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ESD应力下的NMOSFET模型  CNKI文献

随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击...

路香香 姚若河... 《微电子学》 2007年06期 期刊

关键词: 静电保护 / NMOSFET / 半导体器件 / 器件模型

下载(168)| 被引(11)

ESD应力下的扩散电阻及模型击穿特性  CNKI文献

随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用。对ESD应力下扩散电阻的四个区域:线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了...

路香香 罗宏伟... 《微电子学》 2008年04期 期刊

关键词: ESD应力 / 扩散电阻 / TLP测试 / 二次击穿

下载(174)| 被引(4)

集成电路ESD设计验证技术  CNKI文献

传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具。分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利...

罗宏伟 肖庆中... 《微电子学》 2008年06期 期刊

关键词: 集成电路 / 传输线脉冲测试 / ESD加固设计

下载(216)| 被引(7)

ESD应力下的电阻特性研究  CNKI文献

随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)也变得越来越敏感,而电阻在 ESD 保护电路中可以起到隔离和分压的作用.本文主要对 ESD 应力下的扩散电阻的四个区域:线性区,饱和区,负微分电...

路香香 罗宏伟... 2007'第十二届全国可靠性物理学术讨论会论文集 2007-10-01 中国会议

关键词: 扩散电阻 / TLP / 测试 / 二次击穿

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硅脉冲微波功率器件增益退化机理研究  CNKI文献

本文介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状.针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式,通过对硅脉冲微波功率器件直流参数的统计分析,初步得出了其失效机理.

廖超 来萍... 2007'第十二届全国可靠性物理学术讨论会论文集 2007-10-01 中国会议

关键词: 微波功率晶体管 / 可靠性 / 功率增益 / 失效机理

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