屏蔽材料 / MIRD / 人体模型

下载(84)| 被引(0)

不同屏蔽材料对空间100 MeV质子防护效果分析  CNKI文献

为了研究地球空间辐射环境中高能质子的屏蔽问题,使用基于蒙特卡罗方法的Geant4软件模拟了100 MeV质子入射相同面密度的Al、PE、水三种屏蔽材料,通过分析射线穿过屏蔽材料后在水模体中的深度剂量分布、屏蔽材料内的能...

荀明珠 何承发... 《载人航天》 2018年06期 期刊

关键词: Geant4 / 次级粒子 / 屏蔽材料 / 100

下载(58)| 被引(1)

不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应  CNKI文献

对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置...

费武雄 陆妩... 《原子能科学技术》 2011年02期 期刊

关键词: NPN双极晶体管 / 60Coγ辐照 / 偏置 / 低剂量率辐照损伤增强

下载(166)| 被引(9)

木星环绕探测任务中的内带电风险评估  CNKI文献

木星拥有类似地球辐射带的辐射带结构,其辐射带质子通量是地球的10倍,高能电子通量比地球高2~3个数量级,且最高能量可达1 Ge V。因此木星探测任务的抗辐射设计是任务成功的关键。选择3种不同倾角大椭圆探测轨道,仿真分...

王建昭 田岱... 《深空探测学报》 2017年06期 期刊

关键词: 木星 / 辐射带 / 内带电

下载(33)| 被引(5)

不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响  CNKI文献

对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基...

费武雄 陆妩... 《核技术》 2010年04期 期刊

关键词: NPN双极晶体管 / 低剂量率 / 偏置 / 60Coγ辐照

下载(161)| 被引(11)

剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响  CNKI文献

研究了不同剂量率下PMOS剂量计阈值电压的响应。在VTH偏置下,观察了剂量率对PMOS剂量计辐射响应线性度和灵敏度的影响规律及其退火特性。试验结果表明:随着剂量率降低,n值趋近于1,表现出较好的线性度,响应灵敏度也增加...

孙静 郭旗... 《微电子学》 2009年01期 期刊

关键词: PMOSFET / 剂量计 / 剂量率 / 阈值响应

下载(169)| 被引(9)

典型器件和电路不同剂量率的辐射效应  CNKI文献

对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究。对双极器件和电路及JFET输入运算放大器电路产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分析。结果显示,器件类型不同,失效模式也...

陆妩 任迪远... 《信息与电子工程》 2012年04期 期刊

关键词: 双极类模拟电路 / CMOS类电路 / 60Coγ辐照 / 剂量率效应

下载(135)| 被引(3)

变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用  CNKI文献

对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的~(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很...

费武雄 陆妩... 《原子能科学技术》 2010年12期 期刊

关键词: NPN双极晶体管 / ~(60)Coγ辐照 / 低剂量率辐照损伤增强 / 变温辐照

下载(100)| 被引(10)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势

热门学者(按发文篇数排行)

相关机构

史铁生评传