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α—Si TFT矩阵等离子体刻蚀技术的研究  CNKI文献

本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压...

赵伯芳 张少强... 《微细加工技术》 1993年02期 期刊

关键词: α-Si / TFT / 等离子刻蚀 / 刻蚀速率

下载(63)| 被引(3)

殷都文明与砖瓦业的发展  CNKI文献

定居安阳四十年,方知古都历史悠久,文化灿烂,一片甲骨惊天下,原来安阳竟是中华第一古都.从事建材三十载,难晓砖瓦贡献巨大作用独特.秦砖汉瓦,建材建筑随着人类文明的发展而发展,殊不知其在弘扬古都历史文化上也有其奥...

赵伯芳 《砖瓦》 1994年06期 期刊

关键词: 砖瓦 / 安阳 / 河南 / 殷都

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西欧柠檬酸生产技术概况  CNKI文献

1987年11月份,英国爱德司丹顾问业务有限公司,石油及化学工业顾问工程师、董事总经理阿雷格先生来华座谈柠檬酸生产技术。现将所介绍的西欧柠檬酸生产技术概况综述如下:

赵伯芳 《安徽化工》 1988年03期 期刊

关键词: 柠檬酸钙 / 转鼓 / 间断生产 / 装配式生产

下载(61)| 被引(0)

处理高分辨率地震资料的一种方法  CNKI文献

本文介绍了一种处理高分辨率地震资料的方法。修改采样间隔参数,并对频谱和速度谱资料做特殊解释,就能在普通的地震处理系统中处理高分辨率地震资料。文章给出了一个实例,说明本方法是可行的。

赵伯芳 崔希俊 《石油物探》 1982年03期 期刊

关键词: 高分辨率地震 / 迭加速度 / 速度谱 / 采样间隔

下载(31)| 被引(0)

美国联合化学公司曾宗辉博士在沪座谈己内酰胺生产技术  CNKI文献

曾宗辉博士1981年6月回国观光,在沪期间先后参观了上海电化厂锦纶车间以及其它有关苯酚的生产情况,然后对己内酰胺生产进行了技术座谈。Allied 公司己内酰胺装置建于1953年,当初只有年产一万吨的规模,现在已达到年产5...

赵伯芳 《合成纤维工业》 1982年01期 期刊

关键词: 己内酞胺 / 曾宗 / 环己酮 / 环己烷

下载(23)| 被引(0)

借鸡下蛋 借脑生财  CNKI文献

1993年相西大砖厂被钢窗厂兼并,大砖厂北邻铺上村,有个村干部叫盖铧.过去大砖厂征用铺上村大量土地,铺上村有事经常找大砖厂帮忙,厂村关系密切,盖铧作为村干部,对于大砖厂的兴衰得失自然了如指掌.这时他眼看大砖厂倒闭...

赵伯芳 《砖瓦》 1995年04期 期刊

关键词: 砖厂 / 铺上村 / 企业 / 企业管理

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我只想做一块普普通通的砖  CNKI文献

巍巍长城,高高大厦,积聚一块块普普通通的砖,规规矩矩堂堂正正的砖。我只想做小小的一块砖。 砖离不开世界,世界离不开砖,世界瞬息变化千姿百态。我要学砖的雄姿傲立大海浪头,惊涛骇浪何足惧?坎坷崎岖只等闲。我永远是...

赵伯芳 《砖瓦》 1996年06期 期刊

关键词: 通才 / 祖国

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用于HIT太阳能电池的本征非晶硅薄膜  CNKI文献

带本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低,暗电导大,光学带隙宽的特点.采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备符合 HIT 太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜,并通过分析薄膜的透射光谱,采用...

宋佩珂 曾祥斌... 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(4) 2007-11-01 中国会议

关键词: 本征非晶硅薄膜 / HIT / PECVD

下载(244)| 被引(1)

多晶硅TFT及其在AMLCD中的应用  CNKI文献

多晶硅薄膜晶体管目前是大面积微电子学领域中最热门的研究课题之一 ,它以其独特的优点 ,在液晶显示领域中扮演着重要角色。简要介绍了多晶硅薄膜晶体管的结构、器件特性以及在有源矩阵液晶显示器中的应用。

饶瑞 徐重阳... 《半导体杂志》 2000年04期 期刊

关键词: 多晶硅 / 薄膜晶体管 / 有源矩阵 / 液晶显示器

下载(196)| 被引(10)

溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜  CNKI文献

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备钛酸锶钡(BST)薄膜,采用快速热处理(RTA)对薄膜进行烧结。利用DSC、XRD、SEM等技术分析了钛酸锶钡凝胶的热解过程,以及不同溶胶浓度下薄膜的晶粒、晶相、介温特性。实验表明:低浓度的溶胶...

张五星 徐重阳... 《压电与声光》 2003年01期 期刊

关键词: 溶胶-凝胶(Sol-Gel) / 钛酸锶钡 / 快速热处理(RTA) / 介电常数

下载(444)| 被引(6)

a-SiN_x:H薄膜对a-Si:H TFT阈值电压的影响  CNKI文献

介绍了测定a-Si:HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a-SiNx:H薄膜淀积时反应气体NH3/SiH4流速比以及a-SiNx:H膜厚对a-Si:HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明:a-Si:HTFT的阈值电压...

王长安 熊智斌... 《光电子技术》 1997年01期 期刊

关键词: a-Si / HTFT / a-SiN_x / H薄膜

下载(182)| 被引(10)

4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究  CNKI文献

采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在衬底表面形成双等离子流 ,增加了衬底表面SiC的成核概率 ,增强成核作用 ,形成纳米晶 ....

张洪涛 徐重阳... 《物理学报》 2002年02期 期刊

关键词: 4H-SiC / PECVD / 纳米结构 / 多型薄膜

下载(148)| 被引(7)

铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究  CNKI文献

介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等...

饶瑞 徐重阳... 《功能材料》 2001年04期 期刊

关键词: 金属诱导 / 非晶硅薄膜 / 低温晶化 / 多晶硅薄膜

下载(178)| 被引(12)

PECVD法制备纳米硅薄膜材料  CNKI文献

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD) 法制备了纳米硅薄膜材料, 研究了工艺参数, 如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。采用椭圆偏振光谱和有效介质近似法分析了薄膜结构

曾祥斌 徐重阳... 《电子元件与材料》 1999年05期 期刊

关键词: 纳米硅薄膜材料 / 等离子化学汽相淀积 / 衬底直流偏压 / 气体流量

下载(192)| 被引(9)

微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究  CNKI文献

为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速...

饶瑞 徐重阳... 《压电与声光》 2002年03期 期刊

关键词: 微波退火 / 低温晶化 / 多晶硅薄膜 / 电阻率

下载(166)| 被引(8)

高效非晶硅叠层太阳电池的优化设计  CNKI文献

研究了高效a-Si/a-Si/a-SiGe三结太阳电池的优化设计。电流匹配是影响二端子叠层太阳电池填充因子的关键因素,在内电极的P/n界面处附加载流子复合是由少数载流于浓度、界面态和P/n界面处材料的...

周雪梅 徐重阳... 《太阳能学报》 1994年04期 期刊

关键词: 非晶硅 / 叠层太阳电池 / 优化设计

下载(242)| 被引(5)

冷等离子体中的粉体研究  CNKI文献

介绍了在冷等离子体中粉体研究的几个重要成果,分析了粉体在两种反应室结构中的运动、沉降时间及刘蚀状况.理论分析和实验结果表明带振动阴极的反应室在粉体表面刻蚀方面比传统阴极结构的反应室要优越得多.研究表明...

王敬义 尹盛... 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10) 2007-11-01 中国会议

关键词: 冷等离子体 / 粉体表面刻蚀 / 硅粉纯化

下载(14)| 被引(0)

Sol-gel法制备纳米硅碳膜的研究  CNKI文献

以长链甲基三甲氧基硅烷[CnH_(2n)+1Si(OCH_3)]和正硅酸乙脂(TEOS)两种有机物为起始原料,用溶胶-凝胶法制备出SiC凝胶膜,在Ar气氛下烧结,制备出了SiC膜。初步讨论了溶胶形成过程中水中红键、酸及碱的作用。利...

张洪涛 徐重阳... 《陶瓷工程》 2000年01期 期刊

关键词: 纳米晶须 / SiC膜 / 溶胶-凝胶法

下载(138)| 被引(8)

射频磁控溅射法制备(Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3铁电薄膜  CNKI文献

采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3( BST)铁电薄膜。研究了BST铁电薄膜的制备工艺 ,分析了 BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌。测试了其介电特性 ,测得的相对介电常数 -温度...

刘世建 徐重阳... 《压电与声光》 2001年04期 期刊

关键词: 射频磁控溅射法 / BST铁电薄膜 / 相对介电常数-温度曲线 / 居里温度

下载(149)| 被引(8)

一种新型反应室的分析与实验  CNKI文献

对振动阴极上粉体的运动分析表明粉粒在阴极表面停留的时间与阴极表面倾斜角、气体反吹速度和粉粒大小等有关,其停留时间可达10min 以上。用这种等离子反应室对硅粉刻蚀,可在硅粉流经反应室一次即可刻蚀200nm 的表面厚...

尹盛 王敬义... 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10) 2007-11-01 中国会议

关键词: 粉体表面刻蚀 / 硅粉提纯 / 振动阴极

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